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플라즈마 처리장치

  • 기술번호 : KST2016000033
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 이온을 트랩하거나 중성화하여 래디컬과 중성화 이온만을 통과시키는 플라즈마 처리장치가 개시된다. 상기 플라즈마 처리장치는, 상부에 플라즈마 발생부가 형성되는 챔버; 상기 플라즈마 발생부에 대응하는 상기 챔버 부분의 외측면을 감싸며 설치되어 플라즈마 소스가 공급되는 RF 안테나; 및 상기 플라즈마 발생부 하부에 설치되고, 다수 개의 스루 홀들이 형성되며, DC 바이어스나 RF 전압이 인가되는 바이어스 그리드 전극을 포함한다. 플라즈마, 그리드, 격자, 래디컬, 중성 이온, 이온 에너지, RF
Int. CL H01J 37/32 (2006.01.01) H05H 1/46 (2006.01.01) H05H 1/46 (2006.01.01)
CPC H01J 37/321(2013.01) H01J 37/321(2013.01) H01J 37/321(2013.01) H01J 37/321(2013.01)
출원번호/일자 1020080006124 (2008.01.21)
출원인 한양대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-0974962-0000 (2010.08.03)
공개번호/일자 10-2009-0080257 (2009.07.24) 문서열기
공고번호/일자 (20100809) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2008.01.21)
심사청구항수 6

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한양대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성동구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 전형탁 대한민국 서울 노원구
2 김석훈 대한민국 인천광역시 부평구
3 우상현 대한민국 서울 강남구
4 김형철 대한민국 경기 안양시 동안구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 정현영 대한민국 서울특별시 금천구 벚꽃로 ***, ****호-** (가산동, 대륭포스트타워*차)(정특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한양대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성동구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2008.01.21 수리 (Accepted) 1-1-2008-0048065-49
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2008.03.11 수리 (Accepted) 4-1-2008-5037763-28
3 [대리인사임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Resignation of Agent] Report on Agent (Representative)
2008.06.17 수리 (Accepted) 1-1-2008-0431788-14
4 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2009.02.09 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
5 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2009.03.25 수리 (Accepted) 9-1-2009-0019407-80
6 [대리인사임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Resignation of Agent] Report on Agent (Representative)
2009.07.29 수리 (Accepted) 1-1-2009-0466569-76
7 [대리인사임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Resignation of Agent] Report on Agent (Representative)
2009.07.29 수리 (Accepted) 1-1-2009-0466018-31
8 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2010.01.13 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0015947-36
9 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2010.03.03 수리 (Accepted) 1-1-2010-0136871-78
10 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2010.03.03 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2010-0136877-41
11 등록결정서
Decision to grant
2010.07.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0327054-64
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.06.05 수리 (Accepted) 4-1-2014-5068294-39
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.02.16 수리 (Accepted) 4-1-2015-5022074-70
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.08.05 수리 (Accepted) 4-1-2019-5155816-75
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.08.06 수리 (Accepted) 4-1-2019-5156285-09
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
상부에 플라즈마 발생부가 형성되는 챔버; 상기 플라즈마 발생부에 대응하는 상기 챔버 부분의 외측면을 감싸며 설치되어 플라즈마 소스가 공급되는 RF 안테나; 및 상기 플라즈마 발생부 하부에 설치되고, 플라즈마 통로로 기능하는 다수 개의 스루 홀들이 형성되며, DC 바이어스나 RF 전압이 인가되는 바이어스 그리드 전극을 포함하며, 상기 바이어스 그리드 전극은 상기 챔버 내벽에 접촉하여 상기 플라즈마 발생부와 상기 챔버 하부를 구획하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리장치
2 2
청구항 1에 있어서, 상기 플라즈마 발생부의 상부에 설치되고, DC 바이어스나 RF 전압이 인가되는 바이어스 전극을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리장치
3 3
청구항 1 또는 2에 있어서, 상기 스루 홀의 직경에 대한 길이의 비가 1 내지 40인 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리장치
4 4
청구항 1 또는 2에 있어서, 상기 바이어스 그리드 전극은 상기 다수 개의 스루 홀과 구획되는 내부공간을 구비한 매니폴드(manifold) 형태로 구성되고, 상기 내부공간의 측면에 소스를 공급하는 소스공급관이 연통되며, 상기 바이어스 그리드 전극의 하면에는 상기 내부공간의 소스를 배출하는 다수 개의 소스분출공이 형성되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리장치
5 5
청구항 1 또는 2에 있어서, 기판 위에 위치한 링 형상의 소스분출 유닛의 하면을 따라 형성된 다수 개의 소스분출공을 통하여 소스가 공급되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리장치
6 6
청구항 1 또는 2에 있어서, 상기 플라즈마 소스는, 라디오주파수 플라즈마(RFP), 저주파수 플라즈마(LFP), 중주파수 플라즈마(MFP), 고밀도 플라즈마(HDP), 유도결합 플라즈마(ICP), 정전결합 플라즈마(CCP), 및 전자 싸이클론 공진(ECR)을 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리장치
7 7
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1 과학기술부 한양대학교 21세기 프론티어연구개발사업 단원자층 증착기술 개발