맞춤기술찾기

홈으로 가기
맞춤기술찾기
이전대상기술
프린트하기

이전대상기술

탄소나노튜브 센서의 제조방법 및 이에 의하여 제조된 탄소나노튜브 센서(Method for fabricating carbon nanotube sensor and Carbon nanotube sensor fabricated thereby)

  • 기술번호 : KST2016012944
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
상담신청 PDF 받기
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은, a) 기판 상에 절연막을 형성하는 단계; (b) 상기 절연막 상의 탄소나노튜브 흡착영역에 격자 또는 스트라이프 형태의 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계; (c) 상기 포토레지스트 패턴을 따라 상기 절연막을 식각(etching)하는 단계; (d) 상기 절연막이 식각된 기판에 탄소나노튜브 입자를 흡착하는 단계; (e) 상기 탄소나노튜브가 흡착된 기판 표면의 포토레지스트 패턴을 제거하는 단계; 및 (f) 상기 포토레지스트 패턴이 제거된 상기 절연막 상에 전극을 형성하는 단계를 포함하는 탄소나노튜브 센서의 제조방법 및 이에 의하여 제조된 탄소나노튜브 센서에 관한 것이다.
Int. CL H01L 21/027 (2006.01) H01L 29/06 (2006.01)
CPC H01L 29/0669(2013.01) H01L 29/0669(2013.01) H01L 29/0669(2013.01)
출원번호/일자 1020140193372 (2014.12.30)
출원인 한국과학기술연구원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2016-0080674 (2016.07.08) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 거절
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2014.12.30)
심사청구항수 5

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 변영태 대한민국 서울특별시 성북구
2 김선호 대한민국 서울특별시 성북구
3 김재성 대한민국 서울특별시 성북구
4 이제행 대한민국 서울특별시 성북구
5 김신근 대한민국 서울특별시 성북구

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 특허법인 티앤아이 대한민국 서울특별시 송파구 법원로 ***, A동 ****호(문정동, 엠스테이트)

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
최종권리자 정보가 없습니다
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2014.12.30 수리 (Accepted) 1-1-2014-1278189-16
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2015.11.10 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2016.01.08 수리 (Accepted) 9-1-2016-0001314-19
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2016.01.13 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0030191-41
5 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2016.03.08 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2016-0221928-72
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2016.03.08 수리 (Accepted) 1-1-2016-0221923-44
7 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2016.07.25 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0534673-23
8 [법정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Extension of Legal Period] Request for Extension of Period (Reduction, Expiry Reconsideration)		 2016.08.24 수리 (Accepted) 7-1-2016-0050125-55
9 [명세서등 보정]보정서(재심사)
Amendment to Description, etc(Reexamination)		 2016.09.05 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2016-0864546-93
10 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2016.09.05 수리 (Accepted) 1-1-2016-0864548-84
11 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2016.10.05 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0715825-12
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
a) 기판 상에 절연막을 형성하는 단계;(b) 상기 절연막 상의 탄소나노튜브 흡착영역에 격자 또는 스트라이프 형태의 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계;(c) 상기 포토레지스트 패턴을 따라 상기 절연막을 식각(etching)하는 단계; (d) 상기 절연막이 식각된 기판에 탄소나노튜브 입자를 흡착하는 단계;(e) 상기 탄소나노튜브가 흡착된 기판 표면의 포토레지스트 패턴을 제거하는 단계; 및(f) 상기 포토레지스트 패턴이 제거된 상기 절연막 상에 전극을 형성하는 단계를 포함하는 탄소나노튜브 센서의 제조방법
2 2
제1항에 있어서, 상기 기판은 실리콘 웨이퍼를 포함하고, 상기 절연막은 SiO2를 포함하는 것을 특징으로 하는 탄소나노튜브 센서의 제조방법
3 3
제1항에 있어서,상기 격자형태는 그레이팅(grating) 형태 또는 래티스(lattice) 형태인 것을 특징으로 하는 탄소나노튜브 센서의 제조방법
4 4
제1항에 있어서, 상기 포토레지스트 패터닝은 포토리소그래피 공정에 의하여 수행되는 것을 특징으로 하는 탄소나노튜브 센서의 제조방법
5 5
제1항에 있어서,상기 탄소나노튜브는 단일벽 탄소나노튜브를 포함하는 것을 특징으로 하는 탄소나노튜브 센서의 제조방법
6 6
제1항에 있어서,상기 탄소나노튜브를 흡착하는 단계는, 탄소나노튜브가 분산된 용액에 상기 절연막이 식각된 기판을 침지하여 수행되는 것을 특징으로 하는 탄소나노튜브 센서의 제조방법
7 7
제6항에 있어서,상기 용액은 dichlorobenzene(DCB), ortho-dichlorobenzene(o-DCB), N-methyl-2-pyrrolidinone (NMP), hexamethylphosphoramide (HMPA), monochlorobenzene (MCB), N,N-dimethylformamide (DMF), dichloroethane (DCE), isopropyl alcohol(IPA), ethanol, chloroform 및 toluene으로 이루어진 그룹에서 선택된 1종 이상의 용매를 포함하는 탄소나노튜브 센서의 제조방법
8 8
제1항에 있어서,상기 탄소나노튜브를 흡착하는 단계에서,상기 탄소나노튜브는 상기 절연막이 식각되어 형성된 웰(well)에 갇혀 상기 웰의 세로길이 방향을 따라 배열되는 것을 특징으로 하는 탄소나노튜브 센서의 제조방법
9 9
제1항에 있어서,상기 전극의 형성 방향이 상기 절연막이 식각되어 형성된 웰(well)의 세로 길이 방향과 직각방향인 것을 특징으로 하는 탄소나노튜브 센서의 제조방법
10 10
제1항 내지 제9항 중 선택된 어느 한 항의 제조방법에 따라 제조된 탄소나노튜브 센서
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.