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저전력 플래쉬 메모리의 센싱회로

  • 기술번호 : KST2015204868
  • 담당센터 : 부산기술혁신센터
  • 전화번호 : 051-606-6561
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 저전력 플래쉬 메모리의 센싱회로에 관한 것으로, 플래쉬 메모리 셀의 제어 로직(control logic)으로부터 발생되는 프리차아지(PRECHARGE) 신호가 인가되는 제1 인버터; 상기 제1 인버터의 출력과 게이트가 연결되는 제1 PMOS 트랜지스터; 상기 플래쉬 메모리 셀의 제어 로직(control logic)으로부터 발생되는 데이터라인 부하신호(DLINE_LOADb)가 인가되는 제2 PMOS 트랜지스터; 상기 플래쉬 메모리 셀의 제어 로직(control logic)으로부터 발생되는 감지증폭기 인에이블(Sense Amplifier ENable: SAENb)신호가 인가되고, 데이터라인(DLINE)과 연결되어 리드 데이터를 감지하는 감지증폭기; 및 상기 감지증폭기의 SAENb 신호에 의해 데이터라인(DLINE)의 유효 데이터를 출력하는 리드 데이터 출력부;를 포함하고, 상기 데이터라인(DLINE)에 상기 제1 모스트랜지스터와 상기 제2 모스트랜지스터가 연결된 회로임을 특징으로 한다.
Int. CL G11C 16/26 (2006.01)
CPC G11C 16/26(2013.01) G11C 16/26(2013.01) G11C 16/26(2013.01) G11C 16/26(2013.01)
출원번호/일자 1020060013712 (2006.02.13)
출원인 창원대학교 산학협력단, 한국소프트웨어진흥원
등록번호/일자 10-0671209-0000 (2007.01.12)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20070119) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2006.02.13)
심사청구항수 5

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 창원대학교 산학협력단 대한민국 경상남도 창원시 의창구
2 한국소프트웨어진흥원 대한민국 서울특별시 송파구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김영희 대한민국 경남 창원시
2 이재형 대한민국 부산광역시 부산진구
3 김종희 대한민국 경남 마산시 구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 이철희 대한민국 서울특별시 강남구 삼성로***길 *, ***호 가디언국제특허법률사무소 (삼성동, 우경빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 창원대학교 산학협력단 대한민국 경남 창원시
2 한국전자통신연구원 대전광역시 유성구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2006.02.13 수리 (Accepted) 1-1-2006-0104478-15
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2006.08.07 수리 (Accepted) 4-1-2006-5110371-12
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2006.11.09 수리 (Accepted) 4-1-2006-5161001-18
4 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2006.11.10 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
5 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2006.12.05 수리 (Accepted) 9-1-2006-0078730-25
6 등록결정서
Decision to grant		 2006.12.12 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2006-0742056-06
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2011.08.22 수리 (Accepted) 4-1-2011-5171493-09
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2011.09.02 수리 (Accepted) 4-1-2011-5180260-89
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2011.12.15 수리 (Accepted) 4-1-2011-5252038-71
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2011.12.27 수리 (Accepted) 4-1-2011-5259858-01
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.10.01 수리 (Accepted) 4-1-2013-5131005-95
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.04.10 수리 (Accepted) 4-1-2014-5044733-20
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.07.09 수리 (Accepted) 4-1-2014-5082716-34
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.01.30 수리 (Accepted) 4-1-2015-5013674-43
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.01.30 수리 (Accepted) 4-1-2015-5013675-99
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.07.20 수리 (Accepted) 4-1-2015-5096974-14
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2016.11.11 수리 (Accepted) 4-1-2016-5164273-80
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.11.04 수리 (Accepted) 4-1-2019-5229792-25
19 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.03.30 수리 (Accepted) 4-1-2020-5073723-40
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
읽기 모드에서 플래쉬 메모리 셀에 저장된 정보를 읽어내기 위한 센싱회로에 있어서, 상기 플래쉬 메모리 셀의 제어 로직(control logic)으로부터 발생되는 프리차아지(PCHARGE) 신호가 인가되는 제1 인버터;상기 제1 인버터의 출력과 게이트가 연결되는 제1 PMOS 트랜지스터;상기 플래쉬 메모리 셀의 제어 로직(control logic)으로부터 발생되는 데이터라인 부하신호(DLINE_LOADb)가 인가되는 제2 PMOS 트랜지스터; 상기 플래쉬 메모리 셀의 제어 로직(control logic)으로부터 발생되는 감지증폭기 인에이블(Sense Amplifier ENable: SAENb)신호가 인가되고, 데이터라인(DLINE)과 연결되어 리드 데이터를 감지하는 감지증폭기; 및 상기 감지증폭기의 SAENb 신호에 의해 데이터라인(DLINE)의 유효 데이터를 출력하는 리드 데이터 출력부;를 포함하고, 상기 데이터라인(DLINE)에 상기 제1 모스트랜지스터와 상기 제2 모스트랜지스터가 연결된 회로임을 특징으로 하는 저전력 플래쉬 메모리의 센싱회로
2 2
제1항에 있어서, 상기 제2 모스트랜지스터는워드라인(Word-Line: WL)이 선택되어 있는 동안 활성화되어 상기 플래쉬 메모리 셀이 오프(OFF) 상태에서 누설전류(leakage current)에 의해 데이터라인(DLINE)이 0V로 떨어지는 것을 방지하기 위한 높은 임피던스의 능동 부하(Active Load) 역할을 함을 특징으로 하는 저전력 플래쉬 메모리의 센싱회로
3 3
제1항에 있어서, 상기 감지증폭기는클록이 인가된 인버터(Clocked Inverter)임을 특징으로 하는 저전력 플래쉬 메모리의 센싱회로
4 4
제1항에 있어서, 상기 클록이 인가된 인버터(Clocked Inverter)는 두 개의 PMOS 트랜지스터와 두 개의 NMOS 트랜지스터가 직렬로 연결되고, 하나의 PMOS트랜지스터와 하나의 NMOS트랜지스터에 데이터라인이 연결되고, 나머지 하나의 PMOS 트랜지스터에 SAENb 신호가 인가되고, 나머지 하나의 NMOS 트랜지스터에는 반전된 SAENb 신호가 인가됨을 특징으로 하는 저전력 플래쉬 메모리의 센싱회로
5 5
제1항에 있어서,상기 프라차이지(PCHARGE) 신호가 데이터라인(DLINE)을 프리차아징(precharging)하는 동안 상기 데이터라인 부하신호(DLINE_LOADb)가 활성화(activation)되어 높은 임피던스(high-impedance)의 상기 제2 PMOS 트랜지스터로 데이터라인(DLINE)을 VDD로 pull-up 시키는 것을 특징으로 하는 저전력 플래쉬 메모리의 센싱회로
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.