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초전도체, 초전도 선재, 및 초전도체 형성방법(SUPERCONDUCTOR, SUPERCONDUCTING WIRE, AND METHOD OF FORMING THE SAME)

  • 기술번호 : KST2016005382
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 초전도체는 희토류, 바륨 및 구리를 포함하는 초전도 전구체를 열처리하여 액상의 희토류-구리-바륨 산화물을 형성하는 제1 단계, 상기 액상의 희토류-구리-바륨 산화물로부터 에피택시 성장된 상기 희토류-구리-바륨 산화물의 제1 초전도체를 형성하는 제2 단계, 그리고 상기 제1 초전도체를 열처리하여 상기 희토류-구리-바륨 산화물의 제2 초전도체를 형성하는 제3 단계를 포함하는 공정으로 형성되고, 상기 제3 단계의 열처리는 상기 희토류-구리-바륨 산화물이 액상을 갖지 않는 분위기에서 수행된다.
Int. CL H01B 13/00 (2006.01) H01B 12/00 (2006.01)
CPC H01L 39/00(2013.01) H01L 39/00(2013.01) H01L 39/00(2013.01)
출원번호/일자 1020140085927 (2014.07.09)
출원인 서울대학교산학협력단, 주식회사 서남
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2016-0006829 (2016.01.20) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 거절
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호 1020160080370;
심사청구여부/일자 Y (2014.07.09)
심사청구항수 16

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 서울대학교산학협력단 대한민국 서울특별시 관악구
2 주식회사 서남 대한민국 경기도 안성시 승량길 ** (

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 유상임 대한민국 서울특별시 송파구
2 이정우 대한민국 서울특별시 동작구
3 최순미 대한민국 서울특별시 관악구
4 문승현 대한민국 경기 성남시 분당구
5 이헌주 대한민국 경기도 용인시 수지구
6 이재훈 대한민국 경기도 오산시 운암로 **

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인 고려 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 *길 ** *층(역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2014.07.09 수리 (Accepted) 1-1-2014-0644558-67
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.03.17 수리 (Accepted) 4-1-2015-5033829-92
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.05.13 수리 (Accepted) 4-1-2015-5062924-01
4 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)
2015.08.05 수리 (Accepted) 1-1-2015-0758226-44
5 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2015.09.14 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
6 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2015.11.10 수리 (Accepted) 9-1-2015-0070598-18
7 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2015.11.11 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2015-0782322-84
8 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2015.12.21 수리 (Accepted) 1-1-2015-1251428-92
9 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2015.12.21 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2015-1251445-68
10 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2016.05.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0386108-76
11 [분할출원]특허출원서
[Divisional Application] Patent Application
2016.06.27 수리 (Accepted) 1-1-2016-0620342-20
12 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment
2017.05.18 수리 (Accepted) 1-1-2017-0474331-26
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.05.13 수리 (Accepted) 4-1-2019-5093546-10
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.05.23 수리 (Accepted) 4-1-2019-5101798-31
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.08.02 수리 (Accepted) 4-1-2019-5154561-59
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.11.25 수리 (Accepted) 4-1-2020-5265458-48
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
희토류, 바륨 및 구리를 포함하는 초전도 전구체를 제공하고; 상기 초전도 전구체에 전-열처리 공정을 수행하여, 희토류-구리-바륨 산화물이 에피택시 성장된 제1 초전도체를 형성하고; 그리고상기 제1 초전도체에 후-열처리 공정을 수행하여 제2 초전도체를 형성하는 것을 포함하되,상기 전-열처리 공정은:상기 희토류-구리-바륨 산화물이 희토류 산화물의 알갱이를 함유하는 액상을 갖도록 하는 제1 열처리 단계; 그리고상기 액상의 상기 희토류-구리-바륨 산화물을 상기 제1 열처리 단계보다 낮은 온도로 냉각하여, 상기 희토류-바륨-구리 산화물이 에피택시 성장되도록 하는 제2 열처리 단계를 포함하고,상기 후-열처리 공정은:상기 제1 열처리 단계보다 낮은 온도에서 수행되는 초전도체의 형성방법
2 2
청구항 1에 있어서,상기 제1 열처리 단계는 10-6 ~ 10-1 Torr의 산소 분압 및 800℃ 이상의 온도에서 수행되는 초전도체의 형성방법
3 3
청구항 2에 있어서,상기 제2 열처리 단계는 10-3 ~ 10-1 Torr의 산소 분압 및 800℃ 이하의 온도에서 수행되는 초전도체의 형성방법
4 4
청구항 3에 있어서,상기 후-열처리 공정은 10-3 Torr 이상의 산소분압 하에서 700 ~ 800℃의 온도에서 수행되는 초전도체의 형성방법
5 5
청구항 1에 있어서,상기 에피택시 성장된 제1 초전도체의 상기 희토류-구리-바륨 산화물은 상기 희토류 산화물로부터 형성되는 초전도체의 형성방법
6 6
청구항 5에 있어서,상기 제1 초전도체는 그의 내부에 분산된 희토류 산화물의 알갱이를 함유하는 초전도체의 형성방법
7 7
청구항 6에 있어서,상기 제2 초전도체는 그의 내부에 분산된 희토류 산화물의 알갱이 및 구리 산화물의 적층 결합을 함유하는 초전도체의 형성방법
8 8
청구항 6에 있어서,상기 희토류 산화물은 RE2O3이고, 상기 제1 초전도체는 RE1+xBa2-xCu3O7-δ의 상을 갖고 상기 제2 초전도체는 RE1+yBa2-yCu3O7-δ의 상을 갖고, x003e#y이고, RE는 La, Nd, Sm, Eu, Gd, Tb, Dy, Ho, Er, Tm, Yb, 및 Lu을 포함하는 란타늄족 원소 중의 적어도 하나 또는 Y을 포함하는 초전도체의 형성방법
9 9
청구항 7에 있어서,상기 제2 초전도체는 RE2BaCuO5을 더 함유하는 초전도체의 형성방법
10 10
청구항 1에 있어서,상기 희토류-구리-바륨 산화물은 테이프 형상의 기판 상에 형성되고,상기 기판은 집합조직을 갖는 금속 기판 상에 형성된 산화물 버퍼층을 포함하는 초전도체의 형성방법
11 11
희토류, 바륨 및 구리를 포함하는 초전도 전구체를 열처리하여 액상의 희토류-구리-바륨 산화물을 형성하는 제1 단계;상기 액상의 희토류-구리-바륨 산화물로부터 에피택시 성장된 상기 희토류-구리-바륨 산화물의 제1 초전도체를 형성하는 제2 단계; 및상기 제1 초전도체를 열처리하여 상기 희토류-구리-바륨 산화물의 제2 초전도체를 형성하는 제3 단계를 포함하되,상기 제3 단계의 열처리는 상기 희토류-구리-바륨 산화물이 액상을 갖지 않는 분위기에서 수행되는 초전도체의 형성방법
12 12
에피택시 성장된 희토류-바륨- 구리 산화물; 상기 희토류-바륨-구리 산화물 내에 배치된 희토류 산화물의 알갱이들; 및상기 희토류-바륨-구리 산화물 내에 배치되고, 상기 에피택시 성장된 희토류-바륨- 구리 산화물의 c-축 방향으로 정열되어 적층된 구리 산화물의 적층 결함을 포함하는 초전도체
13 13
청구항 12에 있어서,상기 희토류 산화물은 RE2O3이고, 상기 희토류-바륨-구리 산화물은 RE1+yBa2-yCu3O7-δ의 상을 갖고, RE는 La, Nd, Sm, Eu, Gd, Tb, Dy, Ho, Er, Tm, Yb, 및 Lu을 포함하는 란타늄족 원소 중의 적어도 하나 또는 Y을 포함하는 초전도체
14 14
청구항 13에 있어서,RE2BaCuO5 상의 희토류-바륨-구리 산화물을 더 포함하는 초전도체
15 15
기판; 및상기 기판 상에 형성된 청구항 11의 초전도체의 박막을 포함하는 초전도 선재
16 16
청구항 15에 있어서,상기 기판은 집합조직을 갖는 금속 기판 상에 형성된 산화물 버퍼층을 포함하는 초전도 선재
지정국 정보가 없습니다
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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 KR101719266 KR 대한민국 FAMILY
2 US09634223 US 미국 FAMILY
3 US20160012944 US 미국 FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 US2016012944 US 미국 DOCDBFAMILY
2 US9634223 US 미국 DOCDBFAMILY
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 산업통상자원부 서남 전력산업융합원천기술개발 스마트그리드용 전력기기의 고효율화를 위한 kA급 고온초전도 도체 개발