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틴이 도핑된 인듐 설파이드 박막의 제조방법 및 이를 버퍼층으로 이용한 ＣＩＧＳ 박막태양전지의 제조방법

  • 기술번호 : KST2015116325
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 CIGS 박막 태양전지에서 무(無)카드뮴 버퍼층으로 인듐 설파이드(In2S3) 층을 이용하는 태양전지에 관한 것으로, 용액 성장법을 이용하여 성장하는 버퍼층에 있어서 틴(Sn)이 도핑된 인듐 설파이드 박막을 적층하는 방법 및 이로부터 제조되는 태양전지에 관한 것이다.본 발명은 틴이 도핑된 인듐 설파이드 박막은 높은 광 투과도를 가지면서 우수한 전기 전도도를 가지게 되고, CIGS와 인듐 설파이드 계면에서 전도대의 에너지 장벽을 낮춤으로써 재결합 손실을 줄이는 등으로 태양전지의 광전기적 특성을 향상시킬 수 있다.
Int. CL H01L 31/18 (2006.01) H01L 31/0749 (2012.01)
CPC H01L 31/0749(2013.01) H01L 31/0749(2013.01) H01L 31/0749(2013.01)
출원번호/일자 1020130052430 (2013.05.09)
출원인 한국과학기술원
등록번호/일자 10-1484156-0000 (2015.01.13)
공개번호/일자 10-2014-0132987 (2014.11.19) 문서열기
공고번호/일자 (20150128) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2013.05.09)
심사청구항수 18

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 안병태 대한민국 대전 유성구
2 권혁상 대한민국 대전 유성구
3 에쌈 에이 알아미르 사우디아라비아 사우디아라비아 리야드 ****
4 김지혜 대한민국 대전 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인충현 대한민국 서울특별시 서초구 동산로 **, *층(양재동, 베델회관)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대한민국 대전광역시 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2013.05.09 수리 (Accepted) 1-1-2013-0410437-30
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2014.02.05 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2014.03.10 수리 (Accepted) 9-1-2014-0018057-97
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2014.06.12 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0401094-43
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2014.08.05 수리 (Accepted) 1-1-2014-0738546-46
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2014.08.05 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2014-0738561-21
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157993-01
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5158129-58
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157968-69
10 등록결정서
Decision to grant		 2014.12.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0890503-62
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.04.24 수리 (Accepted) 4-1-2019-5081392-49
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.05.15 수리 (Accepted) 4-1-2020-5108396-12
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.06.12 수리 (Accepted) 4-1-2020-5131486-63
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
(b1) 틴 전구체, 인듐 전구체, 황 전구체를 포함하는 수용액을 수득하는 단계;(b2) 상기 수용액의 수소 이온 농도(pH)가 2-2
2 2
제1항에 있어서, 상기 틴 전구체는 틴 클로라이드(SnCl2), 틴 클로라이드 다이하이드레이트(SnCl2·2H2O), 틴 클로라이드 펜타하이드레이트(SnCl4·5H2O) 중에서 선택된 1종 이상인 것을 특징으로 하는 틴 도핑 인듐 설파이드 박막의 제조방법
3 3
제2항에 있어서, 상기 인듐 전구체는 인듐 클로라이드, 인듐 클로라이드 하이드레이트, 인듐 설페이트 중에서 선택된 1종 이상인 것을 특징으로 하는 틴 도핑 인듐 설파이드 박막의 제조방법
4 4
제3항에 있어서, 상기 황 전구체는 티오아세트아미드, 티우레아, 소디윰 티오설페이트 중에서 선택된 1종 이상인 것을 특징으로 하는 틴 도핑 인듐 설파이드 박막의 제조방법
5 5
제4항에 있어서, 상기 수소 이온 농도는 아세트산, 염산 중에서 선택된 1종 이상의 산으로 조절하는 것을 특징으로 하는 틴 도핑 인듐 설파이드 박막의 제조방법
6 6
제5항에 있어서, 상기 수용액 내 상기 틴 전구체의 농도는 1x10-4M 내지 1x10-3 M인 것을 특징으로 하는 틴 도핑 인듐 설파이드 박막의 제조방법
7 7
제6항에 있어서, 상기 수용액 내 상기 틴 전구체와 상기 인듐 전구체는 0
8 8
제7항에 있어서, 상기 수용액 내 상기 황 전구체의 농도는 0
9 9
제8항에 있어서, 상기 (b3) 단계에서 상기 침지는 상기 수용액에 상기 CIGS 광흡수층이 형성된 기판을 수직으로 침지함으로써 수행되는 것을 특징으로 하는 틴 도핑 인듐 설파이드 박막의 제조방법
10 10
제9항에 있어서, 상기 수용액의 교반은 상기 수용액을 65-75 ℃로 유지하면서 수행되는 것을 특징으로 하는 틴 도핑 인듐 설파이드 박막의 제조방법
11 11
삭제
12 12
삭제
13 13
(a) 기판 위에 CIGS 광흡수층을 형성하여 CIGS 광흡수층이 형성된 기판을 얻는 단계,(b) 상기 CIGS 광흡수층 위에 틴이 도핑된 인듐 설파이드 박막 버퍼층을 형성하는 단계,(c) 상기 틴이 도핑된 인듐 설파이드 박막 버퍼층 위에 산화 아연 투면 전도막 및 n형 투명 전도막을 적층하는 단계를 포함하는 CIGS 박막 태양전지의 제조방법으로서;상기 (b) 단계는 하기 단계를 포함하는 용액 성장법에 의해 수행되고;(b1) 틴 전구체, 인듐 전구체, 황 전구체를 포함하는 수용액을 수득하는 단계;(b2) 상기 수용액의 수소 이온 농도(pH)가 2-2
14 14
제13항에 있어서, 상기 틴 전구체는 틴 클로라이드(SnCl2), 틴 클로라이드 다이하이드레이트(SnCl2·2H2O), 틴 클로라이드 펜타하이드레이트(SnCl4·5H2O) 중에서 선택된 1종 이상이고;상기 인듐 전구체는 인듐 클로라이드, 인듐 클로라이드 하이드레이트, 인듐 설페이트 중에서 선택된 1종 이상이며;상기 황 전구체는 티오아세트아미드, 티우레아, 소디윰 티오설페이트 중에서 선택된 1종 이상이고;상기 수소 이온 농도는 아세트산, 염산 중에서 선택된 1종 이상의 산으로 조절하는 것을 특징으로 하는 CIGS 박막 태양전지의 제조방법
15 15
제14항에 있어서, 상기 수용액 내 상기 틴 전구체의 농도는 1x10-4 M 내지 1x10-3 M이고;상기 수용액 내 상기 틴 전구체와 상기 인듐 전구체는 0
16 16
제15항에 있어서, 상기 (b3) 단계에서 상기 침지는 상기 수용액에 상기 CIGS 광흡수층이 형성된 기판을 수직으로 침지함으로써 수행되고;상기 수용액의 교반은 상기 수용액을 65-75 ℃로 유지하면서 수행하고;또한 상기 수용액의 교반은 불균일 석출이 반응이 일어나기 시작한 후부터 5-10 분 동안 수행하는 것을 특징으로 하는 CIGS 박막 태양전지의 제조방법
17 17
제16항에 있어서, 상기 (b3) 단계는 ① 상기 불균일 석출이 반응이 일어나기 시작한 때로부터 5-10 분 후 상기 기판을 상기 수용액으로부터 꺼내거나 또는 ② 상기 수용액의 온도를 50-60 ℃로 낮춤으로써 종료하는 것을 특징으로 하는 CIGS 박막 태양전지의 제조방법
18 18
제1항 내지 제10항 중 어느 한 항에 따라 제조된 틴 도핑 인듐 설파이드 박막
19 19
제18항에 있어서, 상기 틴 도핑 인듐 설파이드 박막의 두께는 40-50 nm인 것을 특징으로 하는 틴 도핑 인듐 설파이드 박막
20 20
제13항 내지 제17항 중 어느 한 항에 따라 제조된 CIGS 박막 태양전지
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.