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중성빔을 이용한 식각장치

  • 기술번호 : KST2015214386
  • 담당센터 : 경기기술혁신센터
  • 전화번호 : 031-8006-1570
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 중성빔을 사용함으로써 전기적 물리적 손상이 없이 식각공정을 수행할 수 있는 무손상 및 대면적의 중성빔 식각장치가 개시된다. 본 발명의 식각장치는, 일정한 극성을 갖는 이온빔을 추출하여 가속시킬 수 있는 이온소오스, 상기 이온소오스의 말단에 위치하며, 이온빔이 통과하는 복수개의 그리드홀이 형성된 그리드, 상기 그리드와 밀착되어 있으며, 상기 그리드내의 그리드홀에 대응하는 복수개의 반사체홀이 형성되어 있으며, 그리드홀을 통과한 이온빔을 상기 반사체홀 내에서 반사시켜 중성빔으로 전환시켜주는 반사체 및 상기 중성빔의 진행경로상에 피식각기판을 위치시킬 수 있는 스테이지를 포함한다.중성빔, 그리드, 반사체, 이온빔, 입사각, 식각,
Int. CL H01L 21/3065 (2006.01)
CPC
출원번호/일자 1020010073880 (2001.11.26)
출원인 학교법인 성균관대학
등록번호/일자 10-0412953-0000 (2003.12.15)
공개번호/일자 10-2003-0042958 (2003.06.02) 문서열기
공고번호/일자 (20031231) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2001.11.26)
심사청구항수 10

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 학교법인 성균관대학 대한민국 서울 종로구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 염근영 대한민국 서울 송파구
2 이도행 대한민국 경기도수원시장안구
3 정민재 대한민국 경기도부천시소사구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인정직과특허 대한민국 서울 강남구 선릉로 ***(논현동, 썬라이더빌딩 *층)
2 이희명 대한민국 대전광역시 서구 청사로 *** ***호(둔산동, 청사오피스텔)(아이앤디국제특허법률사무소)
3 윤여표 대한민국 서울특별시 서초구 방배로**길 *, ***호(방배동,정암빌딩)(웰컨설팅(분사무소))

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 성균관대학교 산학협력단 경기 수원시 장안구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2001.11.26 수리 (Accepted) 1-1-2001-0308555-89
2 전자문서첨부서류제출서
Submission of Attachment to Electronic Document		 2001.11.27 수리 (Accepted) 1-1-2001-5325643-81
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.10.24 수리 (Accepted) 4-1-2002-0082187-27
4 대리인 변경 신고서
Agent change Notification		 2002.10.25 수리 (Accepted) 1-1-2002-0350863-01
5 출원인변경신고서
Applicant change Notification		 2002.10.26 수리 (Accepted) 1-1-2002-5260642-12
6 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2003.10.07 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
7 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2003.11.18 수리 (Accepted) 9-1-2003-0056190-51
8 등록결정서
Decision to grant		 2003.12.10 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2003-0456866-71
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번호 청구항
1 1

일정한 극성을 갖는 이온빔을 추출하여 가속시킬 수 있는 이온소오스;

상기 이온소오스의 말단에 위치하며, 이온빔이 통과하는 복수개의 그리드홀이 형성된 그리드;

상기 그리드와 밀착되어 있으며, 상기 그리드내의 그리드홀에 대응하는 복수개의 반사체홀이 형성되어 있으며, 그리드홀을 통과한 이온빔을 상기 반사체홀 내에서 반사시켜 중성빔으로 전환시켜주는 반사체; 및

상기 중성빔의 진행경로상에 피식각기판을 위치시킬 수 있는 스테이지를 포함하는 중성빔을 이용한 식각장치

2 2

제 1 항에 있어서, 상기 반사체와 스테이지 사이에 리타딩 그리드가 더 설치된 것을 특징으로 하는 중성빔을 이용한 식각장치

3 3

제 1 항에 있어서, 상기 그리드홀들의 직경에 비하여 상기 반사체홀들의 직경이 같거나 더 큰 것을 특징으로 하는 중성빔을 이용한 식각장치

4 4

제 1 항에 있어서, 상기 그리드는 원통형으로 구성되며 그의 후단부에는 가장자리를 따라 돌출부가 형성되며, 상기 반사체는 원통형으로 구성되며 그의 전단부에는 상기 그리드의 돌출부에 내삽될 수 있는 돌출부가 형성된 것을 특징으로 하는 중성빔을 이용한 식각장치

5 5

제 4 항에 있어서, 상기 그리드홀들을 통과하여 직진하는 이온빔이 상기 반사체홀 내에서 반사되도록 상기 반사체홀들은 이온빔의 직진 방향에 대하여 일정한 각도로 경사져 있는 것을 특징으로 하는 중성빔을 이용한 식각장치

6 6

제 5 항에 있어서, 상기 반사체홀들은 상기 반사체내에서 상기 반사체의 중심선에 대하여 일정한 각도로 경사져 있는 것을 특징으로 하는 중성빔을 이용한 식각장치

7 7

제 5 항에 있어서, 상기 반사체홀들은 상기 반사체내에서 상기 반사체의 중심선에 대하여 평행하게 형성되어 있으며, 상기 반사체의 외주를 따라 상기 돌출부의 돌출 높이가 일정한 각도로 경사져 있는 것을 특징으로 하는 중성빔을 이용한 식각장치

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제 1 항에 있어서, 상기 이온소오스는 유도결합형 플라즈마 소오스인 것을 특징으로 하는 중성빔을 이용한 식각장치

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제 1 항에 있어서, 상기 반사체의 재질은 반도체기판, 이산화규소 또는 금속기판으로 이루어진 것을 특징으로 하는 중성빔을 이용한 식각장치

10 10

제 1 항에 있어서, 상기 반사체내의 반사체홀의 표면에 입사되는 이온빔의 입사각이 5°내지 15°의 범위인 것을 특징으로 하는 중성빔을 이용한 식각장치

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1 US06926799 US 미국 FAMILY
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1 US2003098126 US 미국 DOCDBFAMILY
2 US6926799 US 미국 DOCDBFAMILY
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