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반도체소자 및 그 형성 방법

  • 기술번호 : KST2015201467
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 자기조립단분자막(self-assembled monolayers, SAMs)을 이용하여 금속소재와의 강한결합을 형성하고, 기존의 확산 방지막에 비해 두께가 얇은 것은 물론 신뢰성이 향상된 반도체 소자와 확산 방지막의 형성을 위하여, 반도체 기판을 제공하는 단계; 상기 반도체 기판 상에 일단에는 티올(thiol)기를 포함하고, 타단에는 작용기로서 카르복실(carboxyl)기, 카르보닐(carbonyl)기 및 수산기(hydroxyl)기 중 어느 하나를 포함하는 혼합물로 이루어지는, 자기조립단분자막을 형성하는 단계; 및 상기 자기조립단분자막 상에 금속층을 형성하는 단계;를 포함하는, 반도체소자의 형성 방법을 제공한다.
Int. CL H01L 21/28 (2006.01) H01L 21/768 (2006.01)
CPC H01L 21/76841(2013.01) H01L 21/76841(2013.01) H01L 21/76841(2013.01)
출원번호/일자 1020110093980 (2011.09.19)
출원인 국민대학교산학협력단
등록번호/일자 10-1268458-0000 (2013.05.22)
공개번호/일자 10-2013-0030478 (2013.03.27) 문서열기
공고번호/일자 (20130604) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2011.09.19)
심사청구항수 12

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 국민대학교산학협력단 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이재갑 대한민국 서울특별시 강남구
2 이치영 대한민국 서울특별시 강북구
3 한정석 대한민국 경상북도 포항시 북구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김남식 대한민국 서울특별시 서초구 남부순환로***길 *-*, *층 (양재동, 가람빌딩)(율민국제특허법률사무소)
2 한윤호 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로**길 **(삼성동) 명지빌딩, *층(선정국제특허법률사무소)
3 양기혁 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로**길 **(삼성동) 명지빌딩, *층(선정국제특허법률사무소)
4 이인행 대한민국 서울특별시 서초구 남부순환로***길 *-*, *층 (양재동, 가람빌딩)(율민국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 국민대학교산학협력단 서울특별시 성북구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2011.09.19 수리 (Accepted) 1-1-2011-0725544-47
2 보정요구서
Request for Amendment		 2011.09.21 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2011-0086942-32
3 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2011.09.23 수리 (Accepted) 1-1-2011-0741178-15
4 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2012.02.01 불수리 (Non-acceptance) 1-1-2012-0083585-62
5 서류반려이유통지서
Notice of Reason for Return of Document		 2012.02.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2012-0018765-64
6 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2012.02.28 수리 (Accepted) 1-1-2012-0160926-78
7 서류반려통지서
Notice for Return of Document		 2012.03.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2012-0036944-52
8 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2012.04.16 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
9 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2012.05.21 수리 (Accepted) 9-1-2012-0038911-63
10 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2012.10.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0647160-92
11 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2012.12.28 수리 (Accepted) 1-1-2012-1093015-73
12 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2012.12.28 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2012-1093017-64
13 등록결정서
Decision to grant		 2013.05.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0344605-79
14 [대리인사임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Resignation of Agent] Report on Agent (Representative)		 2013.05.22 수리 (Accepted) 1-1-2013-0450253-63
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2016.03.14 수리 (Accepted) 4-1-2016-5032192-73
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
반도체 기판을 제공하는 단계;상기 반도체 기판을 세척하는 단계;세척된 상기 반도체 기판 상에, 일단에는 티올(thiol)기를 포함하고, 타단에는 말단 작용기인 카르복실(carboxyl)기, 카르보닐(carbonyl)기 및 수산기(hydroxyl)기 중 어느 하나를 포함하는 혼합물로 이루어지는 자기조립단분자막을 포함하하는 확산방지막을 형성하는 단계; 및상기 확산방지막 상에 금속층을 형성하는 단계;를 포함하고,상기 자기조립단분자막은 상기 반도체 기판 및 상기 금속층 사이에 개재되어 상기 금속층의 상기 반도체 기판으로의 확산을 방지하는, 자기조립단분자막을 이용한 반도체소자의 형성 방법
2 2
제1항에 있어서,상기 혼합물은 MUA (11-mercaptoundecanoic acid), 11-hydroxy-1-undecanethiol, 12-mercaptododecanoic acid), 16-hydroxy-1-hexadecanethiol, 16-mercaptohexadecanoic acid, Carboxyhexadecyl disulfide, Hydroxyhexadecyl disulfide, Hydroxyundecyl disulfide 및 Tetra(ethylene glycol) undecyl disulfide 중 어느 하나를 포함하는, 자기조립단분자막을 이용한 반도체소자의 형성 방법
3 3
제1항에 있어서,상기 자기조립단분자막의 형성하는 방법은 액상 공정(solution process) 및 기상 공정(vapor process) 중 어느 하나를 포함하는, 자기조립단분자막을 이용한 반도체소자의 형성 방법
4 4
제3항에 있어서,상기 액상 공정에 사용되는 물질로는 이소옥탄(isooctane), 에탄올(ethanol), 메탄올(methanol), 아세톤(acetone) 및 염산(HCl) 중 어느 하나를 포함하는, 자기조립단분자막을 이용한 반도체소자의 형성 방법
5 5
제3항에 있어서,상기 액상 공정은 침지법(dipping), 미세접촉인쇄법(micro-contact printing) 및 스핀코팅법(spin-coating) 중 어느 한 방법을 포함하는, 자기조립단분자막을 이용한 반도체소자의 형성 방법
6 6
제1항에 있어서,상기 금속층을 형성하는 물질은 구리(Cu), 금(Au), 코발트(Co), 철(Fe), 니켈(Ni), 크롬(Cr), 은(Ag), 알루미늄(Al), 백금(Pt), 주석(Sn), 텅스텐(W), 루테늄(Ru), 탄탈륨(Ta) 및 카드뮴(Cd) 중 적어도 어느 하나를 포함하는, 자기조립단분자막을 이용한 반도체소자의 형성 방법
7 7
제1항에 있어서,상기 금속층을 형성하는 방법에는 물리기상증착법(PVD, physical vapor deposition) 및 화학기상증착법(CVD, chemical vapor deposition) 중 어느 하나를 포함하는, 자기조립단분자막을 이용한 반도체소자의 형성 방법
8 8
제7항에 있어서,상기 물리기상증착법(PVD)은 스퍼터링(Sputtering), 이온 플레이팅(Ion plating) 및 진공증착법(Vacuum evaporation) 중 어느 하나를 포함하는, 자기조립단분자막을 이용한 반도체소자의 형성 방법
9 9
제7항에 있어서,상기 화학기상증착법(CVD)은 APCVD(atmospheric pressure chemical vapor deposition), LPCVD(low pressure chemical vapor deposition), MOCVD(metal organic chemical vapor deposition), PECVD(plasma enhanced chemical vapor deposition), ALD(atomic layer deposition) 및 PEALD(plasma enhanced atomic layer deposition) 중 어느 하나를 포함하는, 자기조립단분자막을 이용한 반도체소자의 형성 방법
10 10
제1항에 있어서,상기 반도체 기판은, 도핑 되고, 실리콘(Si) 기판, 게르마늄(Ge) 기판 및 질화갈륨(GaN) 기판 중 어느 하나를 포함하는, 자기조립단분자막을 이용한 반도체소자의 형성 방법
11 11
제1항에 있어서,상기 반도체 기판을 세척하는 단계는 불산(HF) 용액 및 불산 기체 중 어느 하나를 이용하여 상기 반도체 기판 상에 형성된 자연산화막을 제거하는 단계를 포함하는, 자기조립단분자막을 이용한 반도체소자의 형성 방법
12 12
제1항에 있어서,상기 반도체 기판을 세척하는 단계는 암모니아 및 과산화수소를 이용한 세척 공정과, 불산 용액 및 불산 기체를 이용한 자연산화막 제거 공정을 포함하는, 자기조립단분자막을 이용한 반도체소자의 형성 방법
13 13
삭제
14 14
삭제
15 15
삭제
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 교육과학기술부 국민대학교산학협력단 선도연구센터육성사업 자기조립소재공정연구센터
2 지식경제부 국민대학교산학협력단 산업원천기술개발산업 초미세 고신뢰성 배선 기술 연구