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나노구조물 패터닝 방법

  • 기술번호 : KST2016000458
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 나노구조물 패터닝 방법에 관한 것으로, 본 발명의 목적은 경제적인 콜로이달 리소그래피와 인쇄기법 혹은 테이프 마스킹 기법을 결합하여 특정 위치에 나노구조물들을 정렬시킴으로서 발수성 혹은 친수성과 같은 단순 기능이 아닌 수분 포집 및 제습과 같은 복합 기능의 수행이 가능하도록 기재의 표면을 처리하는, 간편한 나노구조물 패터닝 방법을 제공함에 있다.본 발명에 의한 나노구조물 패터닝 방법은, 기재(1)의 표면에 콜로이달 입자 단층막을 코팅하는 콜로이달 입자 단층막 코팅 단계; 상기 기재(1)의 패턴(2) 영역을 제외한 부분의 표면에 마스킹(3)하는 마스킹 단계; 마스킹된 상기 기재(1)를 에칭하여 패턴(2) 부분에 나노구조물을 형성시키는 나노구조물 형성 단계; 상기 기재(1) 상에 형성되어 있는 상기 마스킹(3)을 제거하는 마스킹 제거 단계; 를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 한다.나노구조물, 패터닝, 마스킹, 친수성, 발수성
Int. CL B82B 3/00 (2006.01)
CPC B82B 3/0095(2013.01) B82B 3/0095(2013.01) B82B 3/0095(2013.01) B82B 3/0095(2013.01) B82B 3/0095(2013.01) B82B 3/0095(2013.01) B82B 3/0095(2013.01) B82B 3/0095(2013.01) B82B 3/0095(2013.01)
출원번호/일자 1020090127387 (2009.12.18)
출원인 한국기계연구원
등록번호/일자 10-1168250-0000 (2012.07.18)
공개번호/일자 10-2011-0070530 (2011.06.24) 문서열기
공고번호/일자 (20120730) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2009.12.18)
심사청구항수 3

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국기계연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 임현의 대한민국 대전광역시 서구
2 지승묵 대한민국 대전광역시 유성구
3 김완두 대한민국 대전광역시 서구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김종관 대한민국 대전광역시 서구 한밭대로 ***번지 (둔산동, 사학연금회관) **층(특허법인 플러스)
2 박창희 대한민국 대전광역시 서구 한밭대로 ***번지 (둔산동, 사학연금회관) **층(특허법인 플러스)
3 권오식 대한민국 대전광역시 서구 한밭대로 ***번지 (둔산동, 사학연금회관) **층(특허법인 플러스)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국기계연구원 대전광역시 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2009.12.18 수리 (Accepted) 1-1-2009-0786568-47
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2011.04.08 수리 (Accepted) 4-1-2011-5069914-14
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2011.04.08 수리 (Accepted) 4-1-2011-5069919-31
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2011.09.16 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0524556-27
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2011.11.10 수리 (Accepted) 1-1-2011-0889711-77
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2011.11.10 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2011-0889730-34
7 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2012.04.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0254287-74
8 [명세서등 보정]보정서(재심사)
Amendment to Description, etc(Reexamination)		 2012.05.22 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2012-0409170-86
9 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2012.05.22 수리 (Accepted) 1-1-2012-0409122-05
10 등록결정서
Decision to Grant Registration		 2012.06.22 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0360909-84
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2017.11.28 수리 (Accepted) 4-1-2017-5193093-72
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기재(1)의 표면에 콜로이달 입자 단층막을 코팅하는 콜로이달 입자 단층막 코팅 단계;상기 기재(1)의 패턴(2) 영역을 제외한 부분의 표면에 마스킹(3)하는 마스킹 단계;마스킹된 상기 기재(1)를 에칭하여 패턴(2) 부분에 나노구조물을 형성시키는 나노구조물 형성 단계;상기 기재(1) 상에 형성되어 있는 상기 마스킹(3)을 제거하는 마스킹 제거 단계;를 포함하여 이루어지되,상기 마스킹 단계는, 기재(1)의 패턴(2) 영역을 제외한 부분의 표면에 마스킹 테이프를 부착하는 단계; 또는 기재(1)의 패턴(2) 영역을 제외한 부분의 표면에 마스킹 잉크로 인쇄하는 단계; 중 선택되는 어느 한 가지 이상으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 나노구조물 패터닝 방법
2 2
기재(1)의 표면에 콜로이달 입자 단층막을 코팅하는 콜로이달 입자 단층막 코팅 단계;상기 기재(1)의 패턴(2) 영역을 제외한 부분의 표면에 마스킹(3)하는 마스킹 단계;마스킹된 상기 기재(1)를 에칭하여 패턴(2) 부분에 나노구조물을 형성시키는 나노구조물 형성 단계;나노구조물이 형성된 상기 패턴(2) 영역의 표면 처리를 수행하는 표면 처리 단계;상기 기재(1) 상에 형성되어 있는 상기 마스킹(3)을 제거하는 마스킹 제거 단계;를 포함하여 이루어지되,상기 마스킹 단계는, 기재(1)의 패턴(2) 영역을 제외한 부분의 표면에 마스킹 테이프를 부착하는 단계; 또는 기재(1)의 패턴(2) 영역을 제외한 부분의 표면에 마스킹 잉크로 인쇄하는 단계; 중 선택되는 어느 한 가지 이상으로 이루어지며,상기 표면 처리 단계는 발수성 처리를 수행하는 단계; 또는 친수성 처리를 수행하는 단계; 중 선택되는 어느 한 가지로 이루어지는 것을 특징으로 하는 나노구조물 패터닝 방법
3 3
기재(1)의 표면에 콜로이달 입자 단층막을 코팅하는 콜로이달 입자 단층막 코팅 단계;상기 기재(1)를 에칭하여 나노구조물을 형성시키는 나노구조물 형성 단계;상기 기재(1)의 패턴(2) 영역을 제외한 부분의 표면에 마스킹(3)하는 마스킹 단계;나노구조물이 형성되고 마스킹이 수행된 상기 패턴(2) 영역의 표면 처리를 수행하는 표면 처리 단계;상기 기재(1) 상에 형성되어 있는 상기 마스킹(3)을 제거하는 마스킹 제거 단계;를 포함하여 이루어지되,상기 마스킹 단계는, 기재(1)의 패턴(2) 영역을 제외한 부분의 표면에 마스킹 테이프를 부착하는 단계; 또는 기재(1)의 패턴(2) 영역을 제외한 부분의 표면에 마스킹 잉크로 인쇄하는 단계; 중 선택되는 어느 한 가지 이상으로 이루어지며,상기 표면 처리 단계는 발수성 처리를 수행하는 단계; 또는 친수성 처리를 수행하는 단계; 중 선택되는 어느 한 가지로 이루어지는 것을 특징으로 하는 나노구조물 패터닝 방법
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 지경부 한국기계연구원 청정기반 전략기술개발 콜로이달 리소그래피를 이용한 초발수 미세 패턴 가공기술 개발