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p형 주석 산화물 박막 제조 및 제어 방법과 이를 이용한 트랜지스터 제조 방법(Fabrication and method of deposition p-type Tin oxide thin film and Method of fabricating transistor)

  • 기술번호 : KST2016005454
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 동일 주석 전구체로부터 H2O의 존재 하에 신규의 SnO 상태의 p형 주석 산화물 박막을 증착하는 단계를 포함하는 주석 산화물 박막 제조 및 제어 방법과 이를 이용한 트랜지스터 제조 방법을 제공하는 것이다.
Int. CL C23C 16/46 (2006.01) H01L 21/205 (2006.01) C23C 16/40 (2006.01) C23C 16/44 (2006.01)
CPC C23C 16/40(2013.01) C23C 16/40(2013.01) C23C 16/40(2013.01) C23C 16/40(2013.01) C23C 16/40(2013.01) C23C 16/40(2013.01) C23C 16/40(2013.01)
출원번호/일자 1020140085100 (2014.07.08)
출원인 한국화학연구원
등록번호/일자 10-1610623-0000 (2016.04.04)
공개번호/일자 10-2016-0005946 (2016.01.18) 문서열기
공고번호/일자 (20160408) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2014.07.08)
심사청구항수 4

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국화학연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 한정환 대한민국 대전광역시 서구
2 정택모 대한민국 대전광역시 유성구
3 김창균 대한민국 대전광역시 유성구
4 전동주 대한민국 대전광역시 유성구
5 박보근 대한민국 대전광역시 유성구
6 이영국 대한민국 대전광역시 유성구
7 정윤장 대한민국 서울특별시 강남구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인 플러스 대한민국 대전광역시 서구 한밭대로 ***번지 (둔산동, 사학연금회관) **층

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국화학연구원 대전광역시 유성구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2014.07.08 수리 (Accepted) 1-1-2014-0640883-08
2 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)		 2015.01.08 수리 (Accepted) 1-1-2015-5000926-13
3 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)		 2015.02.04 불수리 (Non-acceptance) 1-1-2015-5005369-42
4 서류반려이유통지서
Notice of Reason for Return of Document		 2015.02.12 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2015-0034450-77
5 서류반려통지서
Notice for Return of Document		 2015.02.23 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2015-0038802-38
6 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)		 2015.03.26 수리 (Accepted) 1-1-2015-5010390-19
7 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2015.04.10 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
8 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2015.06.10 수리 (Accepted) 9-1-2015-0037232-16
9 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2015.09.09 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2015-0617889-12
10 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2015.10.28 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2015-1046752-16
11 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2015.10.28 수리 (Accepted) 1-1-2015-1046764-64
12 등록결정서
Decision to grant		 2016.03.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0228973-71
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2017.09.14 수리 (Accepted) 4-1-2017-5149265-52
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2017.09.14 수리 (Accepted) 4-1-2017-5149242-13
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
하기 화학식 1의 주석 전구체와 H2O의 존재 하에 주석 산화물 박막을 증착하는 단계를 포함하는 주석 산화물 박막의 제조 방법으로, 상기 제조 방법은,a) 상기 주석 전구체의 공급 단계,b) 퍼지 단계,c) H2O 산화제 공급 단계 및d) 퍼지 단계,를 포함하는 단위 공정을 하나 또는 둘 이상 반복하여 p형 주석 산화물 박막을 증착하는 p형공정과e) 상기 주석 전구체의 공급 단계,f) 퍼지 단계,g) H2O 이외의 산화제 공급 단계 및h) 퍼지 단계,를 포함하는 단위 공정을 하나 또는 둘 이상 반복하여 n형 주석 산화물 박막을 증착하는 n형공정이 반복 수행되어 p형 주석 산화물 박막 및 n형 주석 산화물 박막이 적층된 주석 산화물 박막 제조 방법
2 2
삭제
3 3
삭제
4 4
제 1항에 있어서,상기 주석 산화물 박막이 증착되는 기재의 온도는 70 내지 210℃인 주석 산화물 박막 제조 방법
5 5
제 4항에 있어서,상기 전구체 공급 시간 및 상기 산화제 공급 시간이 독립적으로 2 내지 10초인 주석 산화물 박막 제조 방법,
6 6
삭제
7 7
제 1항에 있어서,상기 주석 산화물 박막의 전기적 특성은 상기 p형공정의 반복 횟수와 상기 n형공정의 반복 횟수간의 상대적 비에 의해 제어되는 주석 산화물 박막 제조 방법
8 8
삭제
9 9
삭제
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 미래창조과학부 한국화학연구원 융합연구사업 차세대 고이동도용 새로운 반도체 소재 및 소자화 공정 개발