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제1 도전성 타입의 기판을 준비하는 기판 준비 단계와,상기 기판의 전면(front surface)에 위치하는 제2 도전성 타입의 에미터층을 형성하는 에미터층 형성 단계와,상기 기판의 후면에 Al2O3막인 패시베이션막을 형성하는 패시베이션막 형성 단계와,상기 패시베이션막의 후면에 질소 플라즈마 처리를 하는 질소 플라즈마 처리 단계와, 상기 패시베이션막의 후면에 배리어막을 형성하는 배리어막 형성 단계와,상기 패시베이션막과 상기 배리어막의 일부를 제거하여 상기 기판 후면의 컨택 영역을 노출시키는 컨택 영역 형성 단계 및 상기 배리어막의 후면에 형성되며 상기 기판의 후면과 전기적으로 연결되는 후면 전극을 형성하는 후면 전극 형성 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 태양 전지 제조 방법
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제 1 항에 있어서,상기 질소 플라즈마 처리 단계는 상기 패시베이션막의 후면을 포함하는 영역에 AlON 결합을 형성하는 것을 특징으로 하는 태양 전지 제조 방법
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제 2 항에 있어서,상기 AlON 결합은 후면으로부터 내부로 들어갈수록 감소하는 것을 특징으로 하는 태양 전지 제조 방법
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제 3 항에 있어서,상기 AlON 결합은 상기 패시베이션막의 후면으로부터 5 ~ 30 nm의 깊이에 형성되는 것을 특징으로 하는 태양 전지 제조 방법
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제1 도전성 타입의 기판을 준비하는 기판 준비 단계와,상기 기판의 전면(front surface)에 위치하는 제2 도전성 타입의 에미터층을 형성하는 에미터층 형성 단계와,상기 기판의 후면에 Al2O3막인 패시베이션막을 형성하는 패시베이션막 형성 단계와,상기 패시베이션막의 후면에 질화알루미늄막을 형성하는 질화알루미늄막 형성 단계와,상기 패시베이션막 및 상기 질화알루미늄막의 일부를 제거하여 상기 기판 후면의 컨택 영역을 노출시키는 컨택 영역 형성 단계 및상기 질화알루미늄막의 후면에 형성되며 상기 기판의 후면과 전기적으로 연결되는 후면 전극을 형성하는 후면 전극 형성 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 태양 전지 제조 방법
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제 5 항에 있어서,상기 패시베이션막 형성 단계는 원자막 증착법 또는 플라즈마 강화 화학기상증착법으로 이루어지며,상기 질화알루미늄막 형성 단계는 상기 패시베이션막 형성 단계와 동일한 공정으로 동일한 챔버에서 진행되며 상기 패시베이션막 형성 단계후에 이어서 진행되고,상기 질화알루미늄막은 AlN막으로 형성되는 것을 특징으로 하는 태양 전지 제조 방법
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제 6 항에 있어서,상기 질화알루미늄막 형성 단계는 상기 패시베이션막 형성 단계에서 공급되는 산소 공급원을 차단하고 질소 공급원을 공급하며, 알루미늄 공급원을 동일하게 공급하여 진행되는 것을 특징으로 하는 태양 전지 제조 방법
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제 6 항에 있어서,상기 패시베이션막은 질화알루미늄막과의 계면에 AlON 결합이 형성되는 것을 특징으로 하는 태양 전지 제조 방법
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제 5 항에 있어서,상기 질화알루미늄막의 후면에 배리어막을 형성하는 배리어막 형성 단계를 더 포함하며,상기 컨택 영역 형성 단계는 상기 배리어막도 함께 제거하도록 이루어지는 것을 특징으로 하는 태양 전지 제조 방법
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