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서로 이웃하며 제1 전압을 인가받는 적어도 두 개의 제1 전극들;상기 제1 전극들의 좌우 양측에 위치하며 제2 전압을 인가받는 두 개의 제2 전극들; 및상기 제1 전극들과 상기 제2 전극들의 하부에 위치하며 피처리 기판을 지지하는 접지 전극을 포함하고,상기 제1 전극들과 상기 제2 전극들은 각자의 유전체로 둘러싸이며, 상기 제1 전압과 상기 제2 전압은 서로 반대 극성을 가지면서 시간에 따라 변하는 전압인 유전체 장벽 방전 반응기
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제1항에 있어서,상기 제1 전극들은 각자의 제1 유전체로 둘러싸이며, 상기 제2 전극들은 각자의 제2 유전체로 둘러싸이는 유전체 장벽 방전 반응기
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제5항에 있어서,상기 제1 유전체들 및 상기 제2 유전체들의 상부에 가스 분배기가 제공되어 상기 제1 유전체와 제2 유전체의 사이 공간 및 제1 유전체들의 사이 공간으로 방전 가스를 분사하는 유전체 장벽 방전 반응기
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제6항에 있어서,상기 제1 유전체와 상기 제2 유전체의 사이 공간에서 상기 제1 전압과 상기 제2 전압의 차에 의해 플라즈마 방전이 개시되고, 이후 상기 피처리 기판의 상부 공간에서 방전이 일어나 상기 피처리 기판을 표면 처리하는 유전체 장벽 방전 반응기
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8
제7항에 있어서,상기 제1 유전체들과 상기 피처리 기판의 사이 공간에서 상기 제1 전압과 접지 전압의 차에 의해 플라즈마 방전이 일어나 상기 피처리 기판을 표면 처리하고, 이후 상기 제1 유전체들의 사이 공간으로 방전이 확대되는 유전체 장벽 방전 반응기
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제8항에 있어서,상기 제1 유전체들 하부의 방전 세기는 상기 제2 유전체들 하부의 방전 세기보다 강하고, 상기 제2 유전체들 하부의 방전 균일도는 상기 제1 유전체들 하부의 방전 균일도보다 우수한 유전체 장벽 방전 반응기
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제5항에 있어서,상기 제1 전극들 및 상기 제2 전극들 각각은 상기 피처리 기판과 마주하는 바닥면을 포함하며, 상기 제1 전극들 및 상기 제2 전극들의 바닥면은 같은 폭으로 형성되는 유전체 장벽 방전 반응기
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11
제5항에 있어서,상기 제2 전극들 각각은 상기 피처리 기판과 마주하는 수평부와, 상기 제1 전극과 마주하는 수직부를 포함하며, 상기 두 개의 제2 전극은 좌우 대칭으로 위치하는 유전체 장벽 방전 반응기
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제1항, 및 제5항 내지 제11항 중 어느 한 항에 있어서,상기 제1 전압과 상기 제2 전압은 서로 반대 극성의 바이폴라 펄스 전압이며, 1kHz 이상의 구동 주파수를 가지는 유전체 장벽 방전 반응기
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