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n+1개의 금속 산화물층 및 n개의 전도성 고분자층이 번갈아가며 적층되어 있으며,금속 산화물층이 최하단 및 최상단층에 배치되어 있고,상기 n은 1이상의 정수인,슈퍼래티스 유연 투명 전극
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제 1 항에 있어서,상기 금속 산화물층은 마그네트론 스퍼터링법에 의해 증착된 것인,슈퍼래티스 유연 투명 전극
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제 1 항에 있어서,상기 전도성 고분자층은 스핀 코팅법에 의해 코팅된 것인,슈퍼래티스 유연 투명 전극
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제 1 항에 있어서,상기 금속 산화물층은 IZTO, ITO, IWO, IMO, INbO, IGO, ISO, GZO, AZO, AGZO, NbTiO2, FTO, ATO, BZO, IZO 중 어느 하나를 포함하는,슈퍼래티스 유연 투명 전극
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제 1 항에 있어서,상기 전도성 고분자층은 PEDOT:PSS, Poly-Acetylene, Poly-Pyrrole, Poly-Thiophene, Poly-Aniline, Poly-p-Phienylene, Poly-phenylene vinylene, Poly-p-Phenylene sulphide 중 어느 하나를 포함하는,슈퍼래티스 유연 투명 전극
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제 1 항에 있어서,상기 n이 클수록 면저항은 감소하고 투과도는 유지되는,슈퍼래티스 유연 투명 전극
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제 1 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 따른 슈퍼래티스 유연 투명 전극을 이용한, 플렉서블 디스플레이
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제 1 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 따른 슈퍼래티스 유연 투명 전극을 이용한, 태양 전지
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마그네트론 스퍼터링 공정을 이용해 금속 산화물층을 증착시키는 단계; 및스핀 코팅 공정을 이용해 전도성 고분자층을 코팅하는 단계를 포함하고,상기 두 단계를 번갈아가며 반복적으로 수행하며,n+1개의 금속 산화물층 및 n개의 전도성 고분자층이 번갈아가며 적층되고,금속 산화물층이 최하단 및 최상단층에 배치되며,상기 n은 1이상의 정수인,슈퍼래티스 유연 투명 전극의 제조 방법
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제 9 항에 있어서,상기 금속 산화물층은 IZTO, ITO, IWO, IMO, INbO, IGO, ISO, GZO, AZO, AGZO, NbTiO2, FTO, ATO, BZO, IZO 중 어느 하나를 포함하는,슈퍼래티스 유연 투명 전극의 제조 방법
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제 9 항에 있어서,상기 전도성 고분자층은 PEDOT:PSS, Poly-Acetylene, Poly-Pyrrole, Poly-Thiophene, Poly-Aniline, Poly-p-Phienylene, Poly-phenylene vinylene, Poly-p-Phenylene sulphide 중 어느 하나를 포함하는,슈퍼래티스 유연 투명 전극의 제조 방법
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제 9 항에 있어서,상기 스핀 코팅 공정을 이용해 전도성 고분자층을 코팅하는 단계는,용매로 탈이온수(Deionized Water)를 이용하며,상기 탈이온수와 상기 전도성 고분자를 1:1로 혼합하여 스핀 코팅을 수행하는,슈퍼래티스 유연 투명 전극의 제조 방법
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제 12 항에 있어서,상기 탈이온수와 상기 전도성 고분자를 1:1로 혼합하여 스핀 코팅을 수행할 때 전도성 고분자층의 두께가 얇게 코팅되는,슈퍼래티스 유연 투명 전극의 제조 방법
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제 9 항 내지 제 13 항 중 어느 한 항의 방법에 따라 제조된, 슈퍼래티스 유연 투명 전극
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