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Ⅲ－Ⅴ 질화물계 반도체 발광소자 및 그 제조방법

  • 기술번호 : KST2015173948
  • 담당센터 : 광주기술혁신센터
  • 전화번호 : 062-360-4654
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 Ⅲ-Ⅴ 질화물계 반도체 발광소자 및 그 제조방법에 관하여 개시한다. 본 발명의 발광소자는, AlxGayInZN(0≤x, y, z≤1) 장벽층과 AlxGayInZN(0≤x, y, z≤1) 우물층의 단일 또는 다중양자 우물구조로 이루어지는 활성층을 포함하는 Ⅲ-Ⅴ 질화물계 반도체 발광소자에 있어서, 활성층으로의 원활한 전자 공급과 정공의 가둠 효과가 향상되도록 장벽층에 n형 델타도핑층이 포함되는 것을 특징으로 한다. 본 발명에 의하면, 단일 또는 다중양자 우물구조의 장벽층 사이에 델타도핑층을 삽입함으로써 활성층으로 전자의 공급은 원활하게 할 수 있고 또한 정공의 가둠 효과를 늘임으로써 고휘도의 질화물계 발광소자를 구현할 수 있다. 반도체 발광소자, 다중양자 우물구조, 장벽층, 델타도핑층
Int. CL H01L 33/14 (2014.01)
CPC H01L 33/14(2013.01) H01L 33/14(2013.01) H01L 33/14(2013.01) H01L 33/14(2013.01) H01L 33/14(2013.01) H01L 33/14(2013.01) H01L 33/14(2013.01)
출원번호/일자 1020040099356 (2004.11.30)
출원인 광주과학기술원
등록번호/일자 10-0608928-0000 (2006.07.27)
공개번호/일자 10-2006-0060316 (2006.06.05) 문서열기
공고번호/일자 (20060808) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2004.11.30)
심사청구항수 7

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 광주과학기술원 대한민국 광주광역시 북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 권민기 대한민국 광주 북구
2 박성주 대한민국 광주 북구
3 백성호 대한민국 광주 북구
4 박일규 대한민국 광주 북구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 허진석 대한민국 서울특별시 강남구 강남대로***, **,**층(역삼동, 동희빌딩)(특허법인아주김장리)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 삼성전자주식회사 경기도 수원시 영통구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2004.11.30 수리 (Accepted) 1-1-2004-0563521-11
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2006.03.16 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2006.04.03 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2006-0192395-67
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2006.04.14 수리 (Accepted) 9-1-2006-0024541-04
5 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.		 2006.05.16 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2006-0341373-78
6 의견서
Written Opinion		 2006.05.16 수리 (Accepted) 1-1-2006-0341363-11
7 등록결정서
Decision to grant		 2006.07.18 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2006-0407601-66
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2011.09.15 수리 (Accepted) 4-1-2011-5187089-85
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
n형 AlxGayInZN (0≤x, y, z≤1)으로 이루어지는 하부 접촉층과 p형 AlxGayInZN (0≤x, y, z≤1)으로 이루어지는 상부 접촉층 사이에 개재되되, AlxGayInZN (0≤x, y, z≤1) 장벽층과 AlxGayInZN(0≤x, y, z≤1) 우물층의 다중양자 우물구조로 이루어지는 활성층을 포함하는 Ⅲ-Ⅴ 질화물계 반도체 발광소자에 있어서, 상기 활성층으로의 원활한 전자 공급과 정공의 가둠 효과가 향상되도록 상기 장벽층의 각 주기마다 n형 델타도핑층이 포함되는 것을 특징으로 하는 Ⅲ-Ⅴ 질화물계 반도체 발광소자
2 2
삭제
3 3
제 1항에 따른 Ⅲ-Ⅴ 질화물계 반도체 발광소자의 제조방법에 있어서, 장벽층은: 제1 장벽층을 형성하는 단계와;암모니아 가스 분위기에서 n형 델타도핑 도펀트 소스가스를 유입시켜 상기 제1 장벽층 상에 상기 n형 델타도핑층을 형성하는 단계와;상기 n형 델타도핑층 상에 제2 장벽층을 형성하는 단계를 통하여 제조되는 것을 특징으로 하는 Ⅲ-Ⅴ 질화물계 반도체 발광소자의 제조방법
4 4
제 3항에 있어서, 기판 상에 버퍼층, 중간층 및 n형 하부 접촉층을 순차적으로 형성하는 단계와; 상기 n형 하부 접촉층 상에 상기 제1 장벽층, n형 델타도핑층 및 제2 장벽층을 순차적으로 형성하여 하부 장벽층을 형성하는 단계와; 상기 하부 장벽층 상에 우물층을 형성하는 단계와; 상기 우물층 상에 상기 제1 장벽층, n형 델타도핑층 및 제2 장벽층을 순차적으로 형성하여 상부 장벽층을 형성하는 단계와; 상기 상부 장벽층 상에 p형 상부 접촉층을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 Ⅲ-Ⅴ 질화물계 반도체 발광소자의 제조방법
5 5
제 4항에 있어서, 상기 n형 하부 접촉층과 상기 하부 장벽층 사이에는 n형 클래드층이, 상기 상부 장벽층과 상기 p형 상부 접촉층 사이에는 p형 클래드층이 각각 개재되는 것을 특징으로 하는 Ⅲ-Ⅴ 질화물계 반도체 발광소자의 제조방법
6 6
제 3항에 있어서, 상기 n형 델타도핑 도펀트는 Si, O, Sn 및 Ge 중에서 선택된 어느 하나인 것을 특징으로 하는 Ⅲ-Ⅴ 질화물계 반도체 발광소자의 제조방법
7 7
제 3항에 있어서, 상기 n형 델타도핑 도펀트 소스가스는 사수소화실리콘인 것을 특징으로 하는 Ⅲ-Ⅴ 질화물계 반도체 발광소자의 제조방법
8 8
제 3항에 있어서, 상기 n형 델타도핑층은 유기금속화학기상증착법 또는 분자선 에피탁시를 이용하여 형성하는 것을 특징으로 하는 Ⅲ-Ⅴ 질화물계 반도체 발광소자의 제조방법
9 8
제 3항에 있어서, 상기 n형 델타도핑층은 유기금속화학기상증착법 또는 분자선 에피탁시를 이용하여 형성하는 것을 특징으로 하는 Ⅲ-Ⅴ 질화물계 반도체 발광소자의 제조방법
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