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환원된 금속 이온 및/또는 희토류 이온이 도핑된 광섬유또는 광소자 제조방법

  • 기술번호 : KST2015174388
  • 담당센터 : 광주기술혁신센터
  • 전화번호 : 062-360-4654
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 환원된 금속 이온 및/또는 희토류 이온이 도핑된 광섬유 또는 광소자 제조방법으로서, 광섬유 또는 광소자 제조용 기재에 부분소결된 미세구조를 형성하는 단계; 미세구조를 환원제를 포함하는 금속 이온 및/또는 희토류 이온 도핑용액에 함침시키는 단계; 금속이온 및/또는 희토류 이온이 함침된 미세구조를 건조시키는 단계; 및 건조된 미세구조가 소결되도록 가열하는 단계를 포함하는, 환원된 금속이온 및/또는 희토류 이온이 도핑된 광섬유 또는 광소자 제조방법. 수크로스, 완전소결, 희토류 이온, 금속 이온, 환원제
Int. CL G02B 6/00 (2006.01)
CPC C03B 37/011(2013.01) C03B 37/011(2013.01) C03B 37/011(2013.01) C03B 37/011(2013.01)
출원번호/일자 1020030076539 (2003.10.30)
출원인 광주과학기술원, (주)옵토네스트
등록번호/일자 10-0588401-0000 (2006.06.02)
공개번호/일자 10-2005-0041391 (2005.05.04) 문서열기
공고번호/일자 (20060609) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2003.10.30)
심사청구항수 12

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 광주과학기술원 대한민국 광주광역시 북구
2 (주)옵토네스트 대한민국 광주광역시 북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 한원택 대한민국 광주광역시광산구
2 김윤현 대한민국 대전광역시중구
3 안태정 대한민국 광주광역시북구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인세신 대한민국 서울특별시 금천구 가산디지털*로 *** (가산동, 월드메르디앙벤처센터II)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 광주과학기술원 대한민국 광주광역시 북구
2 (주)옵토네스트 대한민국 광주광역시 북구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2003.10.30 수리 (Accepted) 1-1-2003-0410343-02
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2003.11.19 수리 (Accepted) 4-1-2003-5076055-97
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2004.07.27 수리 (Accepted) 4-1-2004-0031183-30
4 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2005.05.13 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
5 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2005.06.16 수리 (Accepted) 9-1-2005-0034626-20
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2005.10.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2005-0522139-58
7 의견서
Written Opinion		 2005.12.02 수리 (Accepted) 1-1-2005-0704713-23
8 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.		 2005.12.02 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2005-0704712-88
9 등록결정서
Decision to grant		 2006.03.13 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2006-0143066-13
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2010.02.23 수리 (Accepted) 4-1-2010-5031911-19
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2011.09.15 수리 (Accepted) 4-1-2011-5187089-85
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.02.18 수리 (Accepted) 4-1-2014-5021419-15
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
광섬유 또는 광소자 제조용 기재에 부분소결된 미세구조를 형성하는 단계; 상기 미세구조를 환원제를 포함하는 금속 이온 및/또는 희토류 이온 도핑용액에 함침시키는 단계; 상기 금속이온 및/또는 희토류 이온이 함침된 미세구조를 건조시키는 단계; 및 상기 건조된 미세구조가 소결되도록 가열하는 단계를 포함하는, 환원된 금속이온 및/또는 희토류 이온이 도핑된 광섬유 또는 광소자 제조방법
2 2
제 1항에 있어서, 상기 환원제는 탄화수소화합물류인 것을 특징으로 하는, 환원된 금속이온 및/또는 희토류 이온이 도핑된 광섬유 또는 광소자 제조방법
3 3
제 2항에 있어서, 상기 탄화수소화합물류는, 글루코스(glucose), 수크로스(sucrose), 글리세린(glycerine), 전분(dextrin), 벤젠(benzene), 페놀(phenol), 헥산(hexane), 톨루엔(toluene), 스티렌(styrene), 나프탈린(naphthalene)으로 이루어진 군으로부터 선택된 어느 하나인, 환원된 금속이온 및/또는 희토류 이온이 도핑된 광섬유 또는 광소자 제조방법
4 4
제 1항에 있어서, 상기 환원제는 알콕사이드류인 것을 특징으로 하는, 환원된 금속이온 및/또는 희토류 이온이 도핑된 광섬유 또는 광소자 제조방법
5 5
제 4항에 있어서, 상기 알콕사이드류는, TEOS(tetraethyl orthosilicate), TMOS(tetramethyl orthosilicate), TEOC(tetraethyl orthocarbonate), TMOC(tetramethyl orthocarbonate)으로 이루어진 군으로부터 선택된 어느 하나 인 환원된 금속이온 및/또는 희토류 이온이 도핑된 광섬유 또는 광소자 제조방법
6 6
제 1항에 있어서, 상기 금속이온 및/또는 희토류 이온은, Ce, Pr, Nd, Pm, Sm, Eu, Gd, Tb, Dy, Ho, Er, Tm, Yb, Lu, Al, Sc, Ti, V, Cr, Mn, Fe, Co, Ni, Cu, Zn, Y, Zr, Nb, Mo, Tc, Ru, Rh, Pd, Ag, Cd, In, Sn, Hf, Ta, W, Re, Os, Ir, Pt, Au, Tl, Pb, Bi 및 이들의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택되는 어느 하나 이상의 이온인 것을 특징으로 하는, 환원된 금속이온 및/또는 희토류 이온이 도핑된 광섬유 또는 광소자 제조방법
7 7
제 1항에 있어서, 상기 광섬유 또는 광소자 제조용 기재는 규소산화물(SiO2), 또는 규소산화물에 게르마늄산화물(GeO2), 붕소산화물(B2O3), 인산화물(P2O5) 및 티타늄산화물(TiO2) 중에서 선택된 하나 이상이 포함된 산화물 계열을 기본 조성으로 하는 것을 특징으로 하는, 환원된 금속이온 및/또는 희토류 이온이 도핑된 광섬유 또는 광소자 제조방법
8 8
제 1항에 있어서, 상기 광섬유 또는 광소자 제조용 기재는 실리카(SiO2), 게르마노실리케이트(SiO2-GeO2), 포스포로실리케이트(SiO2-P2O5), 포스포로게르마노실리케이트(SiO2-GeO2-P2O5), 보로실리케이트(SiO2-B2O3), 보로포스포로실리케이트(SiO2-P2O5-B2O3), 보로게르마노실리케이트(SiO2-GeO2-B2O3), 티타노실리케이트(SiO2-TiO2), 포스포로티타노실리케이트(SiO2-TiO2-P2O5) 또는 보로티타노실리케이트(SiO2-TiO2-B2O3)를 기본 조성으로 하는 것을 특징으로 하는, 환원된 금속이온 및/또는 희토류 이온이 도핑된 광섬유 또는 광소자 제조 방법
9 9
제 1항에 있어서, 상기 광섬유 또는 광소자 제조용 기재에 부분소결된 미세구조를 형성하는 단계는, 개선된 화학기상증착법, 기상축방향증착법, 외부기상증착법 및 화염가수분해증착법으로 이루어진 군으로부터 선택된 공정으로 수행되는 것을 특징으로 하는, 환원된 금속이온 및/또는 희토류 이온이 도핑된 광섬유 또는 광소자 제조 방법
10 10
광섬유 또는 광소자 제조용 기재에 부분소결된 미세구조를 형성하는 단계; 강한 환원포텐셜을 갖는 환원제를 포함하는 금속 이온 및/또는 희토류 이온 도핑용액에 상기 미세구조를 함침시키는 단계; 상기 금속이온 및/또는 희토류 이온이 함침된 미세구조를 건조시키는 단계; 및 상기 건조된 미세구조가 소결되도록 가열하여, 금속미립자 및/또는 희토류 원소를 형성하는 단계를 포함하는, 환원된 금속미립자 및/또는 희토류 원소가 도핑된 광섬유 또는 광소자의 제조방법
11 11
제 10항에 있어서, 상기 환원제는 탄화수소화합물류인 것을 특징으로 하는, 환원된 금속미립자 및/또는 희토류 원소가 도핑된 광섬유 또는 광소자 제조방법
12 12
제 10항에 있어서, 상기 환원제는 알콕사이드류인 것을 특징으로 하는, 환원된 금속미립자 및/또는 희토류 원소가 도핑된 광섬유 또는 광소자 제조방법
13 12
제 10항에 있어서, 상기 환원제는 알콕사이드류인 것을 특징으로 하는, 환원된 금속미립자 및/또는 희토류 원소가 도핑된 광섬유 또는 광소자 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.