맞춤기술찾기

이전대상기술

이중 게이트 이온 감지 전계 효과 트랜지스터 바이오센서의 다중 감지 시스템(MULTIPLEXING DETECTION SYSTEM OF DUAL GATE ION-SENSITIVE FIELD-EFFECT TRANSISTOR SENSOR)

  • 기술번호 : KST2016013888
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 이중 게이트 이온 감지 전계 효과 트랜지스터 바이오센서의 감지 시스템은 제1 이중 게이트 이온 감지 전계 효과 트랜지스터 바이오센서, 그리고 제2 이중 게이트 이온 감지 전계 효과 트랜지스터 바이오센서를 포함하며, 제1 이중 게이트 이온 감지 전계 효과 트랜지스터 바이오센서를 통해 제1 바이오 신호를 감지하고, 제2 이중 게이트 이온 감지 전계 효과 트랜지스터 바이오센서를 통해 제2 바이오 신호를 감지하고, 그리고 제1 바이오 신호와 제2 바이오 신호는 서로 다른 종류이다.
Int. CL G01N 27/414 (2006.01)
CPC G01N 27/4145(2013.01) G01N 27/4145(2013.01)
출원번호/일자 1020150007017 (2015.01.14)
출원인 한국과학기술연구원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2016-0087709 (2016.07.22) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 공개
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2015.01.14)
심사청구항수 8

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 이관희 대한민국 서울특별시 성북구
2 이석 대한민국 서울특별시 성북구
3 전민홍 대한민국 서울특별시 성북구
4 이인규 대한민국 서울특별시 성북구
5 박정훈 대한민국 서울특별시 성북구
6 조원주 대한민국 경기도 남양주시 별내중앙로 **,
7 장현준 대한민국 서울특별시 노원구

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 김남식 대한민국 서울특별시 서초구 남부순환로***길 *-*, *층 (양재동, 가람빌딩)(율민국제특허법률사무소)
2 이인행 대한민국 서울특별시 서초구 남부순환로***길 *-*, *층 (양재동, 가람빌딩)(율민국제특허법률사무소)
3 김한 대한민국 서울특별시 서초구 남부순환로***길 *-*, *층 (양재동, 가람빌딩)(율민국제특허법률사무소)

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
최종권리자 정보가 없습니다
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2015.01.14 수리 (Accepted) 1-1-2015-0040102-07
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2016.01.14 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2016.04.11 수리 (Accepted) 9-1-2016-0016485-47
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2016.05.31 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0396703-12
5 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)
2016.07.01 수리 (Accepted) 1-1-2016-0639170-18
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2016.07.29 수리 (Accepted) 1-1-2016-0741625-06
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2016.07.29 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2016-0741626-41
8 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2017.01.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0052837-87
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
제1 이중 게이트 이온 감지 전계 효과 트랜지스터 바이오센서, 그리고제2 이중 게이트 이온 감지 전계 효과 트랜지스터 바이오센서를 포함하며,상기 제1 이중 게이트 이온 감지 전계 효과 트랜지스터 바이오센서를 통해 제1 바이오 신호를 감지하고, 상기 제2 이중 게이트 이온 감지 전계 효과 트랜지스터 바이오센서를 통해 제2 바이오 신호를 감지하고, 그리고상기 제1 바이오 신호와 상기 제2 바이오 신호는 서로 다른 종류인 이중 게이트 이온 감지 전계 효과 트랜지스터 바이오센서의 다중 감지 시스템
2 2
제1항에서,상기 이중 게이트 이온 감지 전계 효과 트랜지스터 바이오센서는 이중 게이트 이온 감지 전계 효과 트랜지스터를 포함하며,상기 이중 게이트 이온 감지 전계 효과 트랜지스터는,하부 게이트 전극,상기 하부 게이트 전극 위에 위치하는 하부 절연막,상기 하부 절연막 위에 위치하고 서로 이격되어 있는 소스 및 드레인,상기 하부 절연막 위에 위치하고 상기 소스 및 상기 드레인 사이에 위치하는 채널층,상기 소스, 상기 드레인, 상기 채널층 위에 위치하는 상부 절연막, 그리고상기 상부 절연막 위에 위치하는 상부 게이트 전극을 포함하는 이중 게이트 이온 감지 전계 효과 트랜지스터 바이오센서의 다중 감지 시스템
3 3
제2항에서,상기 상부 절연막의 등가 산화막 두께는 상기 하부 절연막의 등가 산화막 두께보다 작은 이중 게이트 이온 감지 전계 효과 트랜지스터 바이오센서의 다중 감지 시스템
4 4
제2항에서,상기 채널층은 10nm 이하의 두께를 갖는 이중 게이트 이온 감지 전계 효과 트랜지스터 바이오센서의 다중 감지 시스템
5 5
제2항에서,상기 이중 게이트 이온 감지 전계 효과 트랜지스터 바이오센서는 상기 이중 게이트 이온 감지 전계 효과 트랜지스터와 연결되어 있는 교체형 감지기를 포함하고,상기 교체형 감지기는 상기 상부 게이트 전극에 연결되어 있는 금속 전극, 그리고상기 금속 전극 위에 위치하며 이온을 감지하는 감지막을 포함하는 이중 게이트 이온 감지 전계 효과 트랜지스터 바이오센서의 다중 감지 시스템
6 6
제2항에서,상기 제1 이중 게이트 이온 감지 전계 효과 트랜지스터 바이오센서의 소스와 상기 제2 이중 게이트 이온 감지 전계 효과 트랜지스터 바이오센서의 소스는 공통으로 접지되어 있으며,상기 제1 이중 게이트 이온 감지 전계 효과 트랜지스터 바이오센서의 상부 게이트 전극과 상기 제2 이중 게이트 이온 감지 전계 효과 트랜지스터 바이오센서의 상부 게이트 전극은 공통으로 접지되어 있는 이중 게이트 이온 감지 전계 효과 트랜지스터 바이오센서의 다중 감지 시스템
7 7
제6항에서,상기 제1 이중 게이트 이온 감지 전계 효과 트랜지스터 바이오센서의 하부 게이트 전극과 상기 제2 이중 게이트 이온 감지 전계 효과 트랜지스터 바이오센서의 하부 게이트 전극에 공통전압이 인가되는 이중 게이트 이온 감지 전계 효과 트랜지스터 바이오센서의 다중 감지 시스템
8 8
제7항에서,상기 제1 이중 게이트 이온 감지 전계 효과 트랜지스터 바이오센서의 드레인은 상기 제1 바이오 신호를 출력하고, 상기 제2 이중 게이트 이온 감지 전계 효과 트랜지스터 바이오센서의 드레인은 상기 제2 바이오 신호를 출력하는 이중 게이트 이온 감지 전계 효과 트랜지스터 바이오센서의 다중 감지 시스템
9 9
제8항에서,상기 제1 드레인과 상기 제2 드레인은 병렬 구조로 연결되어 있는 이중 게이트 이온 감지 전계 효과 트랜지스터 바이오센서의 다중 감지 시스템
10 10
제5항에서,상기 교체형 감지기는 항체, 세포, 또는 DNA 중 적어도 하나가 기능화되어 있는 리셉터(receptor)를 포함하고,상기 교체형 감지기와 상기 리셉터는 전기적으로 접속되어 있는 이중 게이트 이온 감지 전계 효과 트랜지스터 바이오센서의 다중 감지 시스템
지정국 정보가 없습니다
순번, 패밀리번호, 국가코드, 국가명, 종류의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 패밀리정보 - 패밀리정보 표입니다.
순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 US20160202208 US 미국 FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

순번, 패밀리번호, 국가코드, 국가명, 종류의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 패밀리정보 - DOCDB 패밀리 정보 표입니다.
순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 US2016202208 US 미국 DOCDBFAMILY
국가 R&D 정보가 없습니다.