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제1 연마입자, 제2 연마입자 및 제3 연마입자를 포함하는 연마입자; 및산화제;를 포함하고,상기 제1 연마입자의 1차 입도는 20 nm 이상 45 nm 미만이고, 2차 입도는 30 nm 이상 100 nm 미만이고,상기 제2 연마입자의 1차 입도는 45 nm 이상 130 nm 미만이고, 2차 입도는 100 nm 이상 250 nm 미만이고,상기 제3 연마입자의 1차 입도는 130 nm 이상 250 nm 미만이고, 2차 입도는 250 nm 이상 500 nm 미만인 것이고, 텅스텐 토포그래피를 개선하는 것인,연마 슬러리 조성물
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제1항에 있어서,상기 제1 연마입자는, 전체 연마입자 중 10 중량% 내지 60 중량%, 상기 제2 연마입자는, 전체 연마입자 중 10 중량% 내지 60 중량%, 상기 제3 연마입자는, 전체 연마입자 중 10 중량% 내지 60 중량%인 것인,연마 슬러리 조성물
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제1항에 있어서,상기 제1 연마입자, 제2 연마입자 제3 연마입자는, 각각 독립적으로,금속산화물, 유기물 또는 무기물로 코팅된 금속산화물, 및 콜로이달 상태의 상기 금속산화물로 이루어진 군에서 선택되는 적어도 어느 하나를 포함하고, 상기 금속산화물은 실리카, 세리아, 지르코니아, 알루미나, 티타니아, 바륨티타니아, 게르마니아, 망가니아 및 마그네시아로 이루어진 군에서 선택되는 적어도 어느 하나를 포함하는 것인, 연마 슬러리 조성물
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제1항에 있어서,상기 연마입자는, 상기 연마 슬러리 조성물 중 0
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제1항에 있어서,상기 산화제는, 과산화수소, 질산 제2 철, 요오드산 칼륨, 과망간산 칼륨, 아염소산 암모늄, 염소산 암모늄, 요오드산 암모늄, 과붕산 암모늄, 과염소산 암모늄, 과요오드산 암모늄, 아염소산 테트라메틸암모늄, 염소산 테트라메틸암모늄, 요오드산 테트라메틸암모늄, 과붕산 테트라메틸암모늄, 과염소산 테트라메틸암모늄, 과요오드산 테트라메틸암모늄, 4-메틸모폴린 N-옥사이드, 피리딘-N-옥사이드 및 유레아 과산화수소로 이루어진 군에서 선택되는 적어도 어느 하나를 포함하는 것인, 연마 슬러리 조성물
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제1항에 있어서,상기 산화제는 상기 연마 슬러리 조성물 중 0
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제1항에 있어서,상기 연마 슬러리 조성물은 과산화수소-프리 또는 1 중량% 미만 과산화수소를 포함하는 것인, 연마 슬러리 조성물
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제1항에 있어서,염산, 질산, 인산, 황산, 불산, 브롬산, 요오드산 및 그의 염으로 이루어진 군에서 선택되는 적어도 어느 하나를 포함하는 무기산 또는 무기산염; 및포름산, 말론산, 말레인산, 옥살산, 초산, 아디프산, 구연산, 아디프산, 아세트산, 프로피온산, 푸마르산, 유산, 살리실산, 피멜린산, 벤조산, 숙신산, 프탈산, 부티르산, 글루타르산, 글루타민산, 글리콜산, 락트산, 아스파라긴산, 타르타르산 및 그의 염으로 이루어진 군에서 선택되는 적어도 어느 하나를 포함하는 유기산 또는 유기산염;으로 이루어진 군에서 선택되는 적어도 하나의 pH 조절제를 더 포함하는 것인, 연마 슬러리 조성물
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제1항에 있어서,상기 연마 슬러리 조성물의 pH는 1 내지 4의 범위를 가지는 것인, 연마 슬러리 조성물
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제1항에 있어서,상기 연마 슬러리 조성물은 10 Å/min 내지 1000 Å/min 두께의 텅스텐을 연마하는 것인, 연마 슬러리 조성물
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제1항에 있어서,상기 연마 슬러리 조성물을 이용한 텅스텐 포함 막의 연마 후 표면은 피크투밸리(peak to valley; PV) 값이 100 nm 이하 및 표면거칠기(roughness)가 10 nm 이하인 것인, 연마 슬러리 조성물
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제1항에 있어서,하기의 수학식 1에 의해 계산되는 상기 연마입자의 접촉면적(Contact area)은 0
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