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기판의 제1 면 상에 게이트 전극, 소스 전극 및 드레인 전극을 형성하는 단계;상기 소스 전극 및 상기 드레인 전극과 각각 연결되는 소스 패드 및 드레인 패드를 형성하는 단계;상기 소스 패드 및 드레인 패드의 상부에 캐리어 기판을 부착하는 단계;상기 소스 패드 및 상기 드레인 패드의 일부분이 노출될 때까지 상기 기판의 제2 면으로부터 상기 기판을 소잉(sawing)하는 단계;상기 기판의 상기 제2 면 및 상기 노출된 소스 패드 및 드레인 패드의 일부를 덮는 소스 그라운드 전극을 형성하는 단계; 및 상기 캐리어 기판을 제거하는 단계;를 포함하는 갈륨 질화물계 반도체 소자 어셈블리의 제조 방법
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제5항에 있어서,상기 캐리어 기판을 부착하는 단계는,투명한 상기 캐리어 기판을 준비하는 단계;상기 캐리어 기판의 제1 면에 자외선 감광성인 접착층을 도포하는 단계; 및상기 접착층이 상기 소스 및 드레인 패드들과 상기 캐리어 기판 사이에 개재되도록(interposed) 상기 소스 및 드레인 패드들의 상부에 상기 캐리어 기판을 접착하는 단계를 포함하며,상기 캐리어 기판을 제거하는 단계는,상기 캐리어 기판의 제2 면으로부터 자외선을 조사하여 상기 접착층을 반응시킴으로써 상기 캐리어 기판을 떼어내는(detach) 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 갈륨 질화물계 반도체 소자 어셈블리의 제조 방법
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제5항에 있어서,상기 게이트 전극, 상기 소스 전극 및 상기 드레인 전극을 형성하는 단계는,상기 기판의 상기 제1 면 상에 제1 패시베이션층을 형성하는 단계;제1 폭을 갖는 라인 형상의 제1 개구를 갖는 제1 마스크를 상기 제1 패시베이션층 상에 배치하는 단계;상기 제1 마스크를 식각 마스크로 사용하여 상기 제1 개구에 의해 노출된 상기 제1 패시베이션층의 제1 영역을 제거하는 단계;상기 제1 마스크를 제거하는 단계;제2 폭을 갖는 라인 형상의 제2 개구를 갖는 제2 마스크를, 상기 제2 개구가 상기 제1 패시베이션층의 상기 제1 영역과 부분적으로 중첩되도록(partially overlap) 상기 제1 패시베이션층 상에 배치하는 단계;상기 제2 개구 내부를 도전 물질로 매립함으로써 상기 게이트 전극을 형성하는 단계; 및상기 제2 마스크를 제거하는 단계; 를 포함하는 것을 특징으로 하는 갈륨 질화물계 반도체 소자 어셈블리의 제조 방법
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제7항에 있어서,상기 게이트 전극, 상기 소스 전극 및 상기 드레인 전극을 형성하는 단계는,상기 제1 패시베이션층의 일부를 제거하여 노출된 상기 기판 상에 소스 오믹층 및 드레인 오믹층을 형성하는 단계;상기 게이트 전극, 상기 소스 오믹층 및 상기 드레인 오믹층 상에 제2 패시베이션층을 형성하는 단계;상기 제2 패시베이션층 일부를 제거하여 상기 소스 오믹층 및 상기 드레인 오믹층의 상면들을 노출하는 단계; 및노출된 상기 소스 오믹층 및 상기 드레인 오믹층 상에 각각 상기 소스 전극 및 상기 드레인 전극을 형성하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 갈륨 질화물계 반도체 소자 어셈블리의 제조 방법
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제8항에 있어서,상기 소스 전극 또는 상기 드레인 전극은 상기 게이트 전극과 수직적으로 오버랩되며,상기 소스 전극 또는 상기 드레인 전극과 상기 게이트 전극 사이에 상기 제2 패시베이션층이 개재된 것을 특징으로 하는 갈륨 질화물계 반도체 소자 어셈블리의 제조 방법
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제5항에 있어서, 상기 소스 그라운드 전극을 형성하는 단계는,단위 소자 형성 영역에 대응되는 위치에 형성되는 복수의 개구들을 구비하는 소자 분리 마스크를 상기 기판의 상기 제2 면 하부에 배치하는 단계; 및상기 소자 분리 마스크를 증착 마스크로 사용하여 도전 물질을 증착시킴으로써 상기 소스 그라운드 전극을 형성하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 갈륨 질화물계 반도체 소자 어셈블리의 제조 방법
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제5항에 있어서, 상기 소스 그라운드 전극을 형성하는 단계는 전자빔 증발법 (electron beam evaporation)을 사용하여 수행되는 것을 특징으로 하는 갈륨 질화물계 반도체 소자 어셈블리의 제조 방법
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