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희토류, 바륨 및 구리를 포함하는 제1 초전도 전구체를 제공하고; 상기 제1 초전도 전구체에 전-열처리 공정을 수행하여, 희토류-구리-바륨 산화물이 에피택시 성장된 제1 초전도체를 형성하고; 그리고상기 에피택시 성장된 제1 초전도체에 후-열처리 공정을 수행하여 제2 초전도체를 형성하는 것을 포함하되,상기 전-열처리 공정은:상기 제1 초전도 전구체를 제1 온도와 제1 산소분압으로 열처리하여 비정질의 제2 초전도 전구체를 형성하고;상기 비정질의 제2 초전도 전구체를 상기 제1 온도와, 제1 산소분압보다 높은 제2 산소분압으로 열처리하여 희토류 산화물 알갱이들을 함유하는 액상의 제3 초전도 전구체를 형성하고; 그리고상기 액상의 제3 초전도 전구체를 상기 제2 산소분압과, 상기 제1 온도보다 낮은 제2 온도로 열처리하여 상기 에피택시 성장된 제1 초전도체와, 상기 에피택시 성장된 제1 초전도체 내에 구리 산화물 알갱이들을 형성하는 것을 포함하되,상기 후-열처리 공정은 상기 에피택시 성장된 제1 초전도체를 상기 제2 산소분압보다 높은 제3 산소분압과, 상기 제1 온도보다 낮고 상기 제2 온도보다 높은 제3 온도로 열처리하여 상기 에피택시 성장된 제1 초전도체 내에 c-축 방향으로 정렬된 구리 산화물 플레이트들을 형성하는 것을 포함하는 초전도체의 형성방법
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청구항 1에 있어서,상기 제1 초전도 전구체는 10-6 ~ 10-3 Torr의 상기 제1 산소분압과, 860℃의 상기 제1 온도로 열처리되는 초전도체의 형성방법
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청구항 1에 있어서,상기 비정질의 제2 초전도 전구체는 10-2 ~ 10-1 Torr의 상기 제2 산소 분압과, 860℃의 상기 제1 온도로 열처리되는 초전도체의 형성방법
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청구항 1에 있어서,상기 액상의 제3 초전도 전구체는 30mTorr의 상기 제2 산소 분압과, 740℃ 이하의 상기 제2 온도로 열처리되는 초전도체의 형성방법
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청구항 1에 있어서,상기 에피택시 성장된 제1 초전도체는 300mTorr의 상기 제3 산소 분압과, 800℃의 상기 제3 온도로 열처리되는 초전도체의 형성방법
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청구항 1에 있어서,상기 에피택시 성장된 제1 초전도체의 상기 희토류-구리-바륨 산화물은 상기 희토류 산화물 알갱이들로부터 형성되는 초전도체의 형성방법
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청구항 6에 있어서,상기 제2 초전도체는 그의 내부에 분산된 상기 희토류 산화물 알갱이들 및 상기 구리 산화물 알갱이들을 함유하는 초전도체의 형성방법
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청구항 6에 있어서,상기 희토류 산화물은 RE2O3이고, 상기 제1 초전도체는 RE1+xBa2-xCu3O7-δ의 상을 갖고 상기 제2 초전도체는 RE1+yBa2-yCu3O7-δ의 상을 갖고, 0003c#x003c#1, x003e#y, 및 0003c#δ003c#1이고, RE는 La, Nd, Sm, Eu, Gd, Tb, Dy, Ho, Er, Tm, Yb, 및 Lu을 포함하는 란타늄족 원소 중의 적어도 하나 또는 Y을 포함하는 초전도체의 형성방법
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청구항 7에 있어서,상기 제2 초전도체는 RE2BaCuO5을 더 함유하는 초전도체의 형성방법
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청구항 1에 있어서,상기 희토류-구리-바륨 산화물은 테이프 형상의 기판 상에 형성되고,상기 기판은 집합조직을 갖는 금속 기판 상에 형성된 산화물 버퍼층을 포함하는 초전도체의 형성방법
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청구항 10에 있어서,상기 희토류 산화물 알갱이들은 상기 산화물 버퍼층으로부터 상기 액상의 제3 초전도 전구체 내에 성장되는 초전도체의 형성방법
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