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하기 화학식 1로 표현되는 유기 화합물:[화학식 1]상기 화학식 1에서,R1 내지 R5은 수소원자, 중수소, 탄소수 1 내지 60의 치환 또는 비치환된 알킬기, 탄소수 2 내지 60의 치환 또는 비치환된 알케닐기, 탄소수 2 내지 60의 치환 또는 비치환된 알키닐기, 탄소수 3 내지 60의 치환 또는 비치환된 사이클로알킬기, 탄소수 1 내지 60의 치환 또는 비치환된 알콕시기, 탄소수 5 내지 60의 치환 또는 비치환된 아릴옥시기, 탄소수 5 내지 60의 치환 또는 비치환된 아릴싸이오기, 탄소수 5 내지 60의 치환 또는 비치환된 아릴기, 탄소수 3 내지 60의 헤테로아릴기로 치환된 아미노기, 탄소수 3 내지 60의 치환 또는 비치환된 헤테로아릴기, 탄소수 6 내지 60의 치환 또는 비치환된 축합 다환기, 할로겐 원자, 시아노기, 니트로기, 하이드록시기 또는 카르복시기이고,R1 과 R2 는 서로 동일하거나 상이하고,X는 -S-, -O-, -C(R6)(R7)- 또는 -N(R6)- 로 표시되는 연결기이고,R6 및 R7은 서로 독립적으로, 수소 원자, 중수소, 탄소수 1 내지 20의 치환 또는 비치환된 알킬기, 탄소수 5 내지 20의 치환 또는 비치환된 아릴기, 탄소수 3 내지 20의 치환 또는 비치환된 헤테로 아릴기, 탄소수 6 내지 20의 치환 또는 비치환된 축합 다환기, 할로겐 원자, 시아노기, 니트로기, 하이드록시기 또는 카르복시기이고,a 및 z 는 0 내지 4의 정수이고, b는 0 내지 3의 정수이고, y는 0 내지 2의 정수이고,L 은 -(Ar1)n-으로 표현되는 2가 연결기(divalent linking group)이고,n은 1 내지 10의 정수이다
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제1항에서,상기 Ar1은 탄소수 5 내지 60의 치환 또는 비치환된 아릴렌기, 탄소수 3 내지 60의 치환 또는 비치환된 헤테로아릴렌기, 또는 탄소수 6 내지 60의 치환 또는 비치환된 축합 다환기인 유기 화합물
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3
제2항에서,상기 n개의 Ar1는 서로 동일하거나 상이하고, 상기 n개의 Ar1 중 서로 이웃하는 2 이상의 Ar1는 서로 융합되거나 단일 결합으로 연결되는 유기 화합물
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제3항에서,상기 화학식 1로 표현되는 화합물은 하기 화학식 2 내지 화학식 70로 표현되는 화합물들에서 선택된 적어도 하나를 포함하는 유기 화합물:[화학식 2] [화학식 3] [화학식 4] [화학식 5] [화학식 6] [화학식 7] [화학식 8] [화학식 9] [화학식 10] [화학식 11][화학식 12] [화학식 13][화학식 14] [화학식 15][화학식 16] [화학식 17][화학식 18] [화학식 19] [화학식 20] [화학식 21] [화학식 22] [화학식 23] [화학식 24] [화학식 25] [화학식 26] [화학식 27] [화학식 28] [화학식 29][화학식 30] [화학식 31][화학식 32] [화학식 33][화학식 34] [화학식 35] [화학식 36] [화학식 37][화학식 38] [화학식 39][화학식 40] [화학식 41][화학식 42] [화학식 43][화학식 44] [화학식 45][화학식 46] [화학식 47][화학식 48] [화학식 49][화학식 50] [화학식 51][화학식 52] [화학식 53] [화학식 54] [화학식 55][화학식 56] [화학식 57][화학식 58] [화학식 59] [화학식 60] [화학식 61] [화학식 62] [화학식 63][화학식 64] [화학식 65] [화학식 66] [화학식 67][화학식 68] [화학식 69][화학식 70]
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제1 전극, 제2 전극, 그리고상기 제1 전극 및 상기 제2 전극 사이에 개재된 유기층을 포함하고,상기 유기층은 하기 화학식 1로 표현되는 유기 화합물을 포함하는 유기 발광 장치:[화학식 1]상기 화학식 1에서,R1 내지 R5은 수소원자, 중수소, 탄소수 1 내지 60의 치환 또는 비치환된 알킬기, 탄소수 2 내지 60의 치환 또는 비치환된 알케닐기, 탄소수 2 내지 60의 치환 또는 비치환된 알키닐기, 탄소수 3 내지 60의 치환 또는 비치환된 사이클로알킬기, 탄소수 1 내지 60의 치환 또는 비치환된 알콕시기, 탄소수 5 내지 60의 치환 또는 비치환된 아릴옥시기, 탄소수 5 내지 60의 치환 또는 비치환된 아릴싸이오기, 탄소수 5 내지 60의 치환 또는 비치환된 아릴기, 탄소수 3 내지 60의 헤테로아릴기로 치환된 아미노기, 탄소수 3 내지 60의 치환 또는 비치환된 헤테로아릴기, 탄소수 6 내지 60의 치환 또는 비치환된 축합 다환기, 할로겐 원자, 시아노기, 니트로기, 하이드록시기 또는 카르복시기이고,R1 과 R2 는 서로 동일하거나 상이하고,X는 -S-, -O-, -C(R6)(R7)- 또는 -N(R6)- 로 표시되는 연결기이고,R6 및 R7은 서로 독립적으로, 수소 원자, 중수소, 탄소수 1 내지 20의 치환 또는 비치환된 알킬기, 탄소수 5 내지 20의 치환 또는 비치환된 아릴기, 탄소수 3 내지 20의 치환 또는 비치환된 헤테로 아릴기, 탄소수 6 내지 20의 치환 또는 비치환된 축합 다환기, 할로겐 원자, 시아노기, 니트로기, 하이드록시기 또는 카르복시기이고,a 및 z 는 0 내지 4의 정수이고, b는 0 내지 3의 정수이고, y는 0 내지 2의 정수이고,L 은 -(Ar1)n-으로 표현되는 2가 연결기(divalent linking group)이고,n은 1 내지 10의 정수이다
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제5항에서,상기 Ar1은 탄소수 5 내지 60의 치환 또는 비치환된 아릴렌기, 탄소수 3 내지 60의 치환 또는 비치환된 헤테로아릴렌기, 또는 탄소수 6 내지 60의 치환 또는 비치환된 축합 다환기인 유기 발광 장치
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제6항에서,상기 n개의 Ar1는 서로 동일하거나 상이하고, 상기 n개의 Ar1 중 서로 이웃하는 2 이상의 Ar1는 서로 융합되거나 단일 결합으로 연결되는 유기 발광 장치
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제7항에서,상기 화학식 1로 표현되는 화합물은 하기 화학식 2 내지 화학식 70로 표현되는 화합물들에서 선택된 적어도 하나를 포함하는 유기 발광 장치:[화학식 2] [화학식 3] [화학식 4] [화학식 5] [화학식 6] [화학식 7] [화학식 8] [화학식 9] [화학식 10] [화학식 11][화학식 12] [화학식 13][화학식 14] [화학식 15][화학식 16] [화학식 17][화학식 18] [화학식 19] [화학식 20] [화학식 21] [화학식 22] [화학식 23] [화학식 24] [화학식 25] [화학식 26] [화학식 27] [화학식 28] [화학식 29][화학식 30] [화학식 31][화학식 32] [화학식 33][화학식 34] [화학식 35] [화학식 36] [화학식 37][화학식 38] [화학식 39][화학식 40] [화학식 41][화학식 42] [화학식 43][화학식 44] [화학식 45][화학식 46] [화학식 47][화학식 48] [화학식 49][화학식 50] [화학식 51][화학식 52] [화학식 53] [화학식 54] [화학식 55][화학식 56] [화학식 57][화학식 58] [화학식 59] [화학식 60] [화학식 61] [화학식 62] [화학식 63][화학식 64] [화학식 65] [화학식 66] [화학식 67][화학식 68] [화학식 69][화학식 70]
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9 |
9
제8항에서,상기 유기층은 발광층을 포함하고,상기 화학식 1로 표현되는 유기 화합물은 상기 발광층에 포함되어 있는 유기 발광 장치
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10 |
10
제9항에서, 상기 발광층은 상기 화학식 1로 표현되는 유기 화합물을 호스트로서 포함하는 유기 발광 장치
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11
제9항에서, 상기 발광층은 상기 화학식 1로 표현되는 유기 화합물을 도펀트로서 포함하는 유기 발광 장치
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12
제5항에서,상기 제1 전극은 애노드 전극이고, 상기 제2 전극은 캐소드 전극인 유기 발광 장치
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13
제12항에서,상기 유기층은 상기 제1 전극과 상기 발광층 사이에 배치되어 있는 정공 주입층, 상기 정공 주입층 및 상기 발광층 사이에 배치되어 있는 정공 수송층,상기 발광층과 상기 제2 전극 사이에 배치되어 있는 전자 수송층, 그리고상기 전자 수송층과 상기 제2 전극 사이에 배치되어 있는 전자 주입층을 더 포함하는 유기 발광 장치
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