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층상 자기조립 고분자층이 형성된 실리콘 기판 상에 플라스틱 입자들을 균일한 무작위 패턴으로 서로 이격하여 위치시키는 단계;상기 실리콘 기판 상에 형성된 상기 층상 자기조립 고분자층을 산소 플라즈마 처리하여 상기 플라스틱 입자들 사이의 상기 층상 자기조립 고분자층을 제거하는 단계;상기 플라스틱 입자들 사이에 촉매층을 형성하는 단계;상기 플라스틱 입자들을 제거하는 단계;상기 촉매층과 접촉하는 실리콘 기판 부위를 습식식각을 통해 수직적으로 식각하는 단계; 및상기 촉매층을 제거하는 단계를 포함하고,상기 층상 자기조립 고분자층은 상기 실리콘 기판 상에 양이온성 고분자 전해질이 함유된 용액을 도포하는 공정과 음이온성 고분자 전해질이 함유된 용액을 도포하는 공정을 교대로 실시하여 형성하는 것을 특징을 하는 실리콘 나노 와이어 어레이의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 양이온성 고분자 전해질은 폴리아릴아민염소산, 폴리에틸렌이민, 폴리디메틸다이알릴아마이드, 폴리라이신 및 이들의 조합으로 이루어지는 군에서 선택되는 것인, 실리콘 나노 와이어 어레이의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 음이온성 고분자 전해질은 폴리스티렌술포네이트, 폴리아크릴산, 폴리비닐황산염, 헤파린 및 이들의 조합으로 이루어지는 군에서 선택되는 것인, 실리콘 나노 와이어 어레이의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 플라스틱은 폴리에틸렌, 폴리프로필렌, 폴리스티렌, 폴리에틸렌 테레프탈레이트, 폴리부틸렌테레프탈레이트, 폴리카보네이트, 폴리메틸메타크릴레이트, 폴리페닐렌 옥사이드, 폴리아세탈로 이루어지는 군에서 선택되는 것인, 실리콘 나노 와이어 어레이의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 촉매층은 은(Ag), 금(Au), 백금(Pt), 구리(Cu) 또는 이들의 조합을 포함하는 것인, 실리콘 나노 와이어 어레이의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 촉매층을 형성하는 단계는 증착방법에 의하는 것인, 실리콘 나노 와이어 어레이의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 습식식각 공정은 산(acid) 및 과산화물을 포함하는 용액을 사용하여 수행되는, 실리콘 나노 와이어 어레이의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 플라스틱 입자들의 크기를 제어하여 실리콘 나노 와이어의 직경을 조절하는, 실리콘 나노 와이어 어레이의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 플라스틱 입자들 사이의 간격을 제어하여 실리콘 나노 와이어 어레이의 밀도를 조절하는, 실리콘 나노 와이어 어레이의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 식각하는 단계의 식각 시간을 제어하여 실리콘 나노 와이어의 높이를 조절하는, 실리콘 나노 와이어 어레이의 제조방법
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