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제 1 도전성 타입의 기판을 준비하는 기판 준비 단계와,상기 기판의 전면(front surface)에 위치하는 제 2 도전성 타입의 에미터층을 형성하는 에미터층 형성 단계와,상기 에미터층의 상부에 SiO2막과 SiON막으로 이루어지는 반사 방지막을 형성하는 반사 방지막 형성 단계와,상기 기판의 후면에 패시베이션막을 형성하는 패시베이션막 형성 단계와,상기 패시베이션막의 후면에 실리콘계 배리어막을 형성하는 배리어막 형성 단계와,상기 패시베이션막과 상기 배리어막의 일부를 제거하여 상기 기판 후면의 컨택 영역을 노출시키는 컨택 영역 형성 단계와,상기 에미터층과 전기적으로 연결되도록 구리 전해 도금에 의하여 상기 반사 방지막의 상부에 구리 재질의 전면 전극을 형성하는 전면 전극 형성 단계 및 상기 배리어막의 후면에 형성되며 상기 기판의 후면과 전기적으로 연결되는 후면 전극을 형성하는 후면 전극 형성 단계를 포함하며,상기 반사 방지막은 상기 에미터층의 상면에 SiO2막의 조성으로 증착되고 점차적으로 조성이 변화하여 SiON막의 조성으로 증착되어 형성되는 것을 특징으로 하는 태양 전지 제조방법
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제 1 항에 있어서,상기 반사 방지막은 SiO2막과 SiON막이 순차적으로 증착되어 형성되며,상기 SiO2막은 20 ~ 150nm의 두께로 형성되고 상기 SiON막은 50 ~ 150nm의 두께로 형성되는 것을 특징으로 하는 태양 전지 제조방법
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제 2 항에 있어서,상기 반사 방지막 형성 단계는 플라즈마 강화 화학기상 증착법에 의하여 이루어지며,상기 SiO2막을 형성하는 과정에서 소스 가스로 SiH4 가스와 N2O 가스가 공급되며, 상기 SiON막을 형성하는 과정에서 소스 가스로 SiH4 가스와 N2O 가스, NH3 가스가 공급되는 것을 특징으로 하는 태양 전지 제조방법
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제 1 항에 있어서,상기 반사 방지막 형성 단계는 플라즈마 강화 화학기상 증착법에 의하여 이루어지며, 상기 SiO2막을 형성하는 과정에서 소스 가스로 SiH4 가스와 N2O 가스가 공급되며, 상기 SiO2막에서 상기 SiON막으로 점차적으로 변화하는 과정에서는 SiH4 가스와 함께 공급되는 N2O 가스가 점진적으로 감소되고 NH3 가스가 점진적으로 증가되도록 공급되며, 상기 SiON막을 형성하는 과정에서는 소스 가스로 SiH4 가스와 NH3 가스가 공급되도록 이루어지는 것을 특징으로 하는 태양 전지 제조방법
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제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,상기 반사 방지막은 상기 SiO2막이 상기 SiON막보다 두껍게 형성되며, 전체 두께가 80 ~ 220nm로 형성되는 것을 특징으로 하는 태양 전지 제조방법
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