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ＺｎＳ／ＣＩＧＳ 박막태양전지 및 제조방법
- 기술번호 : KST2015114243
- 담당센터 : 대전기술혁신센터
- 전화번호 : 042-610-2279
| 요약 | 본 발명은 용액성장법(chemical bath deposition)으로 성장한 황화아연(ZnS) 버퍼층을 이용하여 고효율 Cu(In,Ga)Se2 (이하 CIGS) 박막태양전지를 제조하는 방법으로서, CIGS 박막 위에 얇은 황화아연 버퍼층을 증착한 후 산화아연(ZnO) 투명전도막을 증착하는 과정에서 스퍼터링에 의한 황화아연과 CIGS 광흡수층의 손상을 최소화하면서 비저항의 증가도 최소화하는 것이다. 이를 위해서 낮은 스퍼터링 파워에서 증착한 얇은 산화아연층과 높은 스퍼터링 파워에서 증착한 두꺼운 산화아연층으로 이루어지는 이중층 산화아연 투명전도막의 구조와 그 제조방법을 제공한다. |
|---|---|
| Int. CL | H01L 31/18 (2006.01) H01L 31/0749 (2012.01) H01L 31/042 (2006.01) |
| CPC | H01L 31/0749(2013.01)H01L 31/0749(2013.01)H01L 31/0749(2013.01) |
| 출원번호/일자 | 1020120037165 (2012.04.10) |
| 출원인 | 한국과학기술원 |
| 등록번호/일자 | 10-1322652-0000 (2013.10.22) |
| 공개번호/일자 | 10-2013-0114826 (2013.10.21) 문서열기 |
| 공고번호/일자 | (20131029) 문서열기 |
| 국제출원번호/일자 | |
| 국제공개번호/일자 | |
| 우선권정보 | |
| 법적상태 | 등록 |
| 심사진행상태 | 발송처리완료 |
| 심판사항 | |
| 구분 | 신규 |
| 원출원번호/일자 | |
| 관련 출원번호 | |
| 심사청구여부/일자 | Y (2012.04.10) |
| 심사청구항수 | 16 |
출원인
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 한국과학기술원 | 대한민국 | 대전광역시 유성구 |
발명자
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 안병태 | 대한민국 | 대전 유성구 |
| 2 | 신동협 | 대한민국 | 대전 유성구 |
대리인
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 황이남 | 대한민국 | 서울시 송파구 법원로 ***, ****호 (문정동, 대명벨리온지식산업센터)(아시아나국제특허법률사무소) |
최종권리자
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 한국과학기술원 | 대전광역시 유성구 |
| 번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | [특허출원]특허출원서 [Patent Application] Patent Application |
2012.04.10 | 수리 (Accepted) | 1-1-2012-0284965-12 |
| 2 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2013.02.01 | 수리 (Accepted) | 4-1-2013-5019983-17 |
| 3 | 선행기술조사의뢰서 Request for Prior Art Search |
2013.06.04 | 수리 (Accepted) | 9-1-9999-9999999-89 |
| 4 | 선행기술조사보고서 Report of Prior Art Search |
2013.07.08 | 수리 (Accepted) | 9-1-2013-0051720-34 |
| 5 | 등록결정서 Decision to grant |
2013.07.31 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2013-0531987-25 |
| 6 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2014.12.24 | 수리 (Accepted) | 4-1-2014-5158129-58 |
| 7 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2014.12.24 | 수리 (Accepted) | 4-1-2014-5157993-01 |
| 8 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2014.12.24 | 수리 (Accepted) | 4-1-2014-5157968-69 |
| 9 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2019.04.24 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5081392-49 |
| 10 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2020.05.15 | 수리 (Accepted) | 4-1-2020-5108396-12 |
| 11 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2020.06.12 | 수리 (Accepted) | 4-1-2020-5131486-63 |
| 번호 | 청구항 |
|---|---|
| 1 |
1 박막태양전지를 성장시키는 기판;상기 기판 위에 형성되는 후면 전극;상기 후면 전극 위에 형성되는 CIGS 광흡수층;상기 광흡수층 위에 형성되는 황화아연(ZnS) 버퍼층; 및상기 버퍼층 위에 형성되는 투명전도막;을 포함하며,상기 투명전도막은 낮은 스퍼터링법으로 증착하는 제 1 산화아연층 및 높은 스퍼터링법으로 증착하는 제 2 산화아연층을 포함하는 ZnS/CIGS 박막태양전지 |
| 2 |
2 제 1항에 있어서,상기 제 1 산화아연층의 스퍼터링 파워는 10 내지 50 W 이하이고,상기 제 2 산화아연층의 스퍼터링 파워는 200 내지 500 W 이상인 것을 특징으로 하는 ZnS/CIGS 박막태양전지 |
| 3 |
3 제 1항에 있어서,상기 제 2 산화아연층은 상기 제 1 산화아연층보다 두껍게 증착하는 것을 특징으로 하는 ZnS/CIGS 박막태양전지 |
| 4 |
4 제 3항에 있어서,상기 제 1 산화아연층은 5 내지 50 nm의 두께로 증착하고,상기 제 2 산화아연층은 150 내지 1000 nm의 두께로 증착하는 것을 특징으로 하는 ZnS/CIGS 박막태양전지 |
| 5 |
5 제 1항에 있어서,상기 버퍼층은 6 내지 8M 농도의 암모니아 반응용액에서 1회의 용액성장법으로 황화아연을 성장하여 형성하는 것을 특징으로 하는 ZnS/CIGS 박막태양전지 |
| 6 |
6 제 5항에 있어서,상기 버퍼층은 10 내지 30 nm의 두께로 형성된 것을 특징으로 하는 ZnS/CIGS 박막태양전지 |
| 7 |
7 제 1항에 있어서,상기 투명전도막은 n형 반도체 특성을 띄는 산화아연으로 형성되는 것을 특징으로 하는 ZnS/CIGS 박막태양전지 |
| 8 |
8 제 7항에 있어서,상기 산화아연은 ZnO:Al 또는 ZnO:Ga인 것을 특징으로 하는 ZnS/CIGS 박막태양전지 |
| 9 |
9 기판 위에 후면전극층을 형성하는 1단계;상기 후면전극층 위에 CIGS 광흡수층을 형성하는 2단계;상기 광흡수층 위에 황화아연 버퍼층을 형성하는 3단계;상기 버퍼층 위에 낮은 스프터링법으로 산화아연을 증착하는 4단계; 및상기 4단계 이후에 높은 스퍼터링법으로 산화아연을 증착하는 5단계;를 포함하는 ZnS/CIGS 박막태양전지 제조방법 |
| 10 |
10 제 9항에 있어서,상기 4단계의 스퍼터링 파워는 10 내지 50 W 이고,상기 5단계의 스퍼터링 파워는 200 내지 500 W 인 것을 특징으로 하는 ZnS/CIGS 박막태양전지 제조방법 |
| 11 |
11 제 10항에 있어서,상기 5단계의 산화아연층은 상기 4단계의 산화아연층보다 두껍게 증착하는 것을 특징으로 하는 ZnS/CIGS 박막태양전지 제조방법 |
| 12 |
12 제 11항에 있어서,상기 4단계의 산화아연층은 5 내지 50 nm 의 두께로 증착하고,상기 5단계의 산화아연층은 150 내지 1000 nm 의 두께로 증착하는 것을 특징으로 하는 ZnS/CIGS 박막태양전지 제조방법 |
| 13 |
13 제 9항에 있어서,상기 3단계는 6 내지 8M 농도의 암모니아 반응용액에서 1회의 용액성장법으로 황화아연을 성장하여 버퍼층을 형성하는 것을 특징으로 하는 ZnS/CIGS 박막태양전지 제조방법 |
| 14 |
14 제 13항에 있어서,상기 버퍼층은 10 내지 30 nm의 두께로 형성된 것을 특징으로 하는 ZnS/CIGS 박막태양전지 제조방법 |
| 15 |
15 제 9항에 있어서,상기 4단계 및 5단계의 산화아연은 n형 반도체 특성을 띄는 산화아연인 것을 특징으로 하는 ZnS/CIGS 박막태양전지 제조방법 |
| 16 |
16 제 15항에 있어서,상기 산화아연은 ZnO:Al 또는 ZnO:Ga인 것을 특징으로 하는 ZnS/CIGS 박막태양전지 제조방법 |
| 지정국 정보가 없습니다 |
|---|
| 패밀리정보가 없습니다 |
|---|
| 국가 R&D 정보가 없습니다. |
|---|
- 본 등록정보는 참고용으로 법적증빙자료로 사용할 수 없습니다.
- 데이터 이관에 따른 소요기간(1일)으로 인하여 등록원부와 일부 차이가 발생할 수 있으며, 일부 정보(부기, 상세 주소 등)를 제공하지 않고 있습니다.
- 법적증빙자료로 활용하시거나 더 자세한 정보를 보시려면 등록원부를 발급받아 사용하시기 바랍니다.
| 특허 등록번호 | 10-1322652-0000 |
|---|
권리란
| 표시번호 | 사항 |
|---|---|
| 1 |
출원 연월일 : 20120410 출원 번호 : 1020120037165 공고 연월일 : 20131029 공고 번호 : 특허결정(심결)연월일 : 20130731 청구범위의 항수 : 16 유별 : H01L 31/0749 발명의 명칭 : ＺｎＳ／ＣＩＧＳ 박막태양전지 및 제조방법 존속기간(예정)만료일 : |
특허권자란
| 순위번호 | 사항 |
|---|---|
| 1 |
(권리자) 한국과학기술원 대전광역시 유성구... |
등록료란
| 제 1 - 3 년분 | 금 액 | 334,500 원 | 2013년 10월 23일 | 납입 |
| 제 4 년분 | 금 액 | 274,400 원 | 2016년 10월 04일 | 납입 |
| 제 5 년분 | 금 액 | 274,400 원 | 2017년 09월 28일 | 납입 |
| 제 6 년분 | 금 액 | 196,000 원 | 2018년 10월 02일 | 납입 |
| 제 7 년분 | 금 액 | 354,000 원 | 2019년 10월 01일 | 납입 |
| 제 8 년분 | 금 액 | 354,000 원 | 2020년 09월 25일 | 납입 |
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- 정확한 서류를 확인하시려면 해당 웹사이트에서 조회하시기 바랍니다. (특허로 바로가기: http://www.patent.go.kr)
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| 번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | [특허출원]특허출원서 | 2012.04.10 | 수리 (Accepted) | 1-1-2012-0284965-12 |
| 2 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2013.02.01 | 수리 (Accepted) | 4-1-2013-5019983-17 |
| 3 | 선행기술조사의뢰서 | 2013.06.04 | 수리 (Accepted) | 9-1-9999-9999999-89 |
| 4 | 선행기술조사보고서 | 2013.07.08 | 수리 (Accepted) | 9-1-2013-0051720-34 |
| 5 | 등록결정서 | 2013.07.31 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2013-0531987-25 |
| 6 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2014.12.24 | 수리 (Accepted) | 4-1-2014-5158129-58 |
| 7 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2014.12.24 | 수리 (Accepted) | 4-1-2014-5157993-01 |
| 8 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2014.12.24 | 수리 (Accepted) | 4-1-2014-5157968-69 |
| 9 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2019.04.24 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5081392-49 |
| 10 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2020.05.15 | 수리 (Accepted) | 4-1-2020-5108396-12 |
| 11 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2020.06.12 | 수리 (Accepted) | 4-1-2020-5131486-63 |
| 기술정보가 없습니다 |
|---|
| 과제고유번호 | 1345199602 |
|---|---|
| 세부과제번호 | 2008-0061894 |
| 연구과제명 | 고효율 무기박막태양전지 연구센터 |
| 성과구분 | 등록 |
| 부처명 | 미래창조과학부 |
| 연구관리전문기관명 | |
| 연구주관기관명 | |
| 성과제출연도 | 2013 |
| 연구기간 | 200809~201502 |
| 기여율 | 1 |
| 연구개발단계명 | 기초연구 |
| 6T분류명 | ET(환경기술) |
| 과제고유번호 | 1345177324 |
|---|---|
| 세부과제번호 | 2012-0001167 |
| 연구과제명 | 진공증발법 고효율 CIGS 박막태양전지 개발 |
| 성과구분 | 출원 |
| 부처명 | 교육과학기술부 |
| 연구관리전문기관명 | 한국연구재단 |
| 연구주관기관명 | 한국과학기술원 |
| 성과제출연도 | 2012 |
| 연구기간 | 201203~201502 |
| 기여율 | 1 |
| 연구개발단계명 | 기초연구 |
| 6T분류명 | ET(환경기술) |
특허성과
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