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기판;상기 기판 위에 형성된 제 1 반도체층;상기 제 1 반도체층 위에 형성되어 빛을 발생시키는 활성층;상기 활성층위에 형성된 제 2 반도체층; 및상기 제 2 반도체층 위에, 인가되는 전계에 의해서 저항상태가 고저항 상태에서 저저항 상태로 변화된 투명 재질의 절연물질로 형성된 투명 전극;을 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 소자
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제 1 항에 있어서, 상기 투명 전극 위에 형성된 반사층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 소자
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제 2 항에 있어서, 상기 반사층은 서브마운트 기판에 형성된 제 1 도전성 패턴과 접촉하고, 외부로 드러난 상기 제 1 반도체층에 형성된 전극 패드는 범프를 통해서 상기 서브마운트 기판에 형성된 제 2 도전성 패턴과 접촉하도록 상기 기판과 상기 서브마운트 기판이 서로 결합된 것을 특징으로 하는 발광 소자
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기판;상기 기판 위에 형성된 반사층;상기 반사층 위에, 인가되는 전계에 의해서 저항상태가 고저항 상태에서 저저항 상태로 변화된 투명 재질의 절연물질로 형성된 투명 전극;상기 투명 전극 위에 형성된 제 2 반도체층;상기 제 2 반도체층 위에 형성되어 빛을 발생시키는 활성층; 및상기 활성층 위에 형성된 제 1 반도체층을 포함하는 것을 특징으로 하는 발광소자
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제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 투명 전극은 고유한 임계 전압 이상의 전압이 인가되어 포밍(forming) 공정이 수행됨으로써, 내부에 전도성 필라멘트가 형성된 것을 특징으로 하는 발광 소자
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제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 제 1 반도체층은 n-AlGaN 층으로 형성되고, 상기 제 2 반도체층은 p-AlGaN층 또는 p-AlGaN층과 p-GaN 박막으로 형성된 것을 특징으로 하는 발광 소자
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제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 투명 전극은 상기 제 2 반도체층과 오믹 콘택되는 것을 특징으로 하는 발광소자
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제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 투명 전극은 투명한 Oxide 계열의 물질, 투명한 Nitride 계열의 물질, 투명한 폴리며 계열의 물질, 및 투명한 나노 물질들 중 어느 하나로 형성되는 것을 특징으로 하는 발광소자
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제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 제 2 반도체층과 상기 투명 전극 사이에 CNT(Carbon Nano Tube) 또는 그래핀으로 형성되는 전류확산층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 발광소자
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제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 투명 전극의 상기 제 2 반도체층이 접촉하는 면의 반대면에 접촉하고, CNT(Carbon Nano Tube) 또는 그래핀으로 형성되는 전류확산층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 발광소자
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(a) 기판위에 제 1 반도체층, 빛을 발생시키는 활성층, 및 제 2 반도체층을 순차적으로 형성하는 단계;(b) 상기 제 2 반도체층 위에, 인가되는 전계에 의해서 저항상태가 고저항 상태에서 저저항 상태로 변화되는 투명 재질의 절연물질로 투명 전극을 형성하는 단계; 및(c) 상기 투명 전극에 전압을 인가하여 상기 투명 전극의 저항 상태를 저저항 상태로 변화시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 발광소자 제조 방법
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제 11 항에 있어서,(d) 상기 투명 전극 위에 반사층을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 발광소자 제조 방법
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제 12 항에 있어서, (e) 상기 제 1 반도체층이 드러나도록 상기 투명 전극, 상기 제 2 반도체층, 및 상기 활성층을 식각하고 상기 제 1 반도체층 위에 전극 패드를 형성하는 단계; 및(f) 서브마운트 기판에 형성된 제 1 도전성 패턴과 상기 반사층이 접촉하고, 상기 서브마운트 기판에 형성된 제 2 도전성 패턴과 상기 전극 패드가 범프를 통해서 서로 접촉하도록 상기 기판과 상기 서브마운트 기판을 서로 결합시키는 단계를 더 포함하는 발광소자 제조방법
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제 12 항에 있어서,(e) 상기 반사층 위에 접합층을 형성하고, 서브마운트 기판을 상기 접합층에 접합시키는 단계; 및(f) 상기 기판을 상기 제 1 반도체층으로부터 분리하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 발광소자 제조방법
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제 11 항 내지 제 14 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 (c) 단계는 상기 투명 전극에 임계 전압 이상의 전압을 인가함으로써 포밍(forming) 공정을 수행하여, 상기 투명 전극 내부에 전도성 필라멘트를 형성하는 것을 특징으로 하는 발광소자 제조방법
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제 11 항 내지 제 14 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 제 1 반도체층은 n-AlGaN 층으로 형성되고, 상기 제 2 반도체층은 p-AlGaN층 또는 p-AlGaN층과 p-GaN 박막으로 형성되는 것을 특징으로 하는 발광 소자 제조 방법
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제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 투명 전극은 상기 제 2 반도체층과 오믹 콘택되는 것을 특징으로 하는 발광소자 제조 방법
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제 11 항 내지 제 14 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 투명 전극은 투명한 Oxide 계열의 물질, 투명한 Nitride 계열의 물질, 투명한 폴리며 계열의 물질, 및 투명한 나노 물질들 중 어느 하나로 형성되는 것을 특징으로 하는 발광소자 제조방법
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제 11 항 내지 제 14 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 (a) 단계와 상기 (b) 단계 사이에, 상기 제 2 반도체층 위에 CNT(Carbon Nano Tube) 또는 그래핀으로 전류확산층을 형성하는 단계를 더 포함하고,상기 (b) 단계에서, 상기 투명 전극은 상기 전류확산층 위에 형성되는 것을 특징으로 하는 발광소자 제조방법
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제 11 항 내지 제 14 항 중 어느 한 항에 있어서, 저저항 상태로 변화된 상기 투명 전극 위에 CNT(Carbon Nano Tube) 또는 그래핀으로 전류확산층을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 발광소자 제조 방법
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