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탄소나노튜브 센서의 제조방법 및 탄소나노튜브 센서(Method for fabricating carbon nanotube sensor and the carbon nanotube sensor)

  • 기술번호 : KST2016012945
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은, (a) 기판 상에 탄소나노튜브 입자를 흡착하는 단계, (b) 탄소나노튜브 입자가 흡착된 상기 기판 상에 채널을 형성하는 단계, (c) 상기 채널 상에 금속막을 증착하는 단계, (d) 상기 금속막 이외 부분의 탄소나토튜브 입자를 에칭하여 제거하는 단계, (e) 상기 채널 양쪽에 전극을 형성하는 단계, (f) 상기 채널 상에 증착된 금속막을 에칭하여 제거하는 단계를 포함하는 탄소나노튜브 센서의 제조방법을 제공한다.
Int. CL H01L 29/06 (2006.01)
CPC H01L 29/0669(2013.01) H01L 29/0669(2013.01)
출원번호/일자 1020140193371 (2014.12.30)
출원인 한국과학기술연구원
등록번호/일자 10-1666080-0000 (2016.10.07)
공개번호/일자 10-2016-0082290 (2016.07.08) 문서열기
공고번호/일자 (20161013) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2014.12.30)
심사청구항수 4

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 변영태 대한민국 서울특별시 성북구
2 김신근 대한민국 서울특별시 성북구
3 이제행 대한민국 서울특별시 성북구
4 김재성 대한민국 서울특별시 성북구
5 김선호 대한민국 서울특별시 성북구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인 티앤아이 대한민국 서울특별시 송파구 법원로 ***, A동 ****호(문정동, 엠스테이트)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 대한민국 서울특별시 성북구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2014.12.30 수리 (Accepted) 1-1-2014-1278187-14
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2015.11.10 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2016.01.08 수리 (Accepted) 9-1-2016-0002152-87
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2016.01.14 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0032305-17
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2016.03.14 수리 (Accepted) 1-1-2016-0241975-76
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2016.03.14 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2016-0242006-38
7 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2016.07.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0538350-85
8 [법정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Extension of Legal Period] Request for Extension of Period (Reduction, Expiry Reconsideration)
2016.08.25 수리 (Accepted) 7-1-2016-0050335-36
9 [명세서등 보정]보정서(재심사)
Amendment to Description, etc(Reexamination)
2016.09.02 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2016-0859403-55
10 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2016.09.02 수리 (Accepted) 1-1-2016-0859402-10
11 등록결정서
Decision to Grant Registration
2016.10.05 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0715823-21
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
(a) 사파이어 기판 상에 탄소나노튜브 입자를 흡착하는 단계;(b) 탄소나노튜브 입자가 흡착된 상기 기판 상에 채널을 형성하는 단계;(c) 상기 채널 상에 금속막을 증착하는 단계;(d) 상기 금속막 이외 부분의 탄소나토튜브 입자를 산소 분위기 하에서 건식 에칭하여 제거하는 단계;(e) 상기 채널 양쪽에 전극을 형성하는 단계;(f) 상기 채널 상에 증착된 금속막을 불산으로 에칭하여 제거하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 탄소나노튜브 센서의 제조방법
2 2
삭제
3 3
제1항에 있어서, 상기 (c) 단계에서, 상기 금속막은 타이타늄 막을 포함하여 불산용액에 식각되는 금속 박막인 것을 특징으로 하는 탄소나노튜브 센서의 제조방법
4 4
삭제
5 5
제1항에 있어서, 상기 (a) 단계에 있어서, 단일벽 탄소나노튜브(SWNT)가 분산된 용액에 일정 시간 동안 상기 기판을 담그는 것을 특징으로 하는 탄소나노튜브 센서의 제조방법
6 6
삭제
7 7
제1항에 있어서, 상기 (e) 단계에서, 상기 전극은 Au를 기반으로하는 2종이상의 복합물질이 증착된 전극인 것을 특징으로 하는 탄소나노튜브 센서의 제조방법
8 8
삭제
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.