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고분자 전해질막, 고분자 전해질막의 제조방법 및 고분자 전해질막을 구비하는 막-전극 접합체

  • 기술번호 : KST2015174140
  • 담당센터 : 광주기술혁신센터
  • 전화번호 : 062-360-4654
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 고분자 전해질막, 고분자 전해질막의 제조방법 및 고분자 전해질막을 구비하는 막-전극 접합체를 제공한다. 고분자 전해질막은 서로 마주보는 제1면 및 제2면을 구비하는 단일층의 소수성 비대칭 지지체, 상기 지지체는 상기 지지체를 관통하여 상기 지지체의 서로 마주보는 제1면 및 제2면 내에 노출되는 공극을 구비하고, 상기 제1면 내에 노출된 공극의 크기는 상기 제2면 내에 노출된 공극의 크기에 비해 작고 및 상기 공극 내에 위치하는 친수성 고분자를 포함한다. 고분자 전해질막, 막-전극 접합체, 친수도
Int. CL H01M 4/88 (2006.01) H01M 8/10 (2006.01) H01M 4/86 (2006.01) C08J 5/22 (2006.01)
CPC H01M 8/1044(2013.01) H01M 8/1044(2013.01) H01M 8/1044(2013.01) H01M 8/1044(2013.01) H01M 8/1044(2013.01)
출원번호/일자 1020080116988 (2008.11.24)
출원인 광주과학기술원
등록번호/일자 10-1499731-0000 (2015.03.02)
공개번호/일자 10-2010-0058243 (2010.06.03) 문서열기
공고번호/일자 (20150309) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2013.10.30)
심사청구항수 17

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 광주과학기술원 대한민국 광주광역시 북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
발명자 정보가 없습니다

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인이상 대한민국 서울특별시 서초구 바우뫼로 ***(양재동, 우도빌딩 *층)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 광주과학기술원 대한민국 광주광역시 북구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2008.11.24 수리 (Accepted) 1-1-2008-0809043-39
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2011.09.15 수리 (Accepted) 4-1-2011-5187089-85
3 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)
2013.10.30 수리 (Accepted) 1-1-2013-0988084-61
4 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2014.04.06 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
5 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2014.05.13 수리 (Accepted) 9-1-2014-0039190-98
6 등록결정서
Decision to grant
2015.02.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2015-0138696-50
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번호 청구항
1 1
서로 마주보는 제1면 및 제2면을 구비하는 단일층의 소수성 비대칭 지지체, 상기 지지체는 상기 지지체를 관통하여 상기 지지체의 서로 마주보는 제1면 및 제2면 내에 노출되는 공극을 구비하고, 상기 제1면 내에 노출된 공극의 크기는 상기 제2면 내에 노출된 공극의 크기에 비해 작고; 및상기 공극 내에 위치하는 친수성 고분자를 포함하는 고분자 전해질막
2 2
제 1 항에 있어서,상기 공극은 그의 크기가 제1면에서 제2면 방향으로 점차적으로 증가하는 부분을 갖는 고분자 전해질막
3 3
제 1 항에 있어서,상기 소수성 비대칭 지지체는 BPPO, PI, PVDF, 또는 IEC 1
4 4
제 3 항에 있어서, 상기 IEC 1
5 5
제 1 항에 있어서, 상기 친수성 고분자는 IEC 1
6 6
제1면 및 제2면을 구비하는 단일층의 소수성 비대칭 지지체를 형성하는 단계, 상기 지지체는 상기 지지체를 관통하여 상기 지지체의 서로 마주보는 제1면 및 제2면 내에 노출되는 공극을 구비하고, 상기 제1면 내에 노출된 공극의 크기는 상기 제2면 내에 노출된 공극의 크기에 비해 작고; 및상기 공극 내에 친수성 고분자를 위치시키는 단계를 포함하는 고분자 전해질막의 제조방법
7 7
제 6 항에 있어서, 상기 비대칭 지지체는 상전이법을 이용하여 형성하는 고분자 전해질막의 제조방법
8 8
제 7 항에 있어서, 상기 상전이법은 용매와 비용매와의 반응에 의해 수행되는 고분자 전해질막의 제조방법
9 9
제 6 항에 있어서, 상기 공극 내에 친수성 고분자를 위치시키는 것은 세공충진법을 이용하는 고분자 전해질막의 제조방법
10 10
제 6 항에 있어서, 상기 소수성 비대칭 지지체는 BPPO, PI, PVDF, 또는 IEC 1
11 11
제 10 항에 있어서, 상기 IEC 1
12 12
제 6 항에 있어서, 상기 친수성 고분자는 IEC 1
13 13
산화전극 및 환원전극; 및 상기 산화전극 및 환원전극 사이에 배치되고, 제1면 및 제2면을 구비하는 단일층의 소수성 비대칭 지지체, 상기 지지체는 상기 지지체를 관통하여 상기 지지체의 서로 마주보는 제1면 및 제2면 내에 노출되는 공극을 구비하고, 상기 제1면 내에 노출된 공극의 크기는 상기 제2면 내에 노출된 공극의 크기에 비해 작고 및 상기 공극 내에 위치하는 친수성 고분자를 구비하는 고분자 전해질막을 포함하는 막-전극 접합체
14 14
제 13 항에 있어서, 상기 환원전극은 상기 비대칭 지지체의 제2면과 접촉하여 배치되는 막-전극 접합체
15 15
제 13 항에 있어서, 상기 소수성 비대칭 지지체는 BPPO, PI, PVDF, 또는 IEC 1
16 16
제 15 항에 있어서, 상기 IEC 1
17 17
제 13 항에 있어서, 상기 친수성 고분자는 IEC 1
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.