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ＣＩＧＳ 태양 전지 및 그 제조 방법

기술번호 : KST2015180742
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약	본 발명의 일 실시예는 CIGS 태양 전지 및 그 제조 방법에 관한 것으로, 해결하고자 하는 기술적 과제는 원자층 증착 장비를 이용하여 광흡수층을 표면 개질 처리할 뿐만 아니라, 버퍼층 및 전극까지 증착함으로써, 광변환 효율을 향상시키고 제조 공정을 단순화할 수 있는 CIGS 태양 전지 및 그 제조 방법을 제공하는데 있다.이를 위해 본 발명은 기판에 후면 전극 및 광흡수층을 증착하는 단계; 상기 광흡수층에 표면 개질층을 증착하는 단계; 상기 표면 개질층에 버퍼층을 증착하는 단계; 및 상기 버퍼층에 전면 전극을 증착하는 단계를 포함하는 CIGS 태양 전지의 제조 방법 및 이에 따른 CIGS 태양 전지를 개시한다.
Int. CL	H01L 31/18 (2006.01) H01L 31/04 (2014.01)
CPC	H01L 31/0322(2013.01) H01L 31/0322(2013.01) H01L 31/0322(2013.01)
출원번호/일자	1020130164020 (2013.12.26)
출원인	충남대학교산학협력단
등록번호/일자	10-1540939-0000 (2015.07.27)
공개번호/일자	10-2015-0075756 (2015.07.06) 문서열기
공고번호/일자	(20150803) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태	등록
심사진행상태	수리
심판사항
구분	신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자	Y (2013.12.26)
심사청구항수	11

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호	이름	국적	주소
1	충남대학교산학협력단	대한민국	대전광역시 유성구

발명자

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번호	이름	국적	주소
1	장효식	대한민국	대전 유성구

대리인

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번호	이름	국적	주소
1	김호종	대한민국	서울특별시 강남구 테헤란로길 -, *층 (역삼동, 신도빌딩)(태산특허법률사무소)

최종권리자

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번호	이름	국적	주소
1	충남대학교산학협력단	대한민국	대전광역시 유성구

번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호	서류명	접수/발송일자	처리상태	접수/발송번호
1	[특허출원]특허출원서 [Patent Application] Patent Application	2013.12.26	수리 (Accepted)	1-1-2013-1189956-18
2	보정요구서 Request for Amendment	2014.01.09	발송처리완료 (Completion of Transmission)	1-5-2014-0003843-56
3	[출원서등 보정]보정서 [Amendment to Patent Application, etc.] Amendment	2014.02.10	수리 (Accepted)	1-1-2014-0129401-17
4	의견제출통지서 Notification of reason for refusal	2014.11.27	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2014-0819220-47
5	[명세서등 보정]보정서 [Amendment to Description, etc.] Amendment	2015.01.27	보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment)	1-1-2015-0085777-82
6	[거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 [Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)	2015.01.27	수리 (Accepted)	1-1-2015-0085772-54
7	등록결정서 Decision to grant	2015.06.29	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2015-0432477-87
8	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2015.09.01	수리 (Accepted)	4-1-2015-5116889-90
9	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2015.09.01	수리 (Accepted)	4-1-2015-5116888-44

번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호	청구항
1	1 기판에 후면 전극 및 광흡수층을 증착하는 단계;상기 광흡수층에 표면 개질층을 증착하는 단계;상기 표면 개질층에 버퍼층을 증착하는 단계; 및상기 버퍼층에 전면 전극을 증착하는 단계를 포함하며,상기 표면 개질층을 증착하는 단계는 원자층 증착 장비에 의해 상기 광흡수층의 표면에 Ga이 1층 내지 5층으로 증착되어 이루어짐을 특징으로 하는 CIGS 태양 전지의 제조 방법
2	2 제 1 항에 있어서,상기 표면 개질층을 증착하는 단계는 원자층 증착 장비에 의해 이루어짐을 특징으로 하는 CIGS 태양 전지의 제조 방법
3	3 제 1 항에 있어서,상기 버퍼층을 증착하는 단계는 원자층 증착 장비에 의해 상기 표면 개질층의 표면에 ZnO, ZnOS 또는 ZnOH가 증착되어 이루어짐을 특징으로 하는 CIGS 태양 전지의 제조 방법
4	4 제 1 항에 있어서,상기 전면 전극을 증착하는 단계는 원자층 증착 장비에 의해 상기 버퍼층의 표면에 GZO가 증착되어 이루어짐을 특징으로 하는 CIGS 태양 전지의 제조 방법
5	5 제 1 항에 있어서,상기 전면 전극을 증착하는 단계는 원자층 증착 장비에 의해 상기 버퍼층의 표면에 AZO가 증착되고, 이어서 GZO가 증착되어 이루어짐을 특징으로 하는 CIGS 태양 전지의 제조 방법
6	6 제 5 항에 있어서,상기 AZO의 내부 또는 상기 AZO와 GZO의 계면에 원자층 증착 장비에 의해 Ag가 더 증착됨을 특징으로 하는 CIGS 태양 전지의 제조 방법
7	7 기판;상기 기판에 증착된 후면 전극;상기 후면 전극에 증착된 광흡수층;상기 광흡수층에 증착된 표면 개질층;상기 표면 개질층에 증착된 버퍼층; 및상기 버퍼층에 증착된 전면 전극을 포함하며,상기 표면 개질층은 Ga이 1층 내지 5층으로 증착되어 이루어짐을 특징으로 하는 CIGS 태양 전지
8	8 삭제
9	9 제 7 항에 있어서,상기 버퍼층은 ZnO, ZnOS 또는 ZnOH가 증착되어 이루어짐을 특징으로 하는 CIGS 태양 전지
10	10 제 7 항에 있어서,상기 전면 전극은 GZO가 증착되어 이루어짐을 특징으로 하는 CIGS 태양 전지
11	11 제 7 항에 있어서,상기 전면 전극은 AZO가 증착되고, 이어서 GZO가 증착되어 이루어짐을 특징으로 하는 CIGS 태양 전지
12	12 제 11 항에 있어서,상기 AZO의 내부 또는 상기 AZO와 GZO의 계면에 Ag가 더 증착됨을 특징으로 하는 CIGS 태양 전지

본 등록정보는 참고용으로 법적증빙자료로 사용할 수 없습니다.
데이터 이관에 따른 소요기간(1일)으로 인하여 등록원부와 일부 차이가 발생할 수 있으며, 일부 정보(부기, 상세 주소 등)를 제공하지 않고 있습니다.
법적증빙자료로 활용하시거나 더 자세한 정보를 보시려면 등록원부를 발급받아 사용하시기 바랍니다.

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특허 등록번호	10-1540939-0000

권리란

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표시번호	사항
1	출원 연월일 : 20131226 출원 번호 : 1020130164020 공고 연월일 : 20150803 공고 번호 : 특허결정(심결)연월일 : 20150629 청구범위의 항수 : 11 유별 : H01L 31/04 발명의 명칭 : ＣＩＧＳ 태양 전지 및 그 제조 방법 존속기간(예정)만료일 :

특허권자란

순위번호, 사항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 등록사항 > 특허권자란 표입니다.
순위번호	사항
1	(권리자) 충남대학교산학협력단 대전광역시 유성구...

등록료란

순위번호, 사항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 등록사항 > 등록료란 표입니다.
제 1 - 3 년분	금 액	237,000 원	2015년 07월 28일	납입
제 4 년분	금 액	141,000 원	2018년 06월 22일	납입
제 5 년분	금 액	141,000 원	2019년 06월 28일	납입
제 6 년분	금 액	141,000 원	2020년 06월 26일	납입

본 '원본보기 서비스'는 참고용이므로, 일부 오류 및 누락이 발생할 수 있습니다.
정확한 서류를 확인하시려면 해당 웹사이트에서 조회하시기 바랍니다. (특허로 바로가기: http://www.patent.go.kr)
해당 서비스는 점검으로 인해 매주 일요일 00:00 ~ 02:00까지 이용이 중단됩니다.

번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송번호의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 통합행정정보 > 등록료란 표입니다.
번호	서류명	접수/발송일자	처리상태	접수/발송번호
1	[특허출원]특허출원서	2013.12.26	수리 (Accepted)	1-1-2013-1189956-18
2	보정요구서	2014.01.09	발송처리완료 (Completion of Transmission)	1-5-2014-0003843-56
3	[출원서등 보정]보정서	2014.02.10	수리 (Accepted)	1-1-2014-0129401-17
4	의견제출통지서	2014.11.27	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2014-0819220-47
5	[명세서등 보정]보정서	2015.01.27	보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment)	1-1-2015-0085777-82
6	[거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서	2015.01.27	수리 (Accepted)	1-1-2015-0085772-54
7	등록결정서	2015.06.29	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2015-0432477-87
8	출원인정보변경(경정)신고서	2015.09.01	수리 (Accepted)	4-1-2015-5116889-90
9	출원인정보변경(경정)신고서	2015.09.01	수리 (Accepted)	4-1-2015-5116888-44

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