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SILAR법을 이용한 CZTS 기반 광흡수 박막 제조방법 및 그를 포함하는 태양전지

  • 기술번호 : KST2015177515
  • 담당센터 : 광주기술혁신센터
  • 전화번호 : 062-360-4654
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 SILAR법을 이용하여 CZTS 기반 광흡수 박막을 제조하는 방법이 개시된다. 이는 (a) 기판을 구리염, 아연염, 및 주석염을 포함하는 양이온 용액에 침지시키는 단계와, (b) 단계 (a)를 통과한 기판을 1차 세정하는 단계와, (c) 단계 (b)를 통과한 기판을 황염을 포함하는 음이온 용액에 침지시키는 단계와, (d) 단계 (d)를 통과한 기판을 2차 세정하는 단계를 포함한다. 이러한 싸이클을 소정 횟수 반복한 후, 건조와 열처리를 수행하여 CZTS 박막을 제조한다.
Int. CL H01L 31/18 (2006.01) H01L 31/04 (2014.01)
CPC H01L 31/0326(2013.01) H01L 31/0326(2013.01) H01L 31/0326(2013.01) H01L 31/0326(2013.01) H01L 31/0326(2013.01)
출원번호/일자 1020130112071 (2013.09.17)
출원인 전남대학교산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2015-0032436 (2015.03.26) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 거절
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2013.09.17)
심사청구항수 10

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 전남대학교산학협력단 대한민국 광주광역시 북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김진혁 대한민국 광주 북구
2 이정용 대한민국 대전 유성구
3 문종하 대한민국 광주 북구
4 신승욱 대한민국 대전광역시 유성구
5 마훼시 인도 광주 북구
6 파틸 인도 광주 북구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인이상 대한민국 서울특별시 서초구 바우뫼로 ***(양재동, 우도빌딩 *층)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2013.09.17 수리 (Accepted) 1-1-2013-0853087-76
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.01.02 수리 (Accepted) 4-1-2014-0000058-61
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2014.07.22 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2014.08.08 수리 (Accepted) 9-1-2014-0065915-47
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2015.01.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2015-0045485-75
6 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2015.04.06 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2015-0229482-09
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.06.08 수리 (Accepted) 4-1-2015-5076218-57
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2016.07.07 수리 (Accepted) 4-1-2016-5093177-51
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2018.03.30 수리 (Accepted) 4-1-2018-5056463-72
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
CZTS 기반 광흡수 박막의 제조방법으로서:(a) 기판을 구리염, 아연염, 및 주석염을 포함하는 양이온 용액에 침지시키는 단계;(b) 상기 단계 (a)를 통과한 기판을 1차 세정하는 단계;(c) 상기 단계 (b)를 통과한 기판을 황염 또는 셀렌염을 포함하는 음이온 용액에 침지시키는 단계; 및(d) 상기 단계 (d)를 통과한 기판을 2차 세정하는 단계;를 포함하는,CZTS 기반 광흡수 박막의 제조방법
2 2
청구항 1에 있어서,상기 양이온 용액은 착화제를 더 포함하는 것인,CZTS 기반 광흡수 박막의 제조방법
3 3
청구항 2에 있어서,상기 단계 (a) 내지 (d)로 이루어진 싸이클을 소정횟수 반복하는 것인,CZTS 기반 광흡수 박막의 제조방법
4 4
청구항 3에 있어서,상기 싸이클 또는 상기 싸이클 반복에 의해 상기 기판 상에 형성된 전구체 박막을 소정 온도 범위에서 건조시키는 단계와,상기 건조 후, 황화 또는 셀렌화 분위기에서 열처리하는 단계를 더 포함하는 것인,CZTS 기반 광흡수 박막의 제조방법
5 5
청구항 4에 있어서,상기 1차 및 2차 세정은 물을 이용하는 것인,태양전지 제조방법
6 6
청구항 5에 있어서,상기 양이온 용액, 상기 음이온 용액, 상기 1차 세정을 위한 세정수, 및 상기 2차 세정을 위한 세정수는 각각 별도의 용기에 수용되는 것인,태양전지 제조방법
7 7
CZTS 기반 광흡수 박막의 제조방법으로서:적어도 하나의 용기에 수용된 구리염, 아연염, 및 주석염을 포함하는 양이온 용액, 적어도 하나의 용기에 수용된 황염 또는 셀렌염을 포함하는 음이온 용액, 적어도 하나의 용기에 수용된 1차 세정수, 및 적어도 하나의 용기에 수용된 2차 세정수를 준비하고,기판을 상기 양이온 용액 및 상기 음이온 용액에 순차로 침지시키되, 상기 양이온 용액의 침지와 상기 음이온 용액의 침지 사이에 상기 1차 세정수를 이용한 세정을 수행하고, 상기 음이온 용액의 침지와 상기 양이온 용액의 침지 사이에 상기 2차 세정수를 이용한 세정을 수행하도록 이루어진 공정 싸이클을 소정 횟수 반복하는,CZTS 기반 광흡수 박막의 제조방법
8 8
청구항 7에 있어서,상기 양이온 용액이 수용된 용기에는 착화제가 더 포함되는 것인,CZTS 기반 광흡수 박막의 제조방법
9 9
청구항 7에 있어서,상기 1차 세정수 및 상기 2차 세정수는 물인 것인,CZTS 기반 광흡수 박막의 제조방법
10 10
선행하는 청구항 중 어느 하나의 항으로 제조된 CZTS 박막을 광흡수층으로 채용한 태양전지
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.