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제 2 항에 있어서, 상기 클래딩층 또는 내부 클래딩층에 함유되는 화합물 반도체는 PbSe, PbS, PbTe, CdMnTe, CdMnTe, ZnMnTe, MnGeAs2, MnGeP2, CdMnSe, CdSe, ZnSe, ZnXO (X=Co, Mn), As2S2, Bi12SiO, Y3Fe5O12, ZnO 또는 CdS 양자점이고, 상기 클래딩층 또는 내부 클래딩층에 함유되는 희토류 원소는 La, Ce, Pr, Nd, Pm, Sm, Eu, Gd, Tb, Dy, Ho, Er, Tm, Yb 또는 Lu 양자점이고, 상기 클래딩층 또는 내부 클래딩층에 함유되는 상자성 물질은 Fe, Ni, Co, Cr, Mn, Pt, Al 또는 Ti 양자점이고, 상기 클래딩층 또는 내부 클래딩층에 함유되는 반자성 물질은 Bi, Sb, P, Au, Ag, Hg, Cu 또는 Pb 양자점이고, 상기 클래딩층 또는 내부 클래딩층에 함유되는 광자기 글라스는 FR-5, FR-7, MOS-4, MOS-10, Tb-10, Tb-12 또는 Tb-15 글라스의 양자점 또는 미세분말이고, 및 상기 상기 클래딩층 또는 내부 클래딩층에 함유되는 광자기 단결정은 TGG(Terbium Gallium Garnet)결정 또는 YIG(Yttrium Iron Garnet)결정의 양자점 또는 미세분말인 것을 특징으로 하는 전광섬유 아이솔레이터
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