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기판;
상기 기판 상에 성장된 반도체층;
상기 반도체층에 포함된 Si 도핑농도가 다른 층;
상기 Si 도핑농도가 다른 층의 하부에 형성된 에어갭;
상기 에어갭의 상부와 연결된 공간으로서,
상기 Si 도핑농도가 다른 층이 식각되어 형성된 에어면;
상기 에어면 위에 성장된 발광층; 및
상기 에어면의 불연속 부분위에 성장된 발광층;을 포함하는 발광소자
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2
기판;
상기 기판 상에 성장된 반도체층;
상기 반도체층에 포함된 Si 도핑농도가 다른 층;
상기 Si 도핑농도가 다른 층의 하부에 형성된 에어갭;
상기 에어갭의 상부와 맞닿아 상기 반도체층을 통과하는 구멍에 연결되어 상기 반도체층의 상부에 형성된 입구;
상기 Si 도핑농도가 다른 층이 식각되어 형성된 에어면;
상기 에어면 부분위에 성장된 발광층; 및
상기 에어면의 불연속 부분 위에 성장된 발광층;을 포함하는 발광소자
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3
제1항 또는 제2항에 있어서,
상기 에어갭의 수직단면에 직각으로 형성된 에어면이 다층인 것을 특징으로 하는 발광소자
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4
제1항 또는 제2항에 있어서,
상기 에어면의 상부로부터 p층의 상부면까지의 두께가 서브마이크론 이하인 것을 특징으로 하는 발광소자
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5
제1항 또는 제2항에 있어서,
상기 에어면 위에 성장된 발광층과,
상기 에어면의 불연속 부분 위에 성장된 발광층의 인듐조성비가 다른 것을 특징으로 하는 발광소자
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6
기판을 준비하는 단계;
상기 기판 상에 패턴용 박막층을 형성하는 단계;
상기 패턴용 박막층에 식각유도용 패턴과, 이에 연결된 에어갭용 패턴을 형성하는 단계;
상기 패턴 상에 Si 도핑농도가 다른 층이 삽입된 반도체층을 형성하는 단계;
상기 반도체층상에 노출된 식각 유도용 패턴과, 상기 식각유도용 패턴과 연결되며 반도체층의 하부에 형성된 에어갭용 패턴을 습식식각하여 에어갭을 형성하는 단계;
상기 에어갭을 따라 전기화학적 식각을 이용하여 측방으로 Si 도핑농도가 다른 층을 따라서 에어면을 형성하는 단계; 및
상기 반도체 층위에 발광층을 형성하는 단계;를 포함하는 발광소자의 제조방법
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7
기판을 준비하는 단계;
상기 기판 상에 식각유도용 패턴을 형성하는 단계;
상기 패턴 상에 Si 도핑농도가 다른 층이 삽입된 반도체층을 형성하는 단계;
상기 반도체층에 형성된 구멍 하부에 위치한 식각유도용 패턴을 습식식각용액으로 식각하는 단계;
상기 식각유도용 패턴의 식각에 의해 노출된 Si 도핑농도가 다른 층을 따라서 전기화학적 식각을 이용하여 측방으로 에어면을 형성하는 단계;와
상기 반도체 층위에 발광층을 형성하는 단계;를 포함하는 발광소자의 제조방법
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8
기판을 준비하는 단계;
상기 기판 상에 패턴용 박막층을 형성하는 단계;
상기 패턴용 박막층에 에어갭용 패턴을 형성하는 단계;
상기 패턴 상에 Si 도핑농도가 다른 층이 삽입된 반도체층을 형성하는 단계;
상기 반도체층상에 마스크를 설치하고 건식식각하여 노출된 반도체층 하부의 에어갭용 패턴을 습식식각하여 에어갭을 형성하는 단계;
상기 에어갭을 따라 전기화학적 식각을 이용하여 측방으로 Si도핑 농도가 다른 층을 따라서 에어면을 형성하는 단계; 및
상기 반도체 층위에 발광층을 형성하는 단계;를 포함하는 발광소자의 제조방법
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제6항 또는 제8항에 있어서,
상기 에어갭용 패턴을 습식식각하여 에어갭을 형성하는 단계가,
상기 반도체층상에 노출된 식각유도용 패턴과, 상기 식각유도용 패턴과 연결되며 반도체층의 하부에 형성된 에어갭용 패턴을 습식식각하는 단계;와
상기 에어갭용 패턴이 습식식각된 공간을 따라 반도체층을 습식식각하여 에어갭을 형성하는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 발광소자의 제조방법
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