| 1 |
1
기판;상기 기판 상에 형성된 반도체층;상기 반도체층 상의 일측에 형성된 소스 전극;상기 반도체층 상의 타측에 상기 소스 전극으로부터 이격되어 형성된 드레인 전극;상기 반도체층 상의 상기 소스 전극 및 상기 드레인 전극 사이에 형성된 게이트 전극; 및상기 소스 전극, 상기 드레인 전극 및 상기 게이트 전극 사이의 상기 반도체층 상에 유전체를 스핀 코팅하여 형성되며, 상기 반도체층의 활성 영역을 덮는 스핀 코팅층을 포함하되,상기 스핀 코팅층은 SOD(Spin on Dielectric) 물질이 경화 공정을 통해 산화규소 물질로 변환되어 형성되는 반도체 소자
|
| 2 |
2
제1 항에 있어서,상기 스핀 코팅층은 퍼하이드로폴리실라잔(perhydropolysilazane) 또는 벤조사이클로부테인(benzocyclobutene)을 포함하는 상기 SOD(Spin on Dielectric) 물질이 경화되어 상기 산화규소 물질로 변환되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자
|
| 3 |
3
삭제
|
| 4 |
4
제1 항에 있어서,상기 반도체층은 질화갈륨(GaN), 질화알루미늄(AlN), 질화인듐(InN), 갈륨비소(GaAs), 인화갈륨(GaP), 알루미늄비소(AlAs), 안티몬화알루미늄(AlSb), 인화알루미늄(AlP), 안티몬화갈륨(GaSb), 안티몬화인듐(InSb), 산화아연(ZnO), 탄화규소(SiC), 규소(Si) 및 탄소(C)를 포함하는 군으로부터 하나 이상 또는 그 화합물들을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자
|
| 5 |
5
제1 항에 있어서,상기 반도체층, 상기 소스 전극, 상기 드레인 전극 및 상기 게이트 전극은 디플리션 모드 트랜지스터 또는 인핸스먼트 모드 트랜지스터를 구성하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자
|
| 6 |
6
제1 항에 있어서,상기 소스 전극, 상기 드레인 전극, 상기 게이트 전극 또는 상기 스핀 코팅층 상에 형성되는 패시베이션층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자
|
| 7 |
7
반도체 소자의 제조 방법에 있어서,기판 상에 반도체층을 형성하는 단계;상기 반도체층 상에 복수의 전극을 형성하는 단계;상기 반도체층 및 상기 복수의 전극 상에 유전체를 스핀 코팅하여 상기 반도체층의 활성 영역을 덮는 스핀 코팅층을 형성하는 단계; 및상기 반도체층, 상기 복수의 전극 및 상기 스핀 코팅층 상에 패시베이션층을 형성하는 단계를 포함하되,상기 스핀 코팅층을 형성하는 단계에서는상기 반도체층 및 상기 복수의 전극 상에 유전체를 도포하는 단계;상기 유전체를 스핀 코팅하는 단계;스핀 코팅된 상기 유전체를 경화시켜 상기 유전체를 구성하는 SOD(Spin on Dielectric) 물질을 산화규소 물질로 변환하는 단계; 및스핀 코팅된 상기 유전체를 식각하여 상기 반도체층의 활성 영역을 덮는 상기 스핀 코팅층을 형성하는 단계를 포함하는 반도체 소자의 제조 방법
|
| 8 |
8
제7 항에 있어서,상기 반도체층을 형성하는 단계에서는질화갈륨(GaN) 및 알루미늄질화갈륨(AlGaN) 각각을 순차적으로 증착하여 질화갈륨층 및 알루미늄질화갈륨층을 형성하는 단계; 및 상기 질화갈륨층 및 상기 알루미늄질화갈륨층을 사다리꼴(MESA) 구조로 패터닝하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 제조 방법
|
| 9 |
9
삭제
|
| 10 |
10
제7 항에 있어서,상기 스핀 코팅층은 퍼하이드로폴리실라잔(perhydropolysilazane) 또는 벤조사이클로부테인(benzocyclobutene)을 포함하는 상기 SOD(Spin on Dielectric) 물질이 경화되어 상기 산화규소 물질로 변환되는 것을 특징으로 하는 하는 반도체 소자의 제조 방법
|
| 11 |
11
제7 항에 있어서,상기 반도체층은 질화갈륨(GaN), 질화알루미늄(AlN), 질화인듐(InN), 갈륨비소(GaAs), 인화갈륨(GaP), 알루미늄비소(AlAs), 안티몬화알루미늄(AlSb), 인화알루미늄(AlP), 안티몬화갈륨(GaSb), 안티몬화인듐(InSb), 산화아연(ZnO), 탄화규소(SiC), 규소(Si) 및 탄소(C)를 포함하는 군으로부터 하나 이상 또는 그 화합물들을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 제조 방법
|
