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비정질 실리콘 양자점 미세구조를 포함하는 실리콘 질화물 박막 및 이를 이용한 발광소자

  • 기술번호 : KST2015174887
  • 담당센터 : 광주기술혁신센터
  • 전화번호 : 062-360-4654
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 실리콘 질화물 기저체 및 상기 기저체 내에 형성된 비정질 실리콘 양자점 미세구조를 포함하는 실리콘 질화물 박막에 관한 것으로, 상기 박막을 채용한 실리콘 발광소자는 기존의 실리콘 반도체 기술을 그대로 활용하여 제작될 수 있으며, 발광효율이 우수하고, 녹색 및 청색과 같은 단파장 영역을 비롯한 가시광선 영역에서의 발광도 가능하다.
Int. CL H01L 33/04 (2014.01)
CPC H01L 33/04(2013.01) H01L 33/04(2013.01)
출원번호/일자 1019990046542 (1999.10.26)
출원인 광주과학기술원
등록번호/일자 10-0334344-0000 (2002.04.15)
공개번호/일자 10-2001-0038538 (2001.05.15) 문서열기
공고번호/일자 (20020425) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1999.10.26)
심사청구항수 6

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 광주과학기술원 대한민국 광주광역시 북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 박래만 대한민국 광주광역시북구
2 박성주 대한민국 광주광역시북구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 오규환 대한민국 서울특별시 강남구 강남대로 ***, ****호 (역삼동, 유니온센터)(리제특허법률사무소)
2 장성구 대한민국 서울특별시 서초구 마방로 ** (양재동, 동원F&B빌딩)(제일특허법인(유))

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 광주과학기술원 대한민국 광주광역시 북구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 1999.10.26 수리 (Accepted) 1-1-1999-0136333-43
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2000.01.06 수리 (Accepted) 4-1-2000-0001373-12
3 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2001.07.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2001-0199217-84
4 의견서
Written Opinion		 2001.09.24 수리 (Accepted) 1-1-2001-0243835-11
5 명세서 등 보정서
Amendment to Description, etc.		 2001.09.24 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2001-0243836-56
6 등록결정서
Decision to grant		 2002.03.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2002-0097787-51
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2003.11.19 수리 (Accepted) 4-1-2003-5076055-97
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2004.07.27 수리 (Accepted) 4-1-2004-0031183-30
9 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)		 2007.08.03 수리 (Accepted) 1-1-2007-0566028-31
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2011.09.15 수리 (Accepted) 4-1-2011-5187089-85
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1

실리콘원 가스와 질소원 가스를 1:1000 내지 1:2000의 비율로 박막 성장 시스템에 공급하면서 기판상에 형성되는 박막의 성장속도가 2

2 2

제 1 항에 있어서,

상기 비정질 실리콘 양자점 미세구조가 1

3 3

삭제
4 4

제 1 항에 있어서,

상기 박막 성장 시스템이 화학기상증착법, 분자선 켜쌓기법, 이온 주입법 또는 플라즈마 증진된 화학기상 증착법을 이용한 것임을 특징으로 하는 실리콘 질화물 박막

5 5

제 1 항에 있어서,

상기 실리콘원 가스를 불활성 기체에 1 내지 10%로 희석시켜 사용해 제조된 것임을 특징으로 하는 실리콘 질화물 박막

6 6

제 1 항에 따른 비정질 실리콘 질화물 박막을 포함하는 실리콘 발광 소자

7 7

제 6 항에 있어서,

상기 실리콘 발광소자의 구조가 p형 반도체/절연체/n형 반도체, 금속/절연체/반도체 또는 전도성 고분자/절연체/반도체 접합구조인 것을 특징으로 하는 소자

지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.