맞춤기술찾기

홈으로 가기
맞춤기술찾기
이전대상기술
프린트하기

이전대상기술

깊은 제거를 이용하여 원하는 패턴 두께 혹은 높은종횡비를 가지는 고해상도 패턴 형성 방법

  • 기술번호 : KST2016004052
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
상담신청 PDF 받기
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명에 따른 패턴형성 방법은 반고체상 혹은 고체상의 재료로 이뤄진 단층 혹은 다층의 희생필름을 기판상에 부분 혹은 전면 부착 후에 레이저 등의 집속 가능한 에너지 빔을 이용하여 기능성 재료가 채워질 부분을 선가공한 후에, 잉크젯 등의 방식으로 기능성 재료를 상기 선가공된 곳에 채워넣은 후 건조시킨 후에, 희생필름을 제거함으로서 최종적으로 원하는 패턴을 형성시킬 수 있다는 것을 특징으로 한다. 본 발명에 따른 프리패턴이 형성된 기판은 기능성 재료의 낭비를 최소화할 수 있으며 높은 종횡비(패턴 두께/패턴 선폭)를 가지는 고해상도의 패턴을 얻을 수 있다. 특히, 기능성 재료의 전달과 재료 사용률에 효과적인 수단인 잉크젯 방식 단독으로는 얻기 힘든 고해상도 패턴을 레이저 등의 집속 가능한 에너지 빔의 고해상도화 특징을 접목함으로서, 고해상도의 패턴을 높은 공정효율로 생산할 수 있으며, 원하는 최종 패턴 두께를 희생필름을 사용함으로써 얻을 수 있다.고해상도 패턴, 높은 종횡비
Int. CL H01L 21/28 (2006.01) H01L 21/027 (2006.01)
CPC H01L 51/0022(2013.01) H01L 51/0022(2013.01) H01L 51/0022(2013.01) H01L 51/0022(2013.01)
출원번호/일자 1020060039985 (2006.05.03)
출원인 한국기계연구원
등록번호/일자 10-0690930-0000 (2007.02.27)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20070309) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2006.05.03)
심사청구항수 42

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 한국기계연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 신동윤 대한민국 대구 남구
2 김동수 대한민국 대전 서구
3 김충환 대한민국 서울 강남구
4 이택민 대한민국 대전 유성구
5 조정대 대한민국 대전 유성구
6 최병오 대한민국 대전 유성구

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 양광남 대한민국 서울(특허법인 퇴사후 사무소변경 미신고)
2 연무식 대한민국 서울(특허법인 퇴사후 사무소변경 미신고)

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 한국기계연구원 대한민국 대전광역시 유성구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2006.05.03 수리 (Accepted) 1-1-2006-0314175-12
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2007.01.09 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2007.02.09 수리 (Accepted) 9-1-2007-0008072-51
4 등록결정서
Decision to grant		 2007.02.22 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2007-0100033-11
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2011.04.08 수리 (Accepted) 4-1-2011-5069919-31
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2011.04.08 수리 (Accepted) 4-1-2011-5069914-14
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2017.11.28 수리 (Accepted) 4-1-2017-5193093-72
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판상에 부착된 희생필름을 제거한 후 상기 제거된 부분에 기능성 재료를 적층하여 패턴을 형성하는 방법으로서,상기 기능성 재료중 최종적으로 막형태로 잔존하는 부피분율이 α(vol%)이고, 요구되는 패턴 두께가 β(㎛)일 때 100×β/α (㎛) 혹은 그 이상 두께를 가지는 희생필름을 상기 기판상에 라이네이터 등을 이용하여 부착하는 희생필름 부착 단계(S1);상기 부착된 희생필름을 원하는 형태로 패터닝하기 위해 집속 가능한 에너지 빔을 조사하여 패턴 주형을 형성하는 패턴 주형 형성 단계(S2);상기 패턴 주형에 기능성 재료를 적층하여 패턴을 형성하는 적층 단계(S3)를 포함하는 것을 특징으로 하는 깊은 제거를 이용하여 원하는 패턴두께 혹은 높은 종횡비를 가지는 고해상도 패턴 형성 방법
2 2
제1항에 있어서,상기 적층 단계(S3)수행 후 상기 패턴이외의 부분에 남아 있는 희생필름을 제거함으로서 희생필름 상부에 적층되어 있는 불필요한 기능성재료도 함께 제거하여 기능성 재료로 된 패턴만을 남기는 단계(S4)를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 깊은 제거를 이용하여 원하는 패턴두께 혹은 높은 종횡비를 가지는 고해상도 패턴 형성 방법
3 3
제 1항에 있어서, 상기 기판에 이미 패턴이 구성된 경우, 상기 패턴을 보호하는 보호층 또는, 상기 집속 가능한 에너지 빔을 차폐하여 상기 기판의 하부를 보호하는 차광층 또는, 상기 희생필름이 상기 기판에 부착되기 위한 부착력을 향상시키기 위한 점착 혹은 접착력을 가지는 부착층 또는, 상기 부착층을 상기 기판 보관시 보호하기 위한 제거필름 중 어느 하나를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 깊은 제거를 이용하여 원하는 패턴두께 혹은 높은 종횡비를 가지는 고해상도 패턴 형성 방법
4 4
제 3항에 있어서, 상기 기판으로부터 보호층과 차광층 혹은 차광층과 보호층의 순서로, 혹은 이들 층의 반복적인 순차적층되거나 또는, 상기 보호층, 차광층, 부착층이 개별적으로 적층되거나 하나의 층이 다른 층들의 역할을 수행하는 것을 특징으로 하는 깊은 제거를 이용하여 원하는 패턴 두께 또는 높은 종횡비를 가지는 고해상도패턴 형성 방법
5 5
제 1항에 있어서, 상기 희생필름은 집속 가능한 에너지 빔에 의해서 용이하게 제거되는 물질로서 하나 혹은 복수개의 층들로 구성되는 것으로서,상기 기판의 보관시 보호하기 위한 최상부 제거필름;과, 공정중 발생하는 오염을 방지하기 위한 보호층;과, 집속 가능한 에너지에 의해 용이하게 제거되는 것으로서 저분자 혹은 고분자 물질, 혹은 이들의 혼합으로 구성되는 희생층;과, 상기 집속 가능한 에너지 빔이 상기 희생필름 하부로 전달되는 것을 차폐하기 위한 차광층;과, 상기 기판과 희생필름의 부착을 용이하게 하기 위해 상기 희생필름의 하면에 부착되는 점착 혹은 접착력을 가지는 부착층;과, 상기 부착층에 오염 물질이 부착되는 것을 방지하는 최하부 제거필름; 중 적어도 하나 이상의 층을 더 포함하며,하나의 층이 상기 층들의 역할을 동시에 수행하는 것을 특징으로 하는 깊은 제거를 이용하여 원하는 패턴두께 혹은 높은 종횡비를 가지는 고해상도 패턴 형성 방법
6 6
제5항에 있어서,상기 희생필름의 적층 구조에서 최상위 제거필름 하부에 기능성 재료와의 소수성 혹은 친수성 등의 표면 젖음성을 조절하기 위하여 계면 활성제 또는 폴리머층 또는 상기 계면 활성제가 혼합된 폴리머층이 코팅되어 있는 것을 특징으로 하는 깊은 제거를 이용하여 원하는 패턴두께 혹은 높은 종횡비를 가지는 고해상도 패턴 형성 방법
7 7
제5항에 있어서,상기 희생필름의 최상위 제거필름을 제거한 후 기능성 재료와의 소수성 혹은 친수성 등의 표면 젖음성을 조절하기 위하여 계면 활성제를 코팅하는 것을 특징으로 하는 깊은 제거를 이용하여 원하는 패턴두께 혹은 높은 종횡비를 가지는 고해상도 패턴 형성 방법
8 8
제5항에 있어서,상기 희생필름의 최상위 제거필름을 제거한 후 기능성 재료와의 소수성 혹은 친수성 등의 표면 젖음성을 조절하기 위하여 상압 플라즈마, 코로나 등의 건식방법으로 표면처리를 행하는 것을 특징으로 하는 깊은 제거를 이용하여 원하는 패턴두께 혹은 높은 종횡비를 가지는 고해상도 패턴 형성 방법
9 9
제5항에 있어서,상기 희생필름 형성 물질로서 폴리머의 분자량 선택은 상기 집속 가능한 에너지 빔에 의해 제거된 모서리가 깨끗해야 할 경우 저분자계열의 희생필름 이용하는 것을 특징으로 하는 깊은 제거를 이용하여 원하는 패턴두께 혹은 높은 종횡비를 가지는 고해상도 패턴 형성 방법
10 10
제5항에 있어서,상기 희생필름 형성 물질로서 폴리머의 분자량 선택은 상기 집속 가능한 에너지 빔에 의해 제거된 모서리에 격벽 형성이 필요한 경우 고분자계열의 희생필름을 이용하는 것을 특징으로 하는 깊은 제거를 이용하여 원하는 패턴두께 혹은 높은 종횡비를 가지는 고해상도 패턴 형성 방법
11 11
제5항에 있어서,상기 희생필름 형성 물질로서 폴리머의 분자량 선택은 저분자계열과 고분자계열의 조합을 통해 희생필름의 물리/화학적 성질을 조절하는 것을 특징으로 하는 깊은 제거를 이용하여 원하는 패턴두께 혹은 높은 종횡비를 가지는 고해상도 패턴 형성 방법
12 12
제5항에 있어서,상기 희생필름 형성 물질로서 사용되는 집속 에너지 빔에 대한 흡광성을 높이는 흡광제가 첨가된 것을 특징으로 하는 깊은 제거를 이용하여 원하는 패턴두께 혹은 높은 종횡비를 가지는 고해상도 패턴 형성 방법
13 13
제5항에 있어서,상기 희생필름 형성 물질로서 희생필름의 유연성을 높이는 유연제가 첨가된 것을 특징으로 하는 깊은 제거를 이용하여 원하는 패턴두께 혹은 높은 종횡비를 가지는 고해상도 패턴 형성 방법
14 14
제1항에 있어서,상기 패턴 주형 형성 단계(S2)에서 희생필름의 제거시에 집속 가능한 에너지 빔으로서 레이저 또는 전자 빔 또는 집속 이온 빔을 이용하는 것을 특징으로 하는 깊은 제거를 이용하여 원하는 패턴두께 혹은 높은 종횡비를 가지는 고해상도 패턴 형성 방법
15 15
제1항에 있어서,상기 패턴 주형 형성 단계(S2)에서 빔의 출력, 크기, 스캐닝 속도, 패터닝에 대한 디지털화된 데이터를 이용하여 집속 가능한 에너지 빔을 제어하여 기판상에 직접 조사하는 것을 특징으로 하는 깊은 제거를 이용하여 원하는 패턴두께 혹은 높은 종횡비를 가지는 고해상도 패턴 형성 방법
16 16
제1항에 있어서,상기 패턴 주형 형성 단계(S2)에서 집속 가능한 에너지 빔의 조사 형상을 제어하기 위해 마스크나 회절광학소자를 이용한 빔 세이퍼를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 깊은 제거를 이용하여 원하는 패턴두께 혹은 높은 종횡비를 가지는 고해상도 패턴 형성 방법
17 17
제1항에 있어서,상기 패턴 주형 형성 단계(S2)에서 집속 가능한 에너지 빔의 조사 형상을 제어하기 위해 기판상에 마스크나 회절광학소자가 사용되는 것을 특징으로 하는 깊은 제거를 이용하여 원하는 패턴두께 혹은 높은 종횡비를 가지는 고해상도 패턴 형성 방법
18 18
제1항에 있어서,상기 패턴 주형 형성 단계(S2)에서 집속 가능한 에너지 빔의 조사시 상면이 아닌 후면에서의 조사를 하는 깊은 제거를 이용하여 원하는 패턴두께 혹은 높은 종횡비를 가지는 고해상도 패턴 형성 방법
19 19
제1항에 있어서,상기 패턴 주형 형성 단계(S2)에서 집속 가능한 에너지 빔의 상면 혹은 후면 조사시 제거된 희생물질이 작업환경으로 유입되거나 이미 제거된 영역 혹은 기능성 재료가 적층된 영역을 오염하거나 집속 에너지 빔의 광학계를 오염시키는 것을 방지하기 위해 최상부 제거필름을 제거하지 않고 조사를 하는 것을 특징으로 하는 깊은 제거를 이용하여 원하는 패턴두께 혹은 높은 종횡비를 가지는 고해상도 패턴 형성 방법
20 20
제1항에 있어서,상기 적층 단계(S3)는 디지털화된 데이터를 이용하여 기판상에 직접 패터닝을 행하는 드랍-온-디맨드 잉크젯법을 사용하는 것을 특징으로 하는 깊은 제거를 이용하여 원하는 패턴두께 혹은 높은 종횡비를 가지는 고해상도 패턴 형성 방법
21 21
제1항에 있어서,상기 적층 단계(S3)는 디지털화된 데이터를 이용하여 기판상에 직접 패터닝을 행하는 연속 잉크젯법을 사용하는 것을 특징으로 하는 깊은 제거를 이용하여 높은 종횡비를 가지는 고해상도 패턴 형성 방법
22 22
제1항에 있어서,상기 적층 단계(S3)는 디지털화된 데이터를 이용하여 기판상에 직접 패터닝을 행하는 정전기적 프린팅법(electro static deposition or electro spraying)을 사용하는 것을 특징으로 하는 깊은 제거를 이용하여 원하는 패턴두께 혹은 높은 종횡비를 가지는 고해상도 패턴 형성 방법
23 23
제1항에 있어서,상기 적층 단계(S3)는 노즐을 통해 무화 또는 증기화된 유체 스트림을 디지털화된 데이터를 이용하여 기판상에 직접 패터닝을 행하는 것을 특징으로 하는 깊은 제거를 이용하여 원하는 패턴두께 혹은 높은 종횡비를 가지는 고해상도 패턴 형성 방법
24 24
상기 적층 단계(S3)는 레이저 전사법을 디지털화된 데이터를 이용하여 기판상에 직접 패터닝을 행하는 것을 특징으로 하는 깊은 제거를 이용하여 원하는 패턴두께 혹은 높은 종횡비를 가지는 고해상도 패턴 형성 방법
25 25
제1항에 있어서,상기 적층 단계(S3)는 스크린 프린팅법, 로타리 스크린 프린팅법, 오프셋 프린팅법, 그라비어 프린팅법, 패드 프린팅법, 플렉소 프린팅법, 레터프레스 프린팅법, 소프트 몰드를 사용한 프린팅법 중 하나 이상을 조합하는 것을 특징으로 하는 깊은 제거를 이용하여 원하는 패턴두께 혹은 높은 종횡비를 가지는 고해상도 패턴 형성 방법
26 26
제1항에 있어서,상기 적층 단계(S3)는 스핀 코팅법, 슬릿 코팅법, 또는 딥 코팅법 중 하나이상을 조합하는 것을 특징으로 하는 깊은 제거를 이용하여 원하는 패턴두께 혹은 높은 종횡비를 가지는 고해상도 패턴 형성 방법
27 27
제1항에 있어서,상기 적층 단계(S3)는 적층이 될 소스와 열, 플라즈마, 레이저, 이온빔, 스퍼터링 중 하나 이상을 조합하는 것을 특징으로 하는 깊은 제거를 이용하여 원하는 패턴두께 혹은 높은 종횡비를 가지는 고해상도 패턴 형성 방법
28 28
제1항에 있어서,상기 적층 단계(S3)는 선가공된 희생필름이 포함된 기판을 용액속에 침강시켜 화학적 반응을 유도하는 것을 특징으로 하는 깊은 제거를 이용하여 원하는 패턴두께 혹은 높은 종횡비를 가지는 고해상도 패턴 형성 방법
29 29
제1항에 있어서,상기 적층 단계(S3)는 선가공된 희생필름이 포함된 기판을 기상에서 증착 내지 화학적 반응을 유도하는 것을 특징으로 하는 깊은 제거를 이용하여 원하는 패턴두께 혹은 높은 종횡비를 가지는 고해상도 패턴 형성 방법
30 30
제1항에 있어서,상기 적층 단계(S3) 중 희생필름이 가공된 기판이 가열되는 것을 특징으로 하는 깊은 제거를 이용하여 원하는 패턴두께 혹은 높은 종횡비를 가지는 고해상도 패턴 형성 방법
31 31
제1항에 있어서,상기 적층 단계(S3) 이후 건조단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 깊은 제거를 이용하여 원하는 패턴두께 혹은 높은 종횡비를 가지는 고해상도 패턴 형성 방법
32 32
제1항에 있어서,상기 적층 단계(S3) 이후 광경화와 같은 광화학반응을 유도하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 깊은 제거를 이용하여 원하는 패턴두께 혹은 높은 종횡비를 가지는 고해상도 패턴 형성 방법
33 33
제1항에 있어서,상기 적층 단계 이후 환원반응 또는 치환반응과 같은 화학적 처리에 의한 기능성 재료의 화학반응을 유도하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 깊은 제거를 이용하여 원하는 패턴두께 혹은 높은 종횡비를 가지는 고해상도 패턴 형성 방법
34 34
제1항에 있어서,상기 적층 단계 이후 상기 기능성 재료의 상을 액체에서 고체로의 상변화를 발생시키는 것을 특징으로 하는 깊은 제거를 이용하여 원하는 패턴두께 혹은 높은 종횡비를 가지는 고해상도 패턴 형성 방법
35 35
제1항에 있어서,상기 적층 단계(S3)이후 상기 기능성 재료의 특성을 향상시키기 위해 100℃이상으로 가열하는 소성단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 깊은 제거를 이용하여 원하는 패턴두께 혹은 높은 종횡비를 가지는 고해상도 패턴 형성 방법
36 36
제1항에 있어서,상기 적층 단계(S3)이후 상기 기능성 재료의 특성을 향상시키기 위해 레이저 또는 플라즈마를 패턴에 조사하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 깊은 제거를 이용하여 원하는 패턴두께 혹은 높은 종횡비를 가지는 고해상도 패턴 형성 방법
37 37
제1항에 있어서,상기 적층 단계(S3)이후 희생필름 제거 단계(S4)이전 블레이드나 스크레이퍼, 와이퍼 등을 이용하여 희생필름 상부에 잔류하는 불필요한 기능성 재료를 제거하는 것을 특징으로 하는 깊은 제거를 이용하여 원하는 패턴두께 혹은 높은 종횡비를 가지는 고해상도 패턴 형성 방법
38 38
제2항에 있어서,상기 희생필름의 제거는 상기 희생필름을 녹여내는 용매 또는 용액을 사용하여 제거하는 동시에 상기 희생필름상에 적층되어 있는 기능성 재료도 동시에 제거하는 것을 특징으로 하는 깊은 제거를 이용하여 원하는 패턴두께 혹은 높은 종횡비를 가지는 고해상도 패턴 형성 방법
39 39
제2항에 있어서,상기 희생필름과 상기 희생필름상에 적층되어 있는 기능성 재료의 제거시 상기 희생필름의 박리를 촉진하기 위해 가열을 하는 것을 특징으로 하는 깊은 제거를 이용하여 원하는 패턴두께 혹은 높은 종횡비를 가지는 고해상도 패턴 형성 방법
40 40
제2항에 있어서,상기 희생필름과 상기 희생필름상에 적층되어 있는 기능성 재료의 제거는 기능성 재료의 제거에 필요한 파워 밀도와 에너지 밀도에 비해 희생필름의 제거에 필요한 파워 밀도와 에너지 밀도가 더 낮은 경우, 집속 가능한 에너지 빔을 패터닝에 이용된 해상도 이상으로 확대조사하는 등의 방법으로 파워 밀도와 에너지 밀도를 감소시켜 희생필름만을 선택적으로 제거하는 것을 특징으로 하는 깊은 제거를 이용하여 원하는 패턴두께 혹은 높은 종횡비를 가지는 고해상도 패턴 형성 방법
41 41
제2항에 있어서,상기 희생필름의 제거는 상압 플라즈마, 반응성 이온 에칭, 자외선-오존법과 같은 건식 에칭법을 사용하는 것을 특징으로 하는 깊은 제거를 이용하여 원하는 패턴두께 혹은 높은 종횡비를 가지는 고해상도 패턴 형성 방법
42 42
제2항에 있어서,상기 희생필름을 제거하지 않고 그 자체로써 기능을 행하는 것을 특징으로 하는 희생필름을 이용하여 원하는 패턴두께 혹은 높은 종횡비를 가지는 고해상도 패턴 형성 방법
지정국 정보가 없습니다
순번, 패밀리번호, 국가코드, 국가명, 종류의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 패밀리정보 - 패밀리정보 표입니다.
순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 JP05289703 JP 일본 FAMILY
2 JP19298944 JP 일본 FAMILY
3 US07517467 US 미국 FAMILY
4 US20070259474 US 미국 FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

순번, 패밀리번호, 국가코드, 국가명, 종류의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 패밀리정보 - DOCDB 패밀리 정보 표입니다.
순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 DE102006058559 DE 독일 DOCDBFAMILY
2 DE102006058559 DE 독일 DOCDBFAMILY
3 JP2007298944 JP 일본 DOCDBFAMILY
4 JP5289703 JP 일본 DOCDBFAMILY
5 US2007259474 US 미국 DOCDBFAMILY
6 US7517467 US 미국 DOCDBFAMILY
국가 R&D 정보가 없습니다.