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투명 전극을 포함한 반도체 장치 및 그 제조 방법(Semiconductor device including transparent electrodes and method of fabricating thereof)

  • 기술번호 : KST2016006460
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 투명 전극을 포함한 반도체 장치 및 그 제조 방법이 제공된다. 상기 반도체 장치는, 복수 개의 전극, 상기 복수 개의 전극 중 적어도 일부 사이에 채널을 형성하는 채널 영역, 및 상기 복수 개의 전극 중 적어도 일부와 상기 채널 영역의 적어도 일부 사이에 형성되는 인터 레이어 막을 포함하되, 상기 인터 레이어 막은 메탈을 포함하며, 상기 인터 레이어 막에 포함된 상기 메탈의 일함수와 상기 채널 영역에 포함된 채널 영역 물질의 전자친화도의 차이가 ± 0.5eV 이내이다.
Int. CL H01L 29/786 (2006.01)
CPC H01L 29/786(2013.01)
출원번호/일자 1020140100556 (2014.08.05)
출원인 경희대학교 산학협력단, 전자부품연구원
등록번호/일자 10-1649102-0000 (2016.08.11)
공개번호/일자 10-2016-0016424 (2016.02.15) 문서열기
공고번호/일자 (20160830) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2014.08.05)
심사청구항수 10

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 경희대학교 산학협력단 대한민국 경기도 용인시 기흥구
2 한국전자기술연구원 대한민국 경기도 성남시 분당구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김선국 대한민국 경기도 용인시 기흥구
2 오민석 대한민국 경기도 성남시 분당구
3 유병욱 대한민국 경기도 성남시 분당구
4 김지완 대한민국 경기도 성남시 분당구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인가산 대한민국 서울 서초구 남부순환로 ****, *층(서초동, 한원빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 경희대학교 산학협력단 대한민국 경기도 용인시 기흥구
2 한국전자기술연구원 대한민국 경기도 성남시 분당구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2014.08.05 수리 (Accepted) 1-1-2014-0740840-68
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.03.09 수리 (Accepted) 4-1-2015-5029677-09
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2015.04.13 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2015.06.10 수리 (Accepted) 9-1-2015-0037340-38
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2015.08.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2015-0561724-52
6 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2015.10.19 수리 (Accepted) 1-1-2015-1005695-17
7 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2015.11.20 수리 (Accepted) 1-1-2015-1132397-51
8 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2015.12.21 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2015-1248971-91
9 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2015.12.21 수리 (Accepted) 1-1-2015-1248992-49
10 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2016.03.25 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0223390-02
11 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2016.05.25 수리 (Accepted) 1-1-2016-0503550-54
12 등록결정서
Decision to grant		 2016.07.11 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0498981-46
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.19 수리 (Accepted) 4-1-2019-5164254-26
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.08.24 수리 (Accepted) 4-1-2020-5189497-57
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
복수 개의 전극;상기 복수 개의 전극 중 적어도 일부 사이에 채널을 형성하는 채널 영역; 및상기 복수 개의 전극 중 상기 적어도 일부와 상기 채널 영역의 적어도 일부 사이에 형성되는 인터 레이어 막을 포함하되,상기 인터 레이어 막은 메탈을 포함하며, 상기 인터 레이어 막에 포함된 상기 메탈의 일함수와 상기 채널 영역에 포함된 채널 영역 물질의 전자친화도의 차이가 ± 0
2 2
제 1항에 있어서,상기 복수 개의 전극은, 투명 전도성 물질로 이루어진 반도체 장치
3 3
제 2항에 있어서,상기 투명 전도성 물질은, 산화물 또는 그래핀(Graphene) 물질을 포함하는 반도체 장치
4 4
삭제
5 5
삭제
6 6
삭제
7 7
제 1항에 있어서, 상기 복수 개의 전극은 소오스/드레인 전극을 포함하고,상기 소오스/드레인 전극 사이에 상기 채널 영역이 배치되고, 상기 채널 영역은 외부로 노출된 반도체 장치
8 8
제 1항에 있어서,상기 복수 개의 전극은 게이트 전극과 소오스/드레인 전극을 포함하고,상기 게이트 전극과 상기 채널 영역 사이에 형성된 게이트 절연막을 더 포함하는 반도체 장치
9 9
제 8항에 있어서,상기 게이트 전극, 상기 게이트 절연막, 상기 채널 영역, 상기 인터 레이어 막, 및 상기 소오스/드레인 전극이 순차적으로 형성된 반도체 장치
10 10
제 9항에 있어서, 상기 채널 영역은 상기 소오스/드레인 전극 사이에 배치되고, 외부로 노출된 반도체 장치
11 11
게이트 전극;상기 게이트 전극 상에 컨포말하게 형성된 게이트 절연막;상기 게이트 절연막 상에 컨포말하게 형성된 채널 영역;상기 채널 영역이 외부로 노출되도록 상기 채널 영역의 일부를 덮어 형성된 소오스/드레인 전극; 및상기 채널 영역과 상기 소오스/드레인 전극 사이에 형성된 인터 레이어 막을 포함하되,상기 인터 레이어 막은 메탈을 포함하며, 상기 인터 레이어 막에 포함된 상기 메탈의 일함수와 상기 채널 영역에 포함된 채널 영역 물질의 전자친화도의 차이가 ± 0
12 12
제 11항에 있어서,상기 게이트 전극과 상기 소오스/드레인 전극은, 투명 전도성 물질로 이루어진 반도체 장치
13 13
제 12항에 있어서,상기 투명 전도성 물질은, 산화물 또는 그래핀 물질을 포함하는 반도체 장치
14 14
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15 15
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16 16
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17 17
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18 18
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19 19
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20 20
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지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
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