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금속 칼코게나이드 소자 및 그 제조 방법(Metal chalcogenide device and method for manufacturing same)

  • 기술번호 : KST2016014521
  • 담당센터 : 경기기술혁신센터
  • 전화번호 : 031-8006-1570
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 칼코게나이드 소자에 관한 것으로 특히, 전이금속 칼코게나이드를 전극으로 이용한 금속 칼코게나이드 소자 및 그 제조 방법에 관한 것이다. 이러한 본 발명은, 금속 칼코게나이드 소자에 있어서, 기판; 상기 기판 상에 위치하는 산화물층; 상기 산화물층 상에 위치하는 제1전도성의 금속 칼코게나이드 층; 및 상기 금속 칼코게나이드 층 상에 서로 이격되어 위치하고 금속 칼코게나이드를 포함하는 제1전극 및 제2전극을 포함하여 구성될 수 있다.
Int. CL H01L 31/0236 (2006.01) H01L 31/0224 (2006.01) H01L 31/0392 (2006.01)
CPC H01L 31/0324(2013.01) H01L 31/0324(2013.01) H01L 31/0324(2013.01) H01L 31/0324(2013.01) H01L 31/0324(2013.01)
출원번호/일자 1020150014291 (2015.01.29)
출원인 엘지전자 주식회사, 성균관대학교산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2016-0093376 (2016.08.08) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2019.10.31)
심사청구항수 12

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 엘지전자 주식회사 대한민국 서울특별시 영등포구
2 성균관대학교산학협력단 대한민국 경기도 수원시 장안구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 최민석 대한민국 서울특별시 서초구
2 이창구 대한민국 경기도 수원시 장안구
3 박훈영 대한민국 경기도 수원시 장안구
4 이진환 대한민국 경기도 수원시 장안구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김용인 대한민국 서울특별시 송파구 올림픽로 ** (잠실현대빌딩 *층)(특허법인(유한)케이비케이)
2 방해철 대한민국 서울특별시 송파구 올림픽로 ** (잠실현대빌딩 *층)(특허법인(유한)케이비케이)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2015.01.29 수리 (Accepted) 1-1-2015-0099858-54
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.05.22 수리 (Accepted) 4-1-2015-5068349-97
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2017.02.23 수리 (Accepted) 4-1-2017-5028829-43
4 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)		 2019.10.31 수리 (Accepted) 1-1-2019-1115852-29
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.05.28 수리 (Accepted) 4-1-2020-5118228-40
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
금속 칼코게나이드 소자에 있어서,기판;상기 기판 상에 위치하는 제1전도성의 금속 칼코게나이드 층; 및상기 금속 칼코게나이드 층 상 또는 측면에 서로 이격되어 위치하고 금속 칼코게나이드를 포함하는 제1전극 및 제2전극을 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 금속 칼코게나이드 소자
2 2
제1항에 있어서, 상기 제1전도성은 p-형인 것을 특징으로 하는 금속 칼코게나이드 소자
3 3
제1항에 있어서, 상기 제1전극 및 제2전극 중 적어도 어느 하나는 Nb를 포함하는 것을 특징으로 하는 금속 칼코게나이드 소자
4 4
제1항에 있어서, 상기 금속 칼코게나이드 층은 MoS2를 포함하는 것을 특징으로 하는 금속 칼코게나이드 소자
5 5
제1항에 있어서, 상기 제1전극 및 제2전극 중 적어도 어느 하나는 NbS2를 포함하는 것을 특징으로 하는 금속 칼코게나이드 소자
6 6
제1항에 있어서, 상기 금속 칼코게나이드 층과 상기 제1전극 및 제2전극 중 적어도 어느 하나는 측면 방향으로 접촉되는 것을 특징으로 하는 금속 칼코게나이드 소자
7 7
제1항에 있어서, 상기 금속 칼코게나이드 층과 상기 제1전극 및 제2전극 중 적어도 어느 하나의 사이에는 상기 제1전도성이 상대적으로 큰 확산 영역이 위치하는 것을 특징으로 하는 금속 칼코게나이드 소자
8 8
금속 칼코게나이드 소자의 제조 방법에 있어서,산화물층이 위치하는 제1전도성의 반도체 기판 상에 제1금속 칼코게나이드 층을 형성하는 단계;상기 제1금속 칼코게나이드 층과 접촉되는 위치에 서로 이격되는 금속 패턴을 형성하는 단계; 및상기 금속 패턴 상에 칼코겐 함유 기체를 공급하여 상기 금속 패턴을 제2금속 칼코게나이드를 포함하는 전극으로 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 금속 칼코게나이드 소자의 제조 방법
9 9
제8항에 있어서, 상기 제1금속 칼코게나이드 층은 MoS2를 포함하는 것을 특징으로 하는 금속 칼코게나이드 소자의 제조 방법
10 10
제8항에 있어서, 상기 금속 패턴은 Nb를 포함하는 것을 특징으로 하는 금속 칼코게나이드 소자의 제조 방법
11 11
제8항에 있어서, 상기 금속 패턴을 전극으로 형성하는 단계는, 상기 금속 패턴에 포함된 원자가 상기 제1금속 칼코게나이드 층을 상기 제1전도성으로 형성하는 것을 특징으로 하는 금속 칼코게나이드 소자의 제조 방법
12 12
제8항에 있어서, 상기 제1금속 칼코게나이드 층과 상기 금속 패턴은 측면 방향으로 접촉되는 것을 특징으로 하는 금속 칼코게나이드 소자의 제조 방법
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1 US20180013020 US 미국 FAMILY
2 WO2016122082 WO 세계지적재산권기구(WIPO) FAMILY

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1 US2018013020 US 미국 DOCDBFAMILY
2 WO2016122082 WO 세계지적재산권기구(WIPO) DOCDBFAMILY
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