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서지흡수기 제조방법

  • 기술번호 : KST2015187573
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 서지흡수기 제조방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 저압 화학기상증착 방식으로 전도성 박막이 형성되기 때문에 고순도의 박막을 형성할 수 있고, 반응기 내의 압력, 증착온도, 유량비 및 증착시간 등의 조건에 있어서 임계적 의의가 인정되는 각 수치범위를 제시함으로써, 서지 흡수기의 응답속도를 극대화할 수 있고, 공정 효율을 향상시킬 수 있는 서지흡수기 제조방법에 관한 것이다.
Int. CL C23C 16/448 (2006.01) C23C 16/44 (2006.01)
CPC C23C 16/448(2013.01) C23C 16/448(2013.01) C23C 16/448(2013.01) C23C 16/448(2013.01)
출원번호/일자 1020130012174 (2013.02.04)
출원인 스마트전자 주식회사, 아주대학교산학협력단
등록번호/일자 10-1501338-0000 (2015.03.09)
공개번호/일자 10-2014-0099964 (2014.08.14) 문서열기
공고번호/일자 (20150316) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2013.02.04)
심사청구항수 4

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 스마트전자 주식회사 대한민국 울산광역시 울주군
2 아주대학교산학협력단 대한민국 경기도 수원시 영통구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 정종일 대한민국 부산광역시 동래구
2 강두원 대한민국 경기 안양시 동안구
3 안규진 대한민국 울산 울주군
4 진상준 대한민국 부산 금정구
5 김현창 대한민국 울산 울주군
6 이경미 대한민국 울산 울주군
7 백창용 대한민국 울산 울주군
8 우창수 대한민국 부산 해운대구
9 강태헌 대한민국 경남 양산시
10 김창구 대한민국 서울 강동구
11 조성운 대한민국 경기 수원시 팔달구
12 김준현 대한민국 경기 성남시 중원구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인세아 대한민국 서울특별시 금천구 가산디지털*로 **, *동 ****호(가산동, 롯데IT캐슬)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 스마트전자 주식회사 대한민국 울산광역시 울주군
2 아주대학교산학협력단 대한민국 경기도 수원시 영통구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2013.02.04 수리 (Accepted) 1-1-2013-0101101-46
2 보정요구서
Request for Amendment		 2013.02.12 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2013-0015832-45
3 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2013.02.15 수리 (Accepted) 1-1-2013-0138102-47
4 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2013.03.13 수리 (Accepted) 1-1-2013-0217139-12
5 [출원인변경]권리관계변경신고서
[Change of Applicant] Report on Change of Proprietary Status		 2013.06.05 수리 (Accepted) 1-1-2013-0504265-11
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.01.02 수리 (Accepted) 4-1-2014-5000672-13
7 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2014.05.08 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
8 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2014.06.11 수리 (Accepted) 9-1-2014-0048486-18
9 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2014.08.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0590026-36
10 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2014.10.28 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2014-1033725-55
11 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2014.10.28 수리 (Accepted) 1-1-2014-1033723-64
12 등록결정서
Decision to grant		 2015.02.23 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2015-0119363-72
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
내부에 불활성기체가 충진된 튜브관과, 상기 튜브관 내에 수용되고 절연체의 외면에 전도성 박막이 형성되는 서지흡수소자를 포함하는 서지흡수기의 제조방법에 있어서,반응기 내에 상기 절연체를 안착시키는 S10단계;상기 반응기 내를 소정 온도로 유지하고 금속을 함유한 전구체, 산소 및 불활성 기체를 공급하여, 상기 절연체의 외면에 금속산화물 결정으로 이루어지는 전도성 박막을 형성하는 S20단계; 및상기 전도성 박막을 분할하는 방전갭을 형성하는 S30단계;를 포함하며,상기 전도성 박막은 저압 화학기상증착(LPCVD) 방식으로 형성되되,상기 S10단계와 S20단계 사이에 상기 반응기를 1×10-4~1×10-2 torr의 진공으로 형성하는 S11단계;를 더 포함하고,상기 S20단계에서 반응기 내의 압력은 3~4Torr의 진공도로 유지되며,상기 S20단계에서 반응기의 온도는 350~450℃로 유지되고,상기 S20단계의 불활성 기체와 산소의 유량비는 1:6~1:8이고, 상기 전도성 박막은 3~4torr의 진공도에서 30~60분 동안 이루어지며,상기 반응기는 열을 발생시키는 퍼니스(furnace)와, 상기 퍼니스를 관통하고 횡방향으로 배치되고 상기 절연체가 안착되는 관형 튜브를 포함하는 관형 반응기인 것을 특징으로 하는 서지흡수기 제조방법
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제1항에 있어서,상기 S20단계의 전구체는 DBT(Dibutyltindiacetate), TMT(Trimethyltin), TBT(Tributhyltin) 중에서 어느 하나가 선택되고,상기 금속산화물은 SnO 또는 SnO2인 것을 특징으로 하는 서지흡수기 제조방법
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7 7
제1항에 있어서,상기 전도성 박막의 표면저항(sheet resistance)은 0
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내부에 불활성기체가 충진된 튜브관과, 상기 튜브관 내에 수용되고 절연체의 외면에 전도성 박막이 형성되는 서지흡수소자를 포함하는 서지흡수기의 제조방법에 있어서,반응기 내에 상기 절연체를 안착시키는 S10단계;상기 반응기 내를 반응기 내를 진공으로 형성하는 S11단계;상기 반응기 내를 소정 온도로 유지하고 금속을 함유한 전구체, 산소 및 불활성 기체를 공급하여, 상기 절연체의 외면에 금속산화물 결정으로 이루어지는 전도성 박막을 형성하는 S20단계;상기 전도성 박막을 분할하는 방전갭 및 단자전극을 형성하여 서지흡수소자를 제조하는 S30단계;수용관 내에 상기 서지흡수소자를 배치하고 불활성기체를 충진한 상태에서 상기 수용관의 양단을 밀봉전극으로 밀폐시키고 상기 단자전극 및 밀봉전극을 전기적으로 연결하는 S40단계; 및상기 밀봉전극에 리드선을 연결하는 S50단계;를 포함하며,상기 전도성 박막은 저압 화학기상증착(LPCVD) 방식으로 형성되되,상기 S10단계와 S20단계 사이에 상기 반응기를 1×10-4~1×10-2 torr의 진공으로 형성하는 S11단계;를 더 포함하고,상기 S20단계에서 반응기 내의 압력은 3~4Torr의 진공도로 유지되며,상기 S20단계에서 반응기의 온도는 350~450℃로 유지되고,상기 S20단계의 불활성 기체와 산소의 유량비는 1:6~1:8이고, 상기 전도성 박막은 3~4torr의 진공도에서 30~60분 동안 이루어지는 것을 특징으로 하는 서지흡수기 제조방법
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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
패밀리 정보가 없습니다

DOCDB 패밀리 정보

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 TW201444211 TW 대만 DOCDBFAMILY
2 TWI496371 TW 대만 DOCDBFAMILY
국가 R&D 정보가 없습니다.