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(a) 결정질 기판을 준비하는 단계;(b) 상기 결정질 기판 상에 식각 마스크용 박막을 형성하는 단계;(c) 상기 식각 마스크용 박막 상에 감광막을 형성하는 단계; (d) 상기 결정질 기판을 제 2 식각하여 수직 결정면에 평행하게 정렬된 수직 격벽을 가지며 상기 복수의 수직 격벽을 서로 연결하는 기저공통부를 갖는 실리콘 뼈대를 형성할 수 있도록, 상기 감광막을 패터닝하는 단계; (e) 상기 패터닝된 감광막의 패턴을, 제 1 식각 공정을 통하여, 상기 식각 마스크용 박막에 전사하는 단계; (f) 제 2 식각 공정을 통하여, 상기 결정질 기판을 수직 결정면에 평행하게 정렬된 수직 격벽을 가지며 상기 복수의 수직 격벽을 서로 연결하는 기저공통부를 갖는 실리콘 뼈대를 형성하는 단계; 및(g) 상기 실리콘 뼈대 상에 X-선 흡수체 금속을 형성하는 단계;를 포함하는 비산란 그리드 제조 방법
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제 1 항에 있어서, 상기 결정질 기판은, (110) 결정질 실리콘 기판이며, 상기 수직 결정면은, 상기 (110) 결정질 실리콘 기판의 수직 (111) 결정면인 것을 특징으로 하는 비산란 그리드 제조 방법
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제 1 항에 있어서, 상기 제 1 식각 공정은, 이방성 건식 식각 공정인 것을 특징으로 하는 비산란 그리드 제조 방법
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제 1 항에 있어서, 상기 제 2 식각 공정은, 결정성 습식 식각 공정인 것을 특징으로 하는 비산란 그리드 제조 방법
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제 1 항에 있어서, 상기 (g) 단계는, 상기 실리콘 뼈대 상에 전도성 금속박막을 증착하는 단계; 및 전기 도금 공정을 통하여, 상기 X-선 흡수체 금속을 상기 실리콘 뼈대 상에 성장시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 비산란 그리드 제조 방법
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제 1 항에 있어서, 상기 (d) 단계는, 자외선 노광 및 현상 공정을 통하여 상기 감광막을 패터닝하는 것을 특징으로 하는 비산란 그리드 제조 방법
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상기 제 1 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 기재된 비산란 그리드 제조 방법에 의해 제조된 복수의 비산란 그리드를 서로 수직된 방향으로 교차하여 적층한 결과, 비산란 그리드 적층 구조물을 제조하는 비산란 그리드 적층 구조물 제조 방법
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제 7 항에 있어서, 같은 개수의 비산란 그리드를 서로 수직된 방향으로 교차하여 적층한 것을 특징으로 하는 비산란 그리드 적층 구조물 제조 방법
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결정질 기판의 수직 결정면에 평행하게 정렬된 수직 격벽을 가지며, 상기 복수의 수직 격벽을 서로 연결하는 기저공통부를 갖는 실리콘 뼈대; 및 상기 실리콘 뼈대 상에 형성된 X-선 흡수체 금속;를 포함하는 비산란 그리드
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제 9 항에 있어서, 상기 결정질 기판은, (110) 결정질 실리콘 기판이며, 상기 수직 결정면은, 상기 (110) 결정질 실리콘 기판의 수직 (111) 결정면인 것을 특징으로 하는 비산란 그리드
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제 9 항에 있어서, 상기 X-선 흡수체 금속은, 상기 실리콘 뼈대 상에 전도성 금속박막을 증착하고, 전기 도금 공정을 통하여, 상기 X-선 흡수체 금속을 상기 실리콘 뼈대 상에 성장시켜 형성한 것을 특징으로 하는 비산란 그리드
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제 9 항 내지 제 11 항 중 중 어느 한 항에 기재된 비산란 그리드 복수 개를 서로 수직된 방향으로 교차하여 적층한 비산란 그리드 적층 구조물
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제 12 항에 있어서, 같은 개수의 비산란 그리드를 서로 수직된 방향으로 교차하여 적층한 것을 특징으로 하는 비산란 그리드 적층 구조물
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