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나노렌즈의 제조방법

  • 기술번호 : KST2015174073
  • 담당센터 : 광주기술혁신센터
  • 전화번호 : 062-360-4654
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 나노렌즈의 제조방법에 관한 것으로, 기판 상에 홀로그램 리소그라피를 이용하여 감광막 광결정 패턴을 형성하는 단계와, 상기 감광막 광결정 패턴을 리플로우시켜 나노크기의 곡률 반경을 갖는 감광막 나노렌즈를 형성하는 단계와, 상기 기판 자체의 상면에 반도체 나노렌즈가 형성되도록 상기 감광막 나노렌즈를 포함한 기판의 전면을 식각하는 단계를 포함함으로써, 저 비용으로 나노크기의 렌즈 어레이 제작이 가능하며, 발광소자에 집적 시 광추출 효율을 극대화시킬 수 있는 효과가 있다. 홀로그램 리소그래피, 나노렌즈, 발광소자, 감광막, 식각
Int. CL B82Y 40/00 (2011.01) H01L 21/027 (2011.01)
CPC G03F 7/70408(2013.01) G03F 7/70408(2013.01) G03F 7/70408(2013.01)
출원번호/일자 1020070140583 (2007.12.28)
출원인 광주과학기술원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2009-0072462 (2009.07.02) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 거절
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2011.12.13)
심사청구항수 6

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 광주과학기술원 대한민국 광주광역시 북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 송영민 대한민국 광주광역시 북구
2 배시영 대한민국 광주광역시 북구
3 이용탁 대한민국 광주광역시 북구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 정태훈 대한민국 서울특별시 송파구 법원로 ***, A동 ****호(문정동, 엠스테이트)(특허법인 티앤아이)
2 오용수 대한민국 서울특별시 송파구 법원로 ***, A동 ****호(문정동, 엠스테이트)(특허법인 티앤아이)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2007.12.28 수리 (Accepted) 1-1-2007-0946501-39
2 [대리인해임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Dismissal of Sub-agent] Report on Agent (Representative)		 2008.08.27 수리 (Accepted) 1-1-2008-0612625-37
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2011.09.15 수리 (Accepted) 4-1-2011-5187089-85
4 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)		 2011.12.13 수리 (Accepted) 1-1-2011-0989534-15
5 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2012.09.13 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
6 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2012.10.24 수리 (Accepted) 9-1-2012-0080406-47
7 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2013.04.23 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0271487-87
8 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2013.06.24 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2013-0563723-37
9 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2013.06.24 수리 (Accepted) 1-1-2013-0563706-61
10 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2013.10.15 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0708440-70
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번호 청구항
1 1
기판 상에 홀로그램 리소그라피를 이용하여 감광막 패턴을 형성하는 단계; 상기 감광막 패턴을 리플로우시켜 나노크기의 곡률 반경을 갖는 감광막 나노렌즈를 형성하는 단계; 및 상기 기판 자체의 상면에 반도체 나노렌즈가 형성되도록 상기 감광막 나노렌즈를 포함한 기판의 전면을 식각하는 단계를 포함하는 나노렌즈의 제조방법
2 2
제1 항에 있어서, 상기 감광막 나노렌즈의 곡률 반경은 상기 리플로우에 대한 가열 온도 또는 시간을 이용하여 조절하는 것을 특징으로 하는 나노렌즈의 제조방법
3 3
제1 항에 있어서, 상기 리플로우 온도는 120℃ 내지 400℃ 범위인 것을 특징으로 하는 나노렌즈의 제조방법
4 4
제1 항에 있어서, 상기 반도체 나노렌즈는 플라즈마 건식 식각법을 이용하여 형성하는 것을 특징으로 하는 나노렌즈의 제조방법
5 5
기판 상에 홀로그램 리소그라피를 이용하여 감광막 패턴을 형성하는 단계; 상기 기판 자체의 상면에 나노크기의 반도체 패턴이 형성되도록 상기 감광막 패턴을 포함한 기판의 전면을 식각하는 단계; 및 상기 반도체 패턴을 식각하여 나노크기의 반도체 나노렌즈를 형성하는 단계를 포함하여 이루어진 나노렌즈의 제조방법
6 6
제5 항에 있어서, 상기 반도체 패턴은 플라즈마 건식 식각법을 이용하여 형성하는 것을 특징으로 하는 나노렌즈의 제조방법
7 7
제5 항에 있어서, 상기 반도체 나노렌즈는 습식 식각법을 이용하여 형성하는 것을 특징으로 하는 나노렌즈의 제조방법
8 8
제5 항에 있어서, 상기 반도체 나노렌즈의 곡률 반경은 습식 식각법을 이용할 경우, 식각 시간 또는 농도비를 이용하여 조절하는 것을 특징으로 하는 나노렌즈의 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.