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전착법을 이용한 주석 박막 및 태양전지 광흡수층용 CZTS 기반 박막의 제조방법

  • 기술번호 : KST2015177471
  • 담당센터 : 광주기술혁신센터
  • 전화번호 : 062-360-4654
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 전착법을 이용하여 주석 박막 및 그를 포함하는 CZTS 기반의 태양전지 광흡수층의 제조방법이 개시된다. 이는 주석염과 착화제를 함유하는 수용액을 준비하는 단계와, 수용액에 상대전극과 작업전극으로서의 기판을 침지시킨 후, 상대전극과 작업전극에 전압을 인가하는 단계를 포함하며, 착화제는 EDTA이다.
Int. CL H01L 31/0216 (2014.01) H01L 31/04 (2014.01)
CPC H01L 31/0326(2013.01) H01L 31/0326(2013.01) H01L 31/0326(2013.01) H01L 31/0326(2013.01) H01L 31/0326(2013.01)
출원번호/일자 1020130112114 (2013.09.17)
출원인 전남대학교산학협력단
등록번호/일자 10-1500858-0000 (2015.03.03)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20150312) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2013.09.17)
심사청구항수 6

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 전남대학교산학협력단 대한민국 광주광역시 북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김진혁 대한민국 광주 북구
2 문종하 대한민국 광주 북구
3 케이브이구라브 인도 광주 북구
4 파틸 인도 광주 북구
5 신승욱 대한민국 대전광역시 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인이상 대한민국 서울특별시 서초구 바우뫼로 ***(양재동, 우도빌딩 *층)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 전남대학교산학협력단 대한민국 광주광역시 북구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2013.09.17 수리 (Accepted) 1-1-2013-0853268-33
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.01.02 수리 (Accepted) 4-1-2014-0000058-61
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2014.06.03 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2014.07.10 수리 (Accepted) 9-1-2014-0058046-11
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2014.07.31 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0527082-16
6 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2014.09.30 수리 (Accepted) 1-1-2014-0933766-58
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2014.10.14 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2014-0975401-83
8 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2014.10.14 수리 (Accepted) 1-1-2014-0975400-37
9 등록결정서
Decision to grant		 2015.02.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2015-0143311-16
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.06.08 수리 (Accepted) 4-1-2015-5076218-57
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2016.07.07 수리 (Accepted) 4-1-2016-5093177-51
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2018.03.30 수리 (Accepted) 4-1-2018-5056463-72
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
주석염과 착화제를 함유하는 수용액을 준비하는 단계; 및상기 수용액에 상대전극과 작업전극으로서의 기판을 침지시킨 후, 상기 상대전극과 상기 작업전극에 전압을 인가하는 단계;를 포함하고,상기 착화제는 EDTA를 포함하는 것인,주석 박막 제조방법
2 2
청구항 1에 있어서,상기 수용액은 SnCl4 (H2O) 0
3 3
태양전지 광흡수층용 CZTS(Cu, Zn, Sn, 및 S 또는 Se) 기반 박막의 제조방법으로서:주석염과 착화제인 EDTA를 함유하는 수용액을 준비하는 단계;상기 수용액에 상대전극과 작업전극으로서의 기판을 침지시킨 후, 상기 상대전극과 상기 작업전극에 전압을 인가하는 단계;를 포함하고,상기 기판은 순차로 적층된 후면전극층 및 구리층을 가지는 투명기판이고,Sn박막이 상기 구리층 상에 형성되는 것인,태양전지 광흡수층용 CZTS 기반 박막의 제조방법
4 4
청구항 3에 있어서,상기 수용액은 SnCl4 (H2O) 0
5 5
청구항 4에 있어서,CZTS의 전구체 박막의 잔여요소를 형성함으로서 CZTS 전구체 박막을 형성한 후, 상기 CZTS 전구체 박막을 황화 또는 셀렌화 분위기에서 열처리하는 단계를 더 포함하는 것인,태양전지 광흡수층용 CZTS 기반 박막의 제조방법
6 6
청구항 5에 있어서,상기 황화 또는 셀렌화 열처리 전에, 상기 CZTS 전구체 박막을 소프트 어닐링(soft annealing)하는 단계를 더 포함하고,상기 소프트 어닐링은 250 내지 300℃에서 수행하는 것인,태양전지 광흡수층용 CZTS 기반 박막의 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.