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연마 방법

  • 기술번호 : KST2015208816
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 화학적 기계적 연마 방법에 관한 것이다.본 발명에 따른 화학적 기계적 연마 방법은 기판을 마련하는 단계; 제 1 연마 입자와 산화제가 포함된 제 1 연마 슬러리를 마련하는 단계; 제 2 연마 입자가 포함된 제 2 연마 슬러리를 마련하는 단계; 및 상기 제 1 및 제 2 연마 슬러리를 이용하여 상기 기판을 연마하는 단계를 포함한다.따라서, 실리콘 카바이드 기판의 기계적 결함층을 완전히 제거할 수 있어 실리콘 카바이드 기판 상부에 형성되는 에피택셜층의 결정질을 향상시킬 수 있고, 이에 따라 소자의 특성을 향상시킬 수 있다.실리콘 카바이드, CMP, 슬러리, 산화제, 다이아몬드, 결함층, 산화층
Int. CL H01L 21/304 (2006.01) C09K 3/14 (2006.01) B24B 37/00 (2006.01)
CPC B24B 57/02(2013.01) B24B 57/02(2013.01) B24B 57/02(2013.01)
출원번호/일자 1020080013366 (2008.02.14)
출원인 동의대학교 산학협력단, (주)크리스밴드, 지앤피테크놀로지 주식회사
등록번호/일자 10-0935897-0000 (2009.12.30)
공개번호/일자 10-2009-0088050 (2009.08.19) 문서열기
공고번호/일자 (20100107) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2008.02.14)
심사청구항수 11

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 동의대학교 산학협력단 대한민국 부산광역시 부산진구
2 (주)크리스밴드 대한민국 부산광역시 부산진구
3 지앤피테크놀로지 주식회사 대한민국 부산광역시 금정구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이원재 대한민국 부산광역시 부산진구
2 안준호 대한민국 부산 사상구
3 구갑렬 대한민국 부산광역시 부산진구
4 정해도 대한민국 부산광역시 금정구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 남승희 대한민국 서울특별시 강남구 역삼로 ***, *층(역삼동, 청보빌딩)(아인특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 에스케이씨 주식회사 경기도 수원시 장안구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2008.02.14 수리 (Accepted) 1-1-2008-0110152-13
2 [출원인변경]권리관계변경신고서
[Change of Applicant] Report on Change of Proprietary Status		 2008.03.11 무효 (Invalidation) 1-1-2008-0177536-34
3 보정요구서
Request for Amendment		 2008.03.17 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2008-0039322-61
4 [출원인변경]권리관계변경신고서
[Change of Applicant] Report on Change of Proprietary Status		 2008.03.25 수리 (Accepted) 1-1-2008-0215354-13
5 [출원인변경]권리관계변경신고서
[Change of Applicant] Report on Change of Proprietary Status		 2008.03.25 불수리 (Non-acceptance) 1-1-2008-0215235-88
6 서류반려이유안내서
Notice of Reason for Return of Document		 2008.04.22 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2008-0054379-59
7 무효처분안내서
Notice for Disposition of Invalidation		 2008.04.22 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2008-0054254-51
8 서류반려안내서
Notification for Return of Document		 2008.06.25 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2008-0079150-31
9 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2008.11.06 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
10 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2008.12.05 수리 (Accepted) 9-1-2008-0077701-13
11 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2009.02.24 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2009-0081960-98
12 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2009.04.24 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2009-0248753-13
13 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2009.04.24 수리 (Accepted) 1-1-2009-0248756-50
14 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2009.08.19 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2009-0345654-46
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.09.23 수리 (Accepted) 4-1-2009-5184999-34
16 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2009.10.19 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2009-0637986-68
17 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2009.10.19 수리 (Accepted) 1-1-2009-0637987-14
18 등록결정서
Decision to grant		 2009.11.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2009-0489755-92
19 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.12.29 수리 (Accepted) 4-1-2009-5257312-90
20 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2010.04.28 수리 (Accepted) 4-1-2010-5075577-71
21 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.07.07 수리 (Accepted) 4-1-2014-5081860-22
22 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.26 수리 (Accepted) 4-1-2015-0010968-18
23 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.05.18 수리 (Accepted) 4-1-2015-0028543-83
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번호 청구항
1 1
기판을 마련하는 단계;제 1 연마 입자와 산화제가 포함된 제 1 연마 슬러리를 마련하는 단계;상기 제 1 연마 입자보다 강도가 강한 제 2 연마 입자가 포함된 제 2 연마 슬러리를 마련하는 단계; 및상기 제 1 및 제 2 연마 슬러리를 이용하여 상기 기판을 연마하는 단계를 포함하며,상기 제 1 연마 슬러리는 연속 분사하고, 상기 제 2 연마 슬러리는 주기적으로 분사하는 연마 방법
2 2
제 1 항에 있어서, 상기 기판은 실리콘 카바이드 기판을 포함하는 연마 방법
3 3
제 1 항에 있어서, 상기 제 1 연마 입자는 실리카(SiO2), 알루미나(Al2O3), 세리아(CeO2), 망가니아(MnO2) 또는 지르코니아(ZrO2)중 적어도 어느 하나를 포함하는 연마 방법
4 4
제 3 항에 있어서, 상기 제 1 연마 입자는 콜로이달 실리카인 연마 방법
5 5
제 4 항에 있어서, 상기 콜로이달 실리카는 입자의 평균 크기가 10 내지 200㎚인 연마 방법
6 6
제 1 항에 있어서, 상기 산화제는 NaOCl, H2O2, Fe(NO3)3, H5lO6, KlO3, K3Fe(CN)중 적어도 어느 하나를 이용하는 연마 방법
7 7
제 4 항에 있어서, 상기 콜로이달 실리카와 산화제는 부피비가 7∼9:1의 비율로 혼합되는 연마 방법
8 8
제 7 항에 있어서, 상기 콜로이달 실리카는 70 내지 90Vol%로 혼합되고, 상기 산화제는 10Vol%로 혼합되는 연마 방법
9 9
제 1 항에 있어서, 상기 제 2 연마 입자는 다이아몬드, 실리콘 카바이드, 보론 카바이드(B4C)중 적어도 하나를 이용하는 연마 방법
10 10
제 9 항에 있어서, 상기 제 2 연마 입자는 입자의 평균 크기가 5 내지 100㎚인 연마 방법
11 11
삭제
12 12
삭제
13 13
제 1 항에 있어서, 상기 제 2 연마 입자는 상기 제 1 연마 입자 및 상기 산화제의 혼합양에 대해 1% 이하로 혼합되는 연마 방법
14 14
삭제
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.