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희토류, 바륨 및 구리를 포함하는 초전도 전구체를 제공하고; 상기 초전도 전구체에 전-열처리 공정을 수행하여, 희토류-구리-바륨 산화물이 에피택시 성장된 제1 초전도체를 형성하고; 그리고상기 제1 초전도체에 후-열처리 공정을 수행하여 제2 초전도체를 형성하는 것을 포함하되,상기 전-열처리 공정은:상기 희토류-구리-바륨 산화물이 희토류 산화물의 알갱이를 함유하는 액상을 갖도록 하는 제1 열처리 단계; 그리고상기 액상의 상기 희토류-구리-바륨 산화물을 상기 제1 열처리 단계보다 낮은 온도로 냉각하여, 상기 희토류-바륨-구리 산화물이 에피택시 성장되도록 하는 제2 열처리 단계를 포함하고,상기 후-열처리 공정은:상기 제1 열처리 단계보다 낮은 온도에서 수행되는 초전도체의 형성방법
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청구항 1에 있어서,상기 제1 열처리 단계는 10-6 ~ 10-1 Torr의 산소 분압 및 800℃ 이상의 온도에서 수행되는 초전도체의 형성방법
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청구항 2에 있어서,상기 제2 열처리 단계는 10-3 ~ 10-1 Torr의 산소 분압 및 800℃ 이하의 온도에서 수행되는 초전도체의 형성방법
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청구항 3에 있어서,상기 후-열처리 공정은 10-3 Torr 이상의 산소분압 하에서 700 ~ 800℃의 온도에서 수행되는 초전도체의 형성방법
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청구항 1에 있어서,상기 에피택시 성장된 제1 초전도체의 상기 희토류-구리-바륨 산화물은 상기 희토류 산화물로부터 형성되는 초전도체의 형성방법
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청구항 5에 있어서,상기 제1 초전도체는 그의 내부에 분산된 희토류 산화물의 알갱이를 함유하는 초전도체의 형성방법
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청구항 6에 있어서,상기 제2 초전도체는 그의 내부에 분산된 희토류 산화물의 알갱이 및 구리 산화물의 적층 결합을 함유하는 초전도체의 형성방법
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청구항 6에 있어서,상기 희토류 산화물은 RE2O3이고, 상기 제1 초전도체는 RE1+xBa2-xCu3O7-δ의 상을 갖고 상기 제2 초전도체는 RE1+yBa2-yCu3O7-δ의 상을 갖고, x003e#y이고, RE는 La, Nd, Sm, Eu, Gd, Tb, Dy, Ho, Er, Tm, Yb, 및 Lu을 포함하는 란타늄족 원소 중의 적어도 하나 또는 Y을 포함하는 초전도체의 형성방법
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청구항 7에 있어서,상기 제2 초전도체는 RE2BaCuO5을 더 함유하는 초전도체의 형성방법
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청구항 1에 있어서,상기 희토류-구리-바륨 산화물은 테이프 형상의 기판 상에 형성되고,상기 기판은 집합조직을 갖는 금속 기판 상에 형성된 산화물 버퍼층을 포함하는 초전도체의 형성방법
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희토류, 바륨 및 구리를 포함하는 초전도 전구체를 열처리하여 액상의 희토류-구리-바륨 산화물을 형성하는 제1 단계;상기 액상의 희토류-구리-바륨 산화물로부터 에피택시 성장된 상기 희토류-구리-바륨 산화물의 제1 초전도체를 형성하는 제2 단계; 및상기 제1 초전도체를 열처리하여 상기 희토류-구리-바륨 산화물의 제2 초전도체를 형성하는 제3 단계를 포함하되,상기 제3 단계의 열처리는 상기 희토류-구리-바륨 산화물이 액상을 갖지 않는 분위기에서 수행되는 초전도체의 형성방법
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에피택시 성장된 희토류-바륨- 구리 산화물; 상기 희토류-바륨-구리 산화물 내에 배치된 희토류 산화물의 알갱이들; 및상기 희토류-바륨-구리 산화물 내에 배치되고, 상기 에피택시 성장된 희토류-바륨- 구리 산화물의 c-축 방향으로 정열되어 적층된 구리 산화물의 적층 결함을 포함하는 초전도체
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청구항 12에 있어서,상기 희토류 산화물은 RE2O3이고, 상기 희토류-바륨-구리 산화물은 RE1+yBa2-yCu3O7-δ의 상을 갖고, RE는 La, Nd, Sm, Eu, Gd, Tb, Dy, Ho, Er, Tm, Yb, 및 Lu을 포함하는 란타늄족 원소 중의 적어도 하나 또는 Y을 포함하는 초전도체
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청구항 13에 있어서,RE2BaCuO5 상의 희토류-바륨-구리 산화물을 더 포함하는 초전도체
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기판; 및상기 기판 상에 형성된 청구항 11의 초전도체의 박막을 포함하는 초전도 선재
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청구항 15에 있어서,상기 기판은 집합조직을 갖는 금속 기판 상에 형성된 산화물 버퍼층을 포함하는 초전도 선재
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