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표준 CMOS 공정을 이용한 바이씨모스 소자 및 그 제조방법

  • 기술번호 : KST2015185213
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 표준 CMOS 공정으로 바이폴라 트랜지스터를 제조할 수 있는 BiCMOS 소자 및 그 제조방법을 개시한다. 개시된 발명의 BiCMOS 소자는 모스 트랜지스터 영역 및 바이폴라 트랜지스터 영역이 한정된 기판, 상기 바이폴라 트랜지스터 영역의 상기 반도체 기판 상에 형성되는 반도체 패턴, 상기 반도체 패턴의 일측 부분에 형성되며 제 1 도전형의 불순물을 갖는 에미터, 상기 반도체 패턴의 타측 부분에 형성되며 상기 제 1 도전형의 불순물을 갖는 콜렉터, 및 상기 에미터 및 상기 콜렉터 사이의 상기 반도체 패턴에 형성되며 제 2 도전형의 불순물을 포함하는 베이스를 포함한다. BiCMOS, 표준 CMOS 공정, 폴리실리콘
Int. CL H01L 21/336 (2006.01)
CPC H01L 21/8249(2013.01) H01L 21/8249(2013.01)
출원번호/일자 1020080115467 (2008.11.20)
출원인 충북대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1044325-0000 (2011.06.20)
공개번호/일자 10-2010-0056593 (2010.05.28) 문서열기
공고번호/일자 (20110629) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2008.11.20)
심사청구항수 6

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 충북대학교 산학협력단 대한민국 충청북도 청주시 서원구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 나기열 대한민국 충청북도 청원군
2 최문호 대한민국 충청북도 청주시 흥덕구
3 김영석 대한민국 충청북도 청주시 흥덕구
4 백기주 대한민국 경상남도 창원시

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김성남 대한민국 서울특별시 송파구 법원로*길 **(문정동) 에이치비즈니스파크 C동 ***호(에스엔케이특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 충북대학교 산학협력단 대한민국 충청북도 청주시 서원구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2008.11.20 수리 (Accepted) 1-1-2008-0799316-18
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2010.09.20 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2010.10.19 수리 (Accepted) 9-1-2010-0065460-26
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2010.10.25 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0477607-31
5 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2010.12.24 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2010-0857236-62
6 등록결정서
Decision to grant
2011.06.13 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0320023-86
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.08.28 수리 (Accepted) 4-1-2014-5103343-45
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.06.17 수리 (Accepted) 4-1-2015-5081402-70
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2018.05.15 수리 (Accepted) 4-1-2018-5086612-26
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.07.06 수리 (Accepted) 4-1-2020-5149268-82
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
모스 트랜지스터 영역 및 바이폴라 트랜지스터 영역이 한정된 기판; 상기 바이폴라 트랜지스터 영역의 반도체 기판 상에 형성되는 반도체 패턴; 상기 반도체 패턴의 일측 부분에 형성되며 제 1 도전형의 불순물을 갖는 에미터; 상기 반도체 패턴의 타측 부분에 형성되며 상기 제 1 도전형의 불순물을 갖는 콜렉터; 상기 에미터 및 상기 콜렉터 사이의 상기 반도체 패턴에 형성되며 제 2 도전형의 불순물을 포함하는 베이스; 상기 모스 트랜지스터 영역 상에 제 1 도전형의 저농도 불순물 영역 및 고농도 불순물 영역으로 구성된 소오스, 드레인 및 상기 소오스, 드레인 사이의 상기 반도체 기판 상에 형성되는 게이트 전극을 포함하는 제 1 모스 트랜지스터, 및 제 2 도전형의 저농도 불순물 영역 및 고농도 불순물 영역으로 구성된 소오스, 드레인 및 상기 소오스, 드레인 사이의 상기 반도체 기판 상에 형성되는 게이트 전극을 포함하는 제 2 모스 트랜지스터가 구비된 BiCMOS 소자
2 2
제 1 항에 있어서, 상기 베이스와 상기 콜렉터 사이의 상기 반도체 패턴에 상기 콜렉터보다 낮은 불순물 농도를 갖는 저농도 콜렉터를 더 포함하는 BiCMOS 소자
3 3
제 1 항에 있어서, 상기 에미터 및 상기 콜렉터는 제 1 불순물 농도를 갖고, 상기 베이스는 상기 제 1 불순물 농도 보다 낮은 제 2 불순물 농도를 갖고, 상기 저농도 콜렉터는 상기 제 2 불순물 농도 보다 낮은 제 3 불순물 농도를 갖는 BiCMOS 소자
4 4
삭제
5 5
제 1 항에 있어서, 상기 반도체 패턴은 상기 게이트 전극과 동일한 물질로 구성되는 BiCMOS 소자
6 6
제 1 항에 있어서, 상기 에미터 및 상기 콜렉터는 상기 제 2 도전형의 고농도 불순물 영역과 동일 농도를 가지며, 상기 베이스는 상기 제 1 도전형의 저농도 불순물 영역과 동일 농도를 갖는 BiCMOS 소자
7 7
제 1 및 제 2 모스 트랜지스터 영역 및 바이폴라 트랜지스터 영역을 포함하는 반도체 기판을 제공하는 단계; 상기 제 1 및 제 2 모스 트랜지스터 영역 각각에 게이트 전극을 형성함과 동시에, 상기 바이폴라 트랜지스터 영역에 반도체 패턴을 형성하는 단계; 상기 반도체 패턴에 제 1 도전형의 불순물을 제 1 농도로 주입하여 저농도 콜렉터를 형성하는 단계; 상기 제 1 모스 트랜지스터 영역의 상기 게이트 전극 양측 및 상기 반도체 패턴의 일부에 제 2 도전형의 불순물을 제 2 농도로 주입하여, 제 1 모스 트랜지스터 영역에 저농도 불순물 영역 및 상기 반도체 패턴에 베이스를 형성하는 단계; 상기 제 2 모스 트랜지스터 영역의 상기 게이트 전극 양측, 상기 저농도 콜렉터의 가장자리 부분 및 상기 베이스의 가장자리 부분에 상기 제 1 도전형의 불순물을 제 3 농도로 주입하여, 상기 제 2 모스 트랜지스터 영역에 고농도 불순물 영역을 형성하고, 상기 저농도 콜렉터의 가장자리에 콜렉터를 형성함과 동시에 상기 베이스 가장자리에 에미터를 형성하는 단계를 포함하며, 상기 에미터의 선폭에 의해 상기 베이스의 선폭이 결정되는 BiCMOS 소자의 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.