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CIGS 박막에 레이저 빔을 조사하여 플라즈마를 발생시키고, 상기 플라즈마로부터 발생하는 분광선을 얻는 단계,상기 CIGS 박막의 특정 원소의 분광선들 중 특성이 유사한 분광선들을 선택하는 단계, 및상기 선택된 분광선들의 강도를 합한 값을 이용하여 성분 조성을 측정하는 단계를 포함하는 CIGS 박막의 깊이에 따른 성분 정량분석 방법
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제1항에서,상기 분광선들을 선택하는 단계는,상위 에너지 준위가 동일하거나 유사한 분광선들을 선택하는 단계를 포함하는 CIGS 박막의 깊이에 따른 성분 정량분석 방법
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제2항에서,상기 선택된 분광선들의 강도는 선형 상관 관계를 가지는 CIGS 박막의 깊이에 따른 성분 정량분석 방법
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제3항에서,상기 성분 조성을 측정하는 단계는,상기 선택된 분광선들의 강도의 합과 상기 CIGS 박막의 깊이를 플로팅(plotting)하는 단계를 포함하는 CIGS 박막의 깊이에 따른 성분 정량분석 방법
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제4항에서,상기 레이저 빔의 식각률을 이용함으로써 상기 레이저 빔의 조사 횟수를 상기 CIGS 박막의 깊이로 변환하는 단계를 포함하는 CIGS 박막의 깊이에 따른 성분 정량분석 방법
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CIGS 박막에 레이저 빔을 조사하여 플라즈마를 발생시키고, 상기 플라즈마로부터 발생하는 분광선을 얻는 단계,상기 CIGS 박막의 제1 원소의 분광선들 중 특성이 유사한 제1 분광선들을 선택하는 단계,상기 CIGS 박막의 제2 원소의 분광선들 중 특성이 유사한 제2 분광선들을 선택하는 단계, 및상기 제1 분광선들의 강도를 합한 값 및 상기 제2 분광선들의 강도를 합한 값을 이용하여 상기 제1 원소와 상기 제2 원소의 성분 비를 측정하는 단계를 포함하는 CIGS 박막의 깊이에 따른 성분 정량분석 방법
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제6항에서,상기 제1 분광선들을 선택하는 단계 및 상기 제2 분광선들을 선택하는 단계는,상위 에너지 준위가 유사한 분광선들을 선택하는 단계를 포함하는 CIGS 박막의 깊이에 따른 성분 정량분석 방법
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제7항에서,상기 제1 분광선들의 강도는 선형 상관 관계를 가지고,상기 제2 분광선들의 강도는 선형 상관 관계를 가지는 CIGS 박막의 깊이에 따른 성분 정량분석 방법
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제8항에서,상기 성분 조성을 측정하는 단계는,상기 제1 분광선들의 강도의 합을 상기 제2 분광선들의 강도의 합으로 나눈 값과 상기 CIGS 박막의 깊이를 플로팅하는 단계를 포함하는 CIGS 박막의 깊이에 따른 성분 정량분석 방법
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제9항에서,상기 레이저 빔의 식각률을 이용함으로써 상기 레이저 빔의 조사 횟수를 상기 CIGS 박막의 깊이로 변환하는 단계를 포함하는 CIGS 박막의 깊이에 따른 성분 정량분석 방법
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