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Ⅲ―Ⅴ 질화물계 반도체 자외선 발광소자의 제조 방법

  • 기술번호 : KST2014013713
  • 담당센터 : 광주기술혁신센터
  • 전화번호 : 062-360-4654
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 Ⅲ-Ⅴ 질화물계 반도체 자외선 발광소자의 제조방법에 관하여 개시한다. 본 발명은, 전계에 의해 자외선 빛의 발광시 p형 상부 접촉층에서의 자외선 빛의 흡수가 최소화되고 단일 또는 다중양자 우물구조의 전도대에서 p형 상부 접촉층의 억셉터 준위로의 전이되는 손실이 최소화되도록, p형 상부 접촉층 성장공정이 진행됨에 따라 p형 도펀트의 양을 증가시키는 것을 특징으로 한다. 본 발명에 의하면, p형 질화갈륨 접촉층에서의 광의 흡수를 최소화할 수 있고, 다중양자 우물의 전도대에서 p형 질화갈륨 접촉층내의 억셉터 준위로 전이되는 손실을 최소화함에 따라 고효율의 자외선 발광소자를 제작할 수 있다. 자외선 발광소자, 다중양자 우물구조, p형 상부 접촉층, 도펀트
Int. CL H01L 33/30 (2014.01) H01L 33/14 (2014.01)
CPC H01L 33/007(2013.01) H01L 33/007(2013.01) H01L 33/007(2013.01) H01L 33/007(2013.01) H01L 33/007(2013.01)
출원번호/일자 1020040101247 (2004.12.03)
출원인 광주과학기술원
등록번호/일자 10-0608929-0000 (2006.07.27)
공개번호/일자 10-2006-0062418 (2006.06.12) 문서열기
공고번호/일자 (20060808) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2004.12.03)
심사청구항수 9

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 광주과학기술원 대한민국 광주광역시 북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 권민기 대한민국 광주 북구
2 박성주 대한민국 광주 북구
3 백성호 대한민국 광주 북구
4 박일규 대한민국 광주 북구
5 김자연 대한민국 광주 북구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 허진석 대한민국 서울특별시 강남구 강남대로***, **,**층(역삼동, 동희빌딩)(특허법인아주김장리)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 일진엘이디(주) 경기도 안산시 단원구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2004.12.03 수리 (Accepted) 1-1-2004-0571148-15
2 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2006.04.03 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2006-0192401-54
3 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.		 2006.05.16 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2006-0341352-19
4 의견서
Written Opinion		 2006.05.16 수리 (Accepted) 1-1-2006-0341345-00
5 등록결정서
Decision to grant		 2006.07.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2006-0412814-02
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2011.09.15 수리 (Accepted) 4-1-2011-5187089-85
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번호 청구항
1 1
n형 AlxGayInZN(0≤x, y, z≤1)으로 이루어지는 하부 접촉층과 p형 AlxGayInZN(0≤x, y, z≤1)으로 이루어지는 상부 접촉층 사이에 개재되되, AlxGayInZN(0≤x, y, z≤1) 장벽층과 AlxGayInZN(0≤x, y, z≤1) 우물층의 단일 또는 다중양자 우물구조로 이루어지는 활성층을 포함하는 Ⅲ-Ⅴ 질화물계 자외선 발광소자의 제조방법에 있어서, 전계에 의해 자외선 빛의 발광시 상기 p형 상부 접촉층에서의 상기 자외선 빛의 흡수가 최소화되고 상기 단일 또는 다중양자 우물구조의 전도대에서 p형 상부 접촉층의 억셉터 준위로의 전이되는 손실이 최소화되도록, 온도, 압력 및 유속 중에서 선택된 적어도 하나를 조절하여 상기 p형 상부 접촉층 성장공정이 진행됨에 따라 p형 도펀트의 양을 증가시키는 것을 특징으로 하는 Ⅲ-Ⅴ 질화물계 반도체 자외선 발광소자의 제조방법
2 2
제 1항에 있어서, 상기 p형 상부 접촉층은 유기금속화학기상증착법 또는 분자선 에피탁시를 이용하여 성장시키는 것을 특징으로 하는 Ⅲ-Ⅴ 질화물계 반도체 자외선 발광소자의 제조방법
3 3
제 1항에 있어서, 상기 상부 접촉층의 두께는 0
4 4
제 1항에 있어서, 상기 도펀트는 비시사이클로펜다이에닐 마그네슘인 것을 특징으로 하는 Ⅲ-Ⅴ 질화물계 반도체 자외선 발광소자의 제조방법
5 5
제 1항에 있어서, 상기 도펀트의 양을 선형적으로 증가시키는 것을 특징으로 하는 Ⅲ-Ⅴ 질화물계 반도체 자외선 발광소자의 제조방법
6 6
제 1항에 있어서, 상기 도펀트의 양을 계단형으로 증가시키는 것을 특징으로 하는 Ⅲ-Ⅴ 질화물계 반도체 자외선 발광소자의 제조방법
7 7
제 1항에 있어서, 상기 도펀트의 양을 지수함수적으로 증가시키는 것을 특징으로 하는 Ⅲ-Ⅴ 질화물계 반도체 자외선 발광소자의 제조방법
8 8
제 1항에 있어서, 상기 도펀트의 양을 불연속적으로 증가시키는 것을 특징으로 하는 Ⅲ-Ⅴ 질화물계 반도체 자외선 발광소자의 제조방법
9 9
제 5항 내지 제 8항 중 어느 한 항에 있어서, 5분 동안 상기 p형 상부 접촉층을 0
10 9
제 5항 내지 제 8항 중 어느 한 항에 있어서, 5분 동안 상기 p형 상부 접촉층을 0
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.