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유기전계효과 트랜지스터 기반 비휘발성 메모리 장치에 있어서,유기물 반도체층 및 게이트 절연층을 포함하며,상기 유기물 반도체층 및 게이트 절연층 사이에는 고분자 전하 저장층과 나노 입자 플로팅 게이트층의 이중층을 더 포함하는 비휘발성 유기 메모리 장치
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제 1항에 있어서,상기 유기물 반도체층은 소스(Source) 전극과 드레인(Drain) 전극을 포함하는 기판 위에 형성되는 것인, 비휘발성 유기 메모리 장치
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제 1항에 있어서,상기 고분자 전하 저장층과 나노 입자 플로팅 게이트층의 이중층은 1회 또는 복수회 반복되어 층을 이룬 것인, 비휘발성 유기 메모리 장치
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제 1항에 있어서,상기 나노 입자 플로팅 게이트층은 다수의 금속 나노 입자, 단분자 나노입자, 금속-칼코게나이드 나노입자, 또는 그래핀 나노 입자로 이루어지는 것인, 비휘발성 유기 메모리 장치
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제 1항에 있어서,상기 고분자 전하 저장층과 나노 입자 플로팅 게이트층의 이중층 상에는 게이트 절연층 및 게이트 전극이 순차적으로 형성되는 것인, 비휘발성 유기 메모리 장치
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제 2항에 있어서,상기 기판은 유리, 석영(Quartz), Al2O3, SiC, Si, GaAs, InP로부터 선택되는 무기물 기판; 혹은 켑톤 호일, 폴리이미드(Polyimide, PI), 폴리에테르술폰(polyethersulfone, PES), 폴리아크릴레이트(polyacrylate, PAR), 폴리에테르 이미드(polyetherimide, PEI), 폴리에틸렌 나프탈레이트(polyethylene naphthalate, PEN), 폴리에틸렌 테레프탈레이트(polyethylene terephthalate, PET), 폴리페닐렌 설파이드(polyphenylene sulfide, PPS), 폴리아릴레이트(polyarylate), 폴리카보네이트(polycarbonate, PC), 셀룰로오스 트리 아세테이트(cellulose triacetate, CTA), 셀룰로오스 아세테이트 프로피오네이트(cellulose acetate propionate, CAP), 폴리우레탄(polyurethanes), 고무(rubber)로부터 선택되는 유기물 기판인 것인, 비휘발성 유기 메모리 장치
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제 1항에 있어서,상기 유기물 반도체층은 펜타센(Pentacene) 계열, C8-BTBT(2,7-dioctyl[1]ben-zo-thieno[3,2-b][1] benzothiophene)를 포함한 벤조티오펜(Benzothiophene) 계열 및 diF-TESADT(2,8-difluoro-5,11-bis(triethylsilylethynyl)anthradithiophene) 로부터 선택되는 단분자; 폴리페닐렌 비닐렌(polyphenylene vinylene), 티오펜 비닐렌(thiophene vinylene), P3HT(poly(3-hexylthiophene), PBTTT (poly(2,5-bis(3-alkylthiophen-2-yl) thieno-[3,2-b]thiophene), CPDT(cyclopentadithiophene), IDT(indacenodithiophene), BDT(benzodithiophene), BTT(benzotrithiophene), NDI(naphthalene diimide), 폴리티오펜(polythiophenes), 및 폴리플루오렌(polyfluorenes)으로부터 선택되는 고분자; 그래핀; 또는 탄소나노튜브를 포함하는 것인, 비휘발성 유기 메모리 장치
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제 1항에 있어서,상기 고분자 전하 저장층은 소수성, 스티렌 치환계 고분자를 포함하는 유기 절연 물질을 포함하는 적어도 어느 하나의 박막으로 형성되는 것인, 비휘발성 유기 메모리 장치
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제 4항에 있어서,상기 금속 나노 입자는, 코발트(Co), 철(Fe), 니켈(Ni), 크롬(Cr), 금(Au), 은(Ag), 구리(Cu), 알루미늄(Al), 백금(Pt), 주석(Sn), 텅스텐(W), 루테늄(Ru), 카드뮴(Cd), 티타늄(Ti), 아연(Zn), 지르코늄(Zr), 마그네슘(Mg), 망간(Mn) 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 것을 포함하는 것인, 비휘발성 유기 메모리 장치
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제 4항에 있어서,상기 금속 나노 입자는 1 내지 5 nm 사이의 크기를 가지는 것인, 비휘발성 유기 메모리 장치
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제 1항에 있어서,상기 게이트 절연층은, P(VDF-TrFE)(Poly(vinylidene fluoride-trifluoroethylene)를 포함한 비닐리덴플루오라이드(vinylidenefluoride) 고분자 계열, 플로린 계열 고분자(Fluoropolymer), 알루미늄 산화물(Al2O3), 실리콘 산화물(SiO2), 탄탈륨 산화물(Ta2O3), 티타늄 산화물(TiO2), 이트륨 산화물(Y2O3), 지르코늄 산화물(ZrO2), 지르코늄 실리콘 산화물(ZrSixOy), 하프늄 산화물(HfO2), 하프늄 실리콘 산화물(HfSixOy), 란탄 산화물(La2O3), 란탄 알루미늄 산화물(LaAlO), 란탄 하프늄 산화물(LaHfO), 하프늄 알루미늄 산화물(HfAlO), 및 프라세오디뮴 산화물(Pr2O3) 중 어느 하나 이상을 포함하는 단일층 또는 복수의 층인 것인, 비휘발성 유기 메모리 장치
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제 5항에 있어서,상기 게이트 전극은 폴리실리콘, 알루미늄(Al), 금(Au), 베릴륨(Be), 비스무트(Bi), 코발트(Co), 하프늄(Hf), 인듐(In), 망간(Mn), 몰리브덴(Mo), 니켈(Ni), 납(Pb), 팔라듐(Pd), 백금(Pt), 로듐(Rh), 레늄(Re), 루테늄(Ru), 탄탈(Ta), 텔륨(Te), 티타늄(Ti), 텅스텐(W), 아연(Zn), 지르코늄(Zr), 이들의 질화물, 및 이들의 실리사이드 중 하나 이상을 포함하는 단일층 또는 복합층인 것인, 비휘발성 유기 메모리 장치
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기판 상에 이격하여 소스(Source) 전극과 드레인(Drain) 전극을 형성하는 단계;상기 기판 및 상기 소스(Source) 전극과 드레인(Drain) 전극 상에 유기물 반도체층을 형성하는 단계;상기 유기물 반도체층 상에 적어도 하나의 고분자 전하 저장층을 형성하는 단계;상기 고분자 전하 저장층 상부면에 다수의 금속 나노 입자, 단분자 나노입자, 금속-칼코게나이드 나노 입자 또는 그래핀 나노 입자로 이루어지는 적어도 하나의 플로팅 게이트를 형성하는 단계;상기 플로팅 게이트 상부에 게이트 절연층을 형성하는 단계; 및상기 게이트 절연층 상에 게이트전극을 형성하는 단계를 포함하는, 비휘발성 유기 메모리 장치의 제조방법
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제 13항에 있어서,상기 플로팅 게이트를 형성하는 단계는 증착법, 또는 용매 공정에 의한 코팅 공정에 의하여 이루어지는 것인, 비휘발성 유기 메모리 장치의 제조방법
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