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구리/AlN 복합체(Copper/AlN composite)

  • 기술번호 : KST2016012061
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 AlN(질화 알루미늄) 표면에 무전해 도금 및 전해도금 공정으로 구리막을 형성시켜 얻어진 구리/AlN 복합체에 관한 것으로, 구리의 무전해 도금 전에 AlN 표면을 개질하여 피복층을 형성시켜 구리와 AlN이 밀착 되도록 한 구리/AlN 복합체에 관한 것이다. 본 발명은 공정의 제어가 간단한 분위기 열처리 방법을 도입하여 AlN과 구리 사이의 계면에 피복층을 형성시켜 AlN과 피복층, 피복층과 구리와의 계면밀착이 좋도록 한 구리/AlN 복합체 제조방법 및 그를 통해 제조된 구리/AlN 복합체에 대한 것이다. 구리는 피복층 형성 후 피복층 위에 무전해 구리 도금 및 전해도금을 통해 형성시킨다. 고진공을 요구하는 진공장비 또는 산소 분압을 조절할 수 있는 분위기 열처리로 등과 같이 고가의 장비가 필요 없고, Ag 등의 귀금속을 함유한 브레이징 소재도 필요하지 않으며, 공정이 간단한 장점이 있다. 또한 Ti이 기상반응에 의해 AlN 표면에 석출하므로 반응층은 표면 전체에 균일하게 피복층이 형성된다.
Int. CL H01L 21/28 (2006.01) C23C 18/16 (2006.01) C23C 24/08 (2006.01) C25D 3/38 (2006.01)
CPC H01L 21/28(2013.01) H01L 21/28(2013.01) H01L 21/28(2013.01) H01L 21/28(2013.01) H01L 21/28(2013.01)
출원번호/일자 1020140180951 (2014.12.16)
출원인 한국과학기술연구원
등록번호/일자 10-1642009-0000 (2016.07.18)
공개번호/일자 10-2016-0072980 (2016.06.24) 문서열기
공고번호/일자 (20160722) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2014.12.16)
심사청구항수 8

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 변지영 대한민국 서울특별시 성북구
2 최광덕 대한민국 서울특별시 성북구
3 김하나 대한민국 서울특별시 성북구
4 옥건우 대한민국 서울특별시 성북구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인 티앤아이 대한민국 서울특별시 송파구 법원로 ***, A동 ****호(문정동, 엠스테이트)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 대한민국 서울특별시 성북구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2014.12.16 수리 (Accepted) 1-1-2014-1219818-10
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2015.06.10 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2015.08.07 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-6-2015-0065556-55
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2015.09.03 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2015-0605084-50
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2015.11.02 수리 (Accepted) 1-1-2015-1063396-19
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2015.11.02 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2015-1063436-47
7 최후의견제출통지서
Notification of reason for final refusal		 2016.02.01 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0082552-83
8 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2016.04.01 수리 (Accepted) 1-1-2016-0317922-72
9 등록결정서
Decision to grant		 2016.07.13 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0506323-68
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번호 청구항
1 1
(a)Ti 분말 및 활성제 분말의 혼합물을 형성하는 단계;(b)상기 혼합물에 AlN 물(物)을 잠기게 하는 단계; 및 (c)진공 장비를 사용하지 않고 불활성 분위기 또는 환원 분위기에서 가열하여 상기 AlN 물(物)의 표면에 Ti 함유층을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 Ti 함유층을 포함하는 AlN 물(物)의 제조 방법
2 2
제1항에 있어서, 상기 가열 온도는 500 내지 1200℃ 인 것을 특징으로 하는 Ti 함유층을 포함하는 AlN 물(物)의 제조 방법
3 3
제1항에 있어서, 상기 활성제로는 염화물, 불화물 및 요오드화물로 이루어진 그룹에서 선택된 1종 이상을 사용하는 것을 특징으로 하는 Ti 함유층을 포함하는 AlN 물(物)의 제조 방법
4 4
제3항에 있어서, 상기 염화물로는 NaCl, KCl, LiCl, CaCl2, BaCl2 및 NH4Cl 로 이루어진 그룹에서 선택된 1종 이상을 사용하고, 상기 불화물로는 NaF, KF, LiF, MgF2, CaF2, BaF2 및 NH4F 로 이루어진 그룹에서 선택된 1종 이상을 사용하고, 상기 요오드화물로는 NaI, KI, LiI, MgI2, CaI2, BaI2 및 NH4I 로 이루어진 그룹에서 선택된 1종 이상을 사용하는 것을 특징으로 하는 Ti 함유층을 포함하는 AlN 물(物)의 제조 방법
5 5
제1항에 있어서, 상기 활성제의 양은, 상기 Ti 분말 100 중량부 대비 0
6 6
제1항에 있어서, 가열 시간은 0
7 7
(a)Ti 분말 및 활성제 분말의 혼합물을 형성하는 단계;(b)상기 혼합물에 AlN 물(物)을 잠기게 하는 단계;(c)진공 장비를 사용하지 않고 불활성 분위기 또는 환원 분위기에서 가열하여 상기 AlN 물(物)의 표면에 Ti 함유층을 형성하는 단계; 및(d)상기 Ti 함유층 상에 구리를 무전해 도금한 후, 구리 전해 도금하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 구리/AlN 복합체 제조 방법
8 8
제7항에 따른 제조 방법으로 제조된 구리/AlN 기판
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.