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탄소 기판을 이용한 태양 전지 제조 방법(Method for fabricating solar cell using carbon substrate)

기술번호 : KST2016010111
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약	본 발명은 탄소 재질로 형성되는 판상의 탄소 기판을 준비하는 탄소 기판 준비 단계와, 탄소 기판의 상면에 산화막 또는 질화막을 증착하여 배리어막을 형성하는 배리어막 형성 단계와, 배리어막의 상부에 전기 전도성 물질을 코팅하여 후면 전극을 형성하는 후면 전극 형성 단계와, 후면 전극의 상부에 제 1 도전형 실리콘층을 형성하는 제 1 도전형 실리콘층 형성 단계와, 제 1 도전형 실리콘층의 상부에 제 2 도전형 실리콘층을 형성하는 제 2 도전형 실리콘층 형성 단계와, 제 2 도전형 실리콘층의 상면에 전면 투명 전도막을 형성하는 전면 투명 전도막 형성 단계 및 투명 전도막의 상면에 상기 제 2 도전형 실리콘층과 전기적으로 연결되는 전면 전극을 형성하는 전면 전극 형성 단계를 포함하는 탄소 기판을 이용한 태양 전지 제조 방법을 개시한다.
Int. CL	H01L 31/18 (2006.01)
CPC	H01L 31/18(2013.01) H01L 31/18(2013.01) H01L 31/18(2013.01)
출원번호/일자	1020140150224 (2014.10.31)
출원인	충남대학교산학협력단
등록번호/일자	10-1643132-0000 (2016.07.21)
공개번호/일자	10-2016-0053181 (2016.05.13) 문서열기
공고번호/일자	(20160728) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태	등록
심사진행상태	수리
심판사항
구분	신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자	Y (2014.10.31)
심사청구항수	8

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호	이름	국적	주소
1	충남대학교산학협력단	대한민국	대전광역시 유성구

발명자

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번호	이름	국적	주소
1	장효식	대한민국	대전광역시 유성구

대리인

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번호	이름	국적	주소
1	김호종	대한민국	서울특별시 강남구 테헤란로길 -, *층 (역삼동, 신도빌딩)(태산특허법률사무소)

최종권리자

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번호	이름	국적	주소
1	충남대학교산학협력단		대전광역시 유성구

번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호	서류명	접수/발송일자	처리상태	접수/발송번호
1	[특허출원]특허출원서 [Patent Application] Patent Application	2014.10.31	수리 (Accepted)	1-1-2014-1051495-60
2	보정요구서 Request for Amendment	2014.11.17	발송처리완료 (Completion of Transmission)	1-5-2014-0202191-53
3	[출원서등 보정]보정서 [Amendment to Patent Application, etc.] Amendment	2014.12.17	수리 (Accepted)	1-1-2014-1224479-42
4	선행기술조사의뢰서 Request for Prior Art Search	2015.05.13	수리 (Accepted)	9-1-9999-9999999-89
5	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2015.09.01	수리 (Accepted)	4-1-2015-5116889-90
6	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2015.09.01	수리 (Accepted)	4-1-2015-5116888-44
7	선행기술조사보고서 Report of Prior Art Search	2015.11.25	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-6-2015-0097346-68
8	의견제출통지서 Notification of reason for refusal	2015.11.27	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2015-0829020-36
9	[지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서 [Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)	2016.01.27	수리 (Accepted)	1-1-2016-0090816-27
10	[명세서등 보정]보정서 [Amendment to Description, etc.] Amendment	2016.02.29	보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment)	1-1-2016-0195284-11
11	[거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 [Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)	2016.02.29	수리 (Accepted)	1-1-2016-0195269-36
12	등록결정서 Decision to grant	2016.07.07	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2016-0492085-12

번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호	청구항
1	1 탄소 재질로 형성되는 판상의 탄소 기판을 준비하는 탄소 기판 준비 단계와,상기 탄소 기판의 상면에 산화막 또는 질화막을 증착하여 배리어막을 형성하는 배리어막 형성 단계와,상기 배리어막의 상부에 전기 전도성 물질을 코팅하여 후면 전극을 형성하는 후면 전극 형성 단계와,상기 후면 전극의 상부에 제 1 도전형 실리콘층을 형성하는 제 1 도전형 실리콘층 형성 단계와,상기 제 1 도전형 실리콘층의 상부에 제 2 도전형 실리콘층을 형성하는 제 2 도전형 실리콘층 형성 단계와, 상기 제 2 도전형 실리콘층의 상면에 전면 투명 전도막을 형성하는 전면 투명 전도막 형성 단계 및상기 투명 전도막의 상면에 상기 제 2 도전형 실리콘층과 전기적으로 연결되는 전면 전극을 형성하는 전면 전극 형성 단계를 포함하며,상기 배리어막 형성 단계 후에,상기 배리어막의 상면에 투명 전도막을 형성하는 투명 전도막 형성 단계를 더 포함하며,상기 투명 전도막은 ITO(Indium Tin Oxide), AZO(Aluminium-doped Zinc Oxide), IZO(Indium Zinc Oxide) 또는 IGZO(Indium Gallium Zinc Oxide)로 형성되며,상기 투명 전도막은 적어도 100nm의 두께로 형성되는 것을 특징으로 하는 탄소 기판을 이용한 태양 전지 제조 방법
2	2 삭제
3	3 제 1 항에 있어서,상기 후면 전극 형성 단계 후에,상기 후면 전극의 상면에 중간 투명 전도막을 형성하는 중간 투명 전도막 형성 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 탄소 기판을 이용한 태양 전지 제조 방법
4	4 제 3 항에 있어서,상기 중간 투명 전도막은 ITO(Indium Tin Oxide), AZO(Aluminium-doped Zinc Oxide), IZO(Indium Zinc Oxide) 또는 IGZO(Indium Gallium Zinc Oxide)로 형성되는 것을 특징으로 하는 탄소 기판을 이용한 태양 전지 제조 방법
5	5 제 1 항에 있어서,상기 제 1 도전형 실리콘층과 P형 또는 N형 실리콘층이며, 상기 제 2 도전형 실리콘층은 N형 또는 P형 실리콘층인 것을 특징으로 하는 탄소 기판을 이용한 태양 전지의 제조 방법
6	6 제 1 항에 있어서,상기 제 1 도전형 실리콘층 형성 단계후에,상기 제 1 도전형 실리콘층의 상면에 진성 실리콘층을 형성하는 진성 실리콘층 형성 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 탄소 기판을 이용한 태양 전지의 제조 방법
7	7 제 1 항에 있어서,상기 배리어막은 SiOx, SiNx 또는 SiON막으로 형성되며, 단일층 또는 적어도 2개의 층으로 형성되는 것을 특징으로 하는 탄소 기판을 이용한 태양 전지의 제조 방법
8	8 제 1 항에 있어서,상기 배리어막은 적어도 400nm의 두께를 가지도록 형성되는 것을 특징으로 하는 탄소 기판을 이용한 태양 전지의 제조 방법
9	9 제 1 항에 있어서,상기 전면 투명 전도막은 ITO(Indium Tin Oxide), AZO(Aluminium-doped Zinc Oxide), IZO(Indium Zinc Oxide) 또는 IGZO(Indium Gallium Zinc Oxide)로 형성되는 것을 특징으로 하는 탄소 기판을 이용한 태양 전지 제조 방법

순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번	연구부처	주관기관	연구사업	연구과제
1	산업통상자원부	뉴파워프라즈마	전략적핵심소재기술개발사업	셀효율15%이상의 실리콘 코팅 Carbon filber 전자소재개발

본 등록정보는 참고용으로 법적증빙자료로 사용할 수 없습니다.
데이터 이관에 따른 소요기간(1일)으로 인하여 등록원부와 일부 차이가 발생할 수 있으며, 일부 정보(부기, 상세 주소 등)를 제공하지 않고 있습니다.
법적증빙자료로 활용하시거나 더 자세한 정보를 보시려면 등록원부를 발급받아 사용하시기 바랍니다.

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특허 등록번호	10-1643132-0000

권리란

표시번호, 사항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 등록사항 > 권리란 표입니다.
표시번호	사항
1	출원 연월일 : 20141031 출원 번호 : 1020140150224 공고 연월일 : 20160728 공고 번호 : 특허결정(심결)연월일 : 20160707 청구범위의 항수 : 8 유별 : H01L 31/18 발명의 명칭 : 탄소 기판을 이용한 태양 전지 제조 방법 존속기간(예정)만료일 :

특허권자란

순위번호, 사항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 등록사항 > 특허권자란 표입니다.
순위번호	사항
1	(권리자) 충남대학교산학협력단 대전광역시 유성구...

등록료란

순위번호, 사항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 등록사항 > 등록료란 표입니다.
제 1 - 3 년분	금 액	178,500 원	2016년 07월 22일	납입
제 4 년분	금 액	108,000 원	2019년 06월 28일	납입
제 5 년분	금 액	108,000 원	2020년 06월 26일	납입

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정확한 서류를 확인하시려면 해당 웹사이트에서 조회하시기 바랍니다. (특허로 바로가기: http://www.patent.go.kr)
해당 서비스는 점검으로 인해 매주 일요일 00:00 ~ 02:00까지 이용이 중단됩니다.

번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송번호의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 통합행정정보 > 등록료란 표입니다.
번호	서류명	접수/발송일자	처리상태	접수/발송번호
1	[특허출원]특허출원서	2014.10.31	수리 (Accepted)	1-1-2014-1051495-60
2	보정요구서	2014.11.17	발송처리완료 (Completion of Transmission)	1-5-2014-0202191-53
3	[출원서등 보정]보정서	2014.12.17	수리 (Accepted)	1-1-2014-1224479-42
4	선행기술조사의뢰서	2015.05.13	수리 (Accepted)	9-1-9999-9999999-89
5	출원인정보변경(경정)신고서	2015.09.01	수리 (Accepted)	4-1-2015-5116889-90
6	출원인정보변경(경정)신고서	2015.09.01	수리 (Accepted)	4-1-2015-5116888-44
7	선행기술조사보고서	2015.11.25	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-6-2015-0097346-68
8	의견제출통지서	2015.11.27	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2015-0829020-36
9	[지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서	2016.01.27	수리 (Accepted)	1-1-2016-0090816-27
10	[명세서등 보정]보정서	2016.02.29	보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment)	1-1-2016-0195284-11
11	[거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서	2016.02.29	수리 (Accepted)	1-1-2016-0195269-36
12	등록결정서	2016.07.07	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2016-0492085-12


과제고유번호	1415131267
세부과제번호	10043793
연구과제명	셀효율 15% 이상의 실리콘 코팅 Carbon fiber 전자소재 개발
성과구분	출원
부처명	산업통상자원부
연구관리전문기관명
연구주관기관명
성과제출연도	2013
연구기간	201211~201910
기여율	1
연구개발단계명	개발연구
6T분류명	ET(환경기술)

특허성과

[1020140150224]	탄소 기판을 이용한 태양 전지 제조 방법(Method for fabricating solar cell using carbon substrate)	새창보기
[1020130125223]	탄소 섬유를 이용한 태양 전지의 제조 방법 및 이에 따른 태양 전지	새창보기

중요키워드

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