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금속 나노구조체와 상기 금속 나노구조체가 배치된 지지기재를 포함하는 투명 도전막으로, 상기 금속 나노구조체는 이방성 형상을 가지는 복수의 금속 나노구조가 하나 이상의 접합 부위를 갖도록 연결된 것이고, 상기 투명 도전막은 550nm 파장에서의 투과율이 90 % 이상이고, 시트 저항값이 10 Ω/sq 이하인 것을 특징으로 하는 투명 도전막
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제1항에 있어서, 550nm 파장에서의 투과율이 93% 이상인 것을 특징으로 하는 투명 도전막
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제1항에 있어서, 시트 저항값이 7 Ω/sq 이하인 것을 특징으로 하는 투명 도전막
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제1항에 있어서, 시트 저항값이 5 Ω/sq 이하인 것을 특징으로 하는 투명 도전막
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제1항에 있어서, 투명 도전막을 1% 신장시킨 후의 시트 저항값이 초기 저항값의 101% 미만인 것을 특징으로 하는 투명 도전막
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제1항에 있어서, 투명 도전막을 2% 신장시킨 후의 시트 저항값이 초기 저항값의 102% 미만인 것을 특징으로 하는 투명 도전막
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제1항에 있어서, 상기 금속은 금, 은, 동, 니켈, 백금, 팔라듐 및 금-은 합금으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 1종 이상인 것을 특징으로 하는 투명 도전막
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제1항에 있어서, 상기 금속 나노구조는 금속 나노와이어, 금속 나노막대, 금속 나노튜브, 금속 나노니들, 및 금속 나노섬유 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 투명 도전막
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제1항에 있어서, 상기 금속 나노구조는 은 나노와이어인 것을 특징으로 하는 투명 도전막
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제1항에 있어서, 상기 지지기재가 폴리에틸렌 테레프탈레이트(PET), 폴리에틸렌나프탈레이트(PEN), 폴리에테르설폰(PES), 폴리이미드(PI), 폴리올레핀류 및 셀룰로오스류로 이루어지는 군으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 투명 도전막
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하기 공정 (a) 내지 (c) 중 2 이상의 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는, 이방성 형상을 가지는 복수의 금속 나노구조가 하나 이상의 접합 부위를 갖도록 연결된 금속 나노구조체를 포함하는 투명 도전막의 제조 방법
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제11항에 있어서, 공정 (a)에서 상기 용제가 금속 나노구조체를 배치할 때 사용된 계면활성제를 용해시킬 수 있는 것인 것을 특징으로 하는 투명 도전막의 제조 방법
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제12항에 있어서, 상기 계면활성제가 폴리비닐피롤리돈(PVP)이고, 상기 용제가 물, 알코올류, 디클로로메탄, 클로로포름, 글리세롤 및 아세트산으로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상인 것을 특징으로 하는 투명 도전막의 제조 방법
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제11항에 있어서, 공정 (a)에서 용제를 스프레이하여 세정하는 것을 특징으로 하는 투명 도전막의 제조 방법
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제11항에 있어서, 공정 (c)에서 상기 극성 용매가 에탄올, 메탄올, 이소프로필알코올, 1-부탄올, 테트라하이드로퓨란(THF), 디클로로메탄, 에틸아세테이트, 디메틸포름아미드(DMF), 디메틸설폭사이드(DMSO), 아세토니트릴, 디메틸아세트아미드(DMAC), 헥사메틸인산 트리아미드(HMPT), 암모니아 및 유기아민 화합물로 이루어지는 군으로부터 선택되는 1종 이상인 것을 특징으로 하는 투명 도전막의 제조 방법
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제11항에 있어서, 공정 (c)에서 상기 극성 용매가 에탄올, 메탄올, 이소프로필알콜, 1-부탄올, 디메틸포름아미드(DMF), 및 디메틸설폭사이드(DMSO)로 이루어지는 군으로부터 선택되는 1종 이상인 것을 특징으로 하는 투명 도전막의 제조 방법
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제11항에 있어서, 공정 (c)에서 상기 처리제를 포함하는 용액의 주용매가 물인 것을 특징으로 하는 투명 도전막의 제조 방법
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제11항에 있어서, 공정 (c)에서 금속 나노구조체가 배치된 지지기재를 처리제를 포함하는 용액에 침지하여 처리하는 것을 특징으로 하는 투명 도전막의 제조 방법
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제11항에 있어서, 공정 (c)에서 상기 금속 할로겐화물이 알칼리 금속 또는 알칼리 토금속의 할로겐화물인 것을 특징으로 하는 투명 도전막의 제조 방법
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제11항에 있어서, 공정 (c)에서 상기 금속 할로겐화물이 NaF, NaCl, NaBr 및 NaI로 이루어지는 군으로부터 선택되는 1종 이상인 것을 특징으로 하는 투명 도전막의 제조 방법
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제11항에 있어서, 공정 (c)에서 UV 조사를 추가로 행하는 것을 특징으로 하는 투명 도전막의 제조 방법
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제11항에 있어서, 상기 금속 나노구조의 금속은 금, 은, 동, 니켈, 백금, 팔라듐 및 금-은 합금으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 1종 이상인 것을 특징으로 하는 투명 도전막의 제조 방법
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제11항에 있어서, 상기 금속 나노구조는 금속 나노와이어, 금속 나노막대, 금속 나노튜브, 금속 나노니들, 및 금속 나노섬유 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 투명 도전막의 제조 방법
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제11항에 있어서, 상기 금속 나노 구조는 은 나노와이어인 것을 특징으로 하는 투명 도전막의 제조 방법
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제11항에 있어서, 금속 나노구조체가 배치된 지지기재가 폴리에틸렌 테레프탈레이트(PET), 폴리에틸렌나프탈레이트(PEN), 폴리에테르설폰(PES), 폴리이미드(PI), 폴리올레핀류 및 셀룰로오스류로 이루어지는 군으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 투명 도전막의 제조 방법
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제11항에 있어서, (a) 내지 (c)의 모든 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 투명 도전막의 제조 방법
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제26항에 있어서, 공정 (a) 이후에 공정 (b)를 행하고, 공정 (b) 이후에 공정 (c)를 행하는 것을 특징으로 하는 투명 도전막의 제조 방법
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제27항에 있어서, 공정 (a) 직후에 공정 (b)를 행하고, 공정 (b) 직후에 공정 (c)를 행하는 것을 특징으로 하는 투명 도전막의 제조 방법
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제28항에 있어서, 공정 (a) 및 공정 (b), 공정 (b) 및 공정 (c), 또는 공정 (a), 공정(b) 및 공정(c)를 롤-투-롤 방식으로 행하는 것을 특징으로 하는 투명 도전막의 제조 방법
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제1항 내지 제10항 중 어느 한 항의 투명 도전막에 트랜지스터가 배치된 디바이스
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제1항 내지 제10항 중 어느 한 항의 투명 도전막을 포함하는 액정 디스플레이, 플라즈마 디스플레이, 유기EL디스플레이(OLED), 유기EL조명, 터치 스크린, 및 태양 전지로 이루어지는 군으로부터 선택되는 전자장치
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제31항에 있어서, 상기 전자장치가 유기EL디스플레이(OLED), 유기EL조명, 터치 스크린, 또는 태양전지인 것을 특징으로 하는 전자장치
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