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실리콘적층 사파이어 박막의 제조방법

  • 기술번호 : KST2015188176
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명에 따른 실리콘적층 사파이어 박막의 제조방법은, 사파이어 기판 상에 제1실리콘층을 형성하는 제1단계와 상기 제1실리콘층의 상부에 제2실리콘층을 형성하는 제2단계를 포함하되, 상기 제1단계는 사파이어 기판 상에 상기 제1실리콘층을 적층하는 제1공정과, 상기 제1실리콘층과 사파이어 기판 사이의 계면결함 및 제1실리콘층의 결정결함을 감소시키기 위하여 제1실리콘층에 양이온을 주입하는 제2공정을 포함하고, 상기 양이온은 제1실리콘층을 형성하는 실리콘보다 원자량이 작은 원소의 양이온으로 선택된 것을 특징으로 한다.본 발명에 따른 실리콘적층 사파이어 기판의 제조방법은 실리콘층의 두께가 상대적으로 얇은 성장 중간 단계에서 미리 양이온을 주입하여 상기 실리콘층의 결함을 완화하는 방식이기 때문에, 이온 주입층의 프로파일이 사파이어 기판과 실리콘층의 계면에 대하여 매우 균일하게 분포될 수 있고 이로 인하여 상기 실리콘층의 결함제어가 전체적으로 균일하게 이루어질 수 있다.
Int. CL H01L 21/20 (2006.01) H01L 27/12 (2006.01)
CPC H01L 21/86(2013.01) H01L 21/86(2013.01)
출원번호/일자 1020100039266 (2010.04.28)
출원인 주식회사 나노아이에프, 동국대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1129513-0000 (2012.03.16)
공개번호/일자 10-2011-0119870 (2011.11.03) 문서열기
공고번호/일자 (20120329) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2010.04.28)
심사청구항수 5

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 주식회사 나노아이에프 대한민국 서울특별시 양천구
2 동국대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 중구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김정우 대한민국 경기도 성남시 분당구
2 조훈영 대한민국 경기도 성남시 분당구
3 김원식 대한민국 서울특별시 서초구
4 곽동욱 대한민국 경기도 성남시 분당구
5 김도형 대한민국 경기도 수원시 팔달구
6 이동화 대한민국 서울특별시 중구
7 신충환 대한민국 서울특별시 용산구
8 설민수 대한민국 서울특별시 노원구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 원성수 대한민국 서울특별시 송파구 법원로**, ***호, ***호(문정동,문정법조프라자) (특허법인명)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 주식회사 나노아이에프 서울특별시 양천구
2 동국대학교 산학협력단 서울특별시 중구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2010.04.28 수리 (Accepted) 1-1-2010-0273982-62
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2010.11.05 수리 (Accepted) 4-1-2010-5206478-99
3 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2011.05.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0292416-13
4 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2011.07.28 수리 (Accepted) 1-1-2011-0585005-10
5 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2011.08.25 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2011-0660749-42
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2011.08.25 수리 (Accepted) 1-1-2011-0660748-07
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2011.12.06 수리 (Accepted) 4-1-2011-5243351-46
8 등록결정서
Decision to grant		 2012.01.19 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0038519-61
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.01.10 수리 (Accepted) 4-1-2014-0002002-62
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.16 수리 (Accepted) 4-1-2019-5163486-33
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
사파이어 기판 상에 제1실리콘층을 형성하는 제1단계;상기 제1실리콘층과 사파이어 기판 사이의 계면결함 및 제1실리콘층의 결정결함을 감소시키기 위하여 상기 제1실리콘층에 양이온을 주입하여 비정질화하는 제2단계; 및상기 비정질화된 제1실리콘층의 상부에 제2실리콘층을 형성하는 제3단계를 포함하되,상기 비정질화된 제1실리콘층은 상기 제3단계의 수행에 의해 재결정화되며,상기 양이온은 제1실리콘층을 형성하는 실리콘보다 원자량이 작은 원소의 양이온으로 선택된 것을 특징으로 하는 실리콘적층 사파이어 박막의 제조방법
2 2
제1항에 있어서, 상기 제1실리콘층과 제2실리콘층의 적층은 화학적 증기 증착법(CVD)에 의해 이루어지는 것을 특징으로 하는 실리콘적층 사파이어 박막의 제조방법
3 3
제2항에 있어서,상기 양이온은 양성자 또는 헬륨 양이온이며, 이온 주입법, 플라즈마 처리법 또는 이온 분위기에서의 열처리법 중 어느 하나에 의하여 상기 제1실리콘층에 주입되는 것을 특징으로 하는 실리콘적층 사파이어 박막의 제조방법
4 4
제3항에 있어서,상기 제1실리콘층은 상기 제2단계에서 주입되는 양이온이 상기 사파이어 기판과 제1실리콘층 사이의 계면에 균일하게 분포될 수 있도록 100nm 이하의 두께로 얇게 적층되는 것을 특징으로 하는 실리콘적층 사파이어 박막의 제조방법
5 5
제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 제1단계는 제1실리콘층을 형성하기 이전에 사파이어 기판에 실리콘 이온을 주입한 후 열처리하여, 상기 제1실리콘층이 적층되는 사파이어 기판의 표면에 실리콘 시드(seed)를 형성시키는 공정을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 실리콘적층 사파이어 박막의 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.