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에너지 발생 장치 및 그 제조방법(ENERGY GENERATING DEVICE, AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME)

  • 기술번호 : KST2016012363
  • 담당센터 : 경기기술혁신센터
  • 전화번호 : 031-8006-1570
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 에너지 발생장치 및 그 제조방법을 제공한다. 상기 에너지 발생장치는 제1 전극, 상기 제1 전극 위에 위치하고 규칙적으로 배열되어 있는 복수의 패턴을 가지는 금속층, 상기 금속층 위에 위치하는 유기물 층, 그리고 상기 제1 전극 및 유기물 층 사이에 위치하는 압전체 층을 포함한다.
Int. CL H01L 41/18 (2006.01) H01L 41/08 (2006.01) H01L 41/047 (2006.01) H01L 41/22 (2006.01)
CPC H01L 41/08(2013.01) H01L 41/08(2013.01) H01L 41/08(2013.01) H01L 41/08(2013.01)
출원번호/일자 1020140184629 (2014.12.19)
출원인 삼성전자주식회사, 성균관대학교산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2016-0075093 (2016.06.29) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2019.11.19)
심사청구항수 19

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 삼성전자주식회사 대한민국 경기도 수원시 영통구
2 성균관대학교산학협력단 대한민국 경기도 수원시 장안구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김성민 대한민국 서울특별시 노원구
2 김성진 대한민국 경기도 수원시 영통구
3 김상우 대한민국 경기도 용인시 수지구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 팬코리아특허법인 대한민국 서울특별시 강남구 논현로**길 **, 역삼***빌딩 (역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2014.12.19 수리 (Accepted) 1-1-2014-1237786-58
2 보정요구서
Request for Amendment
2014.12.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2014-0237520-91
3 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment
2015.01.09 수리 (Accepted) 1-1-2015-0025554-12
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2017.02.23 수리 (Accepted) 4-1-2017-5028829-43
5 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)
2019.11.19 수리 (Accepted) 1-1-2019-1188221-29
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
제1 전극;상기 제1 전극 위에 위치하고 규칙적으로 배열되어 있는 복수의 패턴을 가지는 금속층;상기 금속층 위에 위치하는 유기물 층; 그리고상기 제1 전극 및 상기 유기물 층 사이에 위치하는 압전체 층을 포함하는 에너지 발생장치
2 2
제1항에서,상기 압전체 층은 상기 금속층의 인접한 패턴들 사이의 간격에 형성되는 에너지 발생장치
3 3
제2항에서상기 압전체 층은 나노 구조물인 에너지 발생장치
4 4
제1항에서,상기 제1 전극과 상기 금속층 사이에 위치하고 전기 전도성을 가지는 제1 보조층을 더 포함하는 에너지 발생장치
5 5
제4항에서,상기 제1 보조층은 탄소 나노튜브, 도전성 폴리머, 그래핀, 또는 이들의 조합을 포함하는 에너지 발생장치
6 6
제1항에서,상기 유기물 층 위에 위치하는 제2 전극을 더 포함하는 에너지 발생장치
7 7
제6항에서,상기 제2 전극은 투명 전극인 에너지 발생장치
8 8
제1항 내지 제7항 중 어느 한 항에서,상기 유기물 층은 p형 반도체 물질을 포함하고, 상기 압전체 층은 n형 반도체 물질을 포함하는 에너지 발생장치
9 9
제1항에서,상기 압전체 층은 PVDF(polyvinylidene fluoride), 산화아연(ZnO), 납-지르코늄-티타늄산화물(lead zirconate titanate; PZT), 티탄산바륨(BaTiO3), 티탄산납 (PbTiO3), 질화알루미늄(AlN), 질화갈륨(GaN), 카드뮴 셀레나이드(CdSe), 탄화실리콘(SiC), 또는 이들의 조합인 압전물질을 포함하는 에너지 발생장치
10 10
상기 제1 전극 위에 규칙적으로 배열되어 있는 복수의 패턴을 가지는 금속층을 형성하는 단계;상기 금속층의 인접한 패턴들 사이에 압전체 층을 형성하는 단계; 그리고상기 압전체 층 위에 유기물 층을 형성하는 단계를 포함하는 에너지 발생장치의 제조방법
11 11
제10항에서,상기 압전체 층은 전기화학 증착법(electrochemical deposition)을 이용하여 형성되는 것인 에너지 발생장치의 제조방법
12 12
제10항에서,상기 압전체 층은 나노 구조물인 에너지 발생장치의 제조방법
13 13
제10항에서,상기 금속층은 알루미늄 옥사이드를 사용하여 형성하는 에너지 발생장치의 제조방법
14 14
제10항에서,상기 제1 전극과 상기 금속층 사이에 전기 전도성을 가지는 제1 보조층을 형성하는 단계를 더 포함하는 에너지 발생장치의 제조방법
15 15
제14항에서,상기 제1 보조층은 탄소 나노튜브, 도전성 폴리머, 그래핀, 또는 이들의 조합을 포함하는 에너지 발생장치의 제조방법
16 16
제10항에서,상기 유기물 층 위에 제2 전극을 형성하는 단계를 더 포함하는 에너지 발생장치의 제조방법
17 17
제16항에서,상기 제2 전극은 투명 전극인 에너지 발생장치의 제조방법
18 18
제10항에서,상기 압전체 층을 형성하는 단계는 압전물질 용액을 상기 금속층의 인접한 나노 패턴들 사이에 공급하는 과정을 포함하는 에너지 발생장치의 제조방법
19 19
제10항에서,상기 유기물 층은 p형 반도체 물질을 포함하고, 상기 압전체 층은 n형 반도체 물질을 포함하는 에너지 발생장치의 제조방법
지정국 정보가 없습니다
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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 US09787221 US 미국 FAMILY
2 US20160181952 US 미국 FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 US2016181952 US 미국 DOCDBFAMILY
2 US9787221 US 미국 DOCDBFAMILY
국가 R&D 정보가 없습니다.