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질화처리를 이용한 ｐ-형 질화갈륨계열 박막의 제조방법

  • 기술번호 : KST2015174916
  • 담당센터 : 광주기술혁신센터
  • 전화번호 : 062-360-4654
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 질화처리를 이용한 p-형 질화갈륨계열 박막의 제조방법에 관한 것으로, 좀더 상세하게는 플라즈마를 이용한 질화처리(nitridation)와 급속열처리 (RTA: rapid thermal annealing)를 이용한 고(高)정공농도(high hole concentration)의 p-형 질화갈륨계열의 박막을 제조하는 방법에 관한 것이다. 본 발명의 목적은 고(高)정공농도 및 낮은 비저항을 가지며 전기적으로 매우 우수하고, 또한 p-형 질화갈륨의 정공농도를 1018cm-3 이상으로 유지시킴으로써 접촉장벽(contact barrier)에 관계없이 터널링(tunneling)에 의한 운반자(carrier)의 이동으로 자연스럽게 오믹접촉(ohmic contact)을 구현할 수 있는 p-형 질화갈륨 (GaN)계열의 박막을 제조하는 새로운 방법을 제공함에 있다.본 발명에 의한 Mg이 도핑된 고정공농도의 p-형 질화갈륨 박막은 질소 플라즈마를 이용한 질화처리와 급속열처리(RTA)를 이용하여 제조되었기 때문에, 종래의 급속열처리 만으로 이루어진 박막에 비해 정공농도 증가 및 비저항이 감소되는 우수한 전기적 특성을 지니고 있다.
Int. CL H01L 33/14 (2014.01)
CPC H01L 33/0075(2013.01) H01L 33/0075(2013.01)
출원번호/일자 1019990045136 (1999.10.18)
출원인 광주과학기술원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2000-0062139 (2000.10.25) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보 대한민국  |   1019990009873   |   1999.03.23
법적상태 거절
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1999.10.18)
심사청구항수 7

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 광주과학기술원 대한민국 광주광역시 북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김상우 대한민국 광주광역시북구
2 이지면 대한민국 광주광역시북구
3 안광순 대한민국 광주광역시북구
4 박래만 대한민국 광주광역시북구
5 장자순 대한민국 광주광역시북구
6 박성주 대한민국 광주광역시북구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 박형준 대한민국 서울특별시 서초구 사임당로*길 **, *층 (서초동, 삼호빌딩)(한솔국제특허법률사무소)
2 황이남 대한민국 서울시 송파구 법원로 ***, ****호 (문정동, 대명벨리온지식산업센터)(아시아나국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 1999.10.18 수리 (Accepted) 1-1-1999-0131933-66
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2000.01.06 수리 (Accepted) 4-1-2000-0001373-12
3 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2001.08.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2001-0226448-47
4 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2002.01.07 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2002-0002399-45
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2003.11.19 수리 (Accepted) 4-1-2003-5076055-97
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2004.07.27 수리 (Accepted) 4-1-2004-0031183-30
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2011.09.15 수리 (Accepted) 4-1-2011-5187089-85
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1

화학기상증착법에 의해 p-형 질화갈륨계열의 박막을 제조함에 있어서,

수소를 운반가스로 하여 비스시클로펜타다이닐마그네슘(Cp2Mg) 박막에 도핑하여 박막을 성장시키는 단계와,

상기의 박막을 질소 플라즈마를 이용하여 질화처리하는 단계 및,

질화처리된 박막을 불활성기체 분위기에서 급속열처리하는 단계로 이루어

짐을 특징으로 하는 질화처리를 이용한 p-형 질화갈륨계열 박막의 제조방법

2 2

제 1항에 있어서, 질화처리는 1∼4000 sccm의 질소유입량, 10∼1,000℃의 온도, 10 토르(torr) 이하의 압력조건에서 1분∼120분 동안의 질소 플라즈마를 이용함을 특징으로 하는 질화처리를 이용한 p-형 질화갈륨계열 박막의 제조방법

3 3

제 1항에 있어서, 급속열처리는 불활성기체 분위기에서 500℃∼1,100℃의 온도에서 10초∼60분 동안 수행함을 특징으로 하는 질화처리를 이용한 p-형 질화갈륨계열 박막의 제조방법

4 4

제 1항 또는 제 3항에 있어서, 불활성기체는 질소, 헬륨, 네온 또는 아르곤임을 특징으로 하는 질화처리를 이용한 p-형 질화갈륨계열 박막의 제조방법

5 5

제 1항에 있어서, 질화갈륨계열은 질화갈륨(GaN), 알루미늄 질화갈륨(AlGaN) 또는 인듐 질화갈륨(InGaN) 임을 특징으로 하는 질화처리를 이용한 p-형 질화갈륨계열 박막의 제조방법

6 6

제 1항에 있어서, 박막위의 자연 산화막(native oxide) 및 옥시나이트라이드(oxynitrides)를 제거하기 위하여 p-형 질화갈륨계열 박막을 산용액에 침지시킴을 특징으로 하는 질화처리를 이용한 p-형 질화갈륨계열 박막의 제조방법

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제 6항에 있어서, 산용액은 염산용액, 질산용액 또는 두 용액의 혼합액 임을 특징으로 하는 질화처리를 이용한 p-형 질화갈륨계열 박막의 제조방법

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패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.