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(a) 챔버 내의 제1 영역에 금속 기판을 위치시키고 제2 영역에 보론 함유 화합물을 위치시키는 단계;(b) 상기 챔버 내에 탄소 함유 가스 또는 증기를 공급하면서 이를 전구체로 사용하여 상기 금속 기판의 적어도 일 표면상에 탄소층을 형성하는 단계; 및(c) 상기 탄소 함유 가스 또는 증기의 공급을 중단하고, 또한 상기 제2 영역에 위치하는 상기 보론 함유 화합물을 상기 제1 영역으로 이동시키고 상기 챔버 내에 질소를 포함하는 가스를 공급하면서 상기 탄소층을 가열 처리하여 상기 탄소층을 보론 나이트라이드(BN) 층으로 전환하는 단계를 포함하며,상기 가열 처리는 상기 제1 영역의 온도가 상기 탄소층을 상기 보론 나이트라이드(BN) 층으로 전환하는 반응을 개시할 수 있는 온도와 같거나 이보다 높은 온도가 되도록 하며,상기 제2 영역의 온도는 상기 탄소층을 상기 보론 나이트라이드(BN) 층으로 전환하는 반응을 개시할 수 있는 온도보다 낮은 상태로 유지되는 보론 나이트라이드(BN) 층의 형성 방법
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제1항에 있어서, 상기 탄소층은 화학 기상 증착(CVD)을 이용하여 형성되는 것을 특징으로 하는 보론 나이트라이드(BN) 층의 형성 방법
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제1항에 있어서, 상기 금속 기판은 상기 가열 처리에 의하여 용융되지 않는 금속으로 이루어지며, 텅스텐, 티타늄, 철, 구리, 니켈, 은, 아연, 몰리브덴 및 이들의 적어도 1종을 포함하는 합금으로 이루어지는 군으로부터 선택된 재료를 포함하는 것을 특징으로 하는 보론 나이트라이드(BN) 층의 형성 방법
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제1항에 있어서, 상기 금속 기판의 두께는 10 내지 1,000 ㎛이고, 상기 보론 나이트라이드(BN) 층의 두께는 5 내지 500 ㎛인 것을 특징으로 하는 보론 나이트라이드(BN) 층의 형성 방법
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제1항에 있어서, 상기 탄소층의 탄소는 그래파이트(graphite), 그래핀 산화물(graphene oxide), 활성탄, 무정형 탄소 및 카본 블랙으로부터 선택된 형태인 것을 특징으로 하는 보론 나이트라이드(BN) 층의 형성 방법
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제1항에 있어서, 상기 가열 처리는 1000 ~ 2000 ℃의 온도, 1×101 ~ 1
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전계 효과 트랜지스터 소자의 제조 방법으로서,게이트 전극으로 기능할 금속 기판 위에 보론 나이트라이드(BN) 층으로 이루어진 게이트 절연층을 형성하는 단계;상기 보론 나이트라이드(BN) 게이트 절연층의 일부 영역 위에 반도체층 또는 반도체 구조체를 형성하여 채널 영역을 한정하는 단계; 및상기 보론 나이트라이드(BN) 게이트 절연층 위에 소스 전극 및 드레인 전극을 형성하는 단계로서, 상기 소스 전극 및 상기 드레인 전극은 상기 채널 영역의 양단에 접촉하도록 형성되는 단계를 포함하며,상기 보론 나이트라이드(BN) 게이트 절연층을 형성하는 단계가(a) 챔버 내의 제1 영역에 금속 기판을 위치시키고 제2 영역에 보론 함유 화합물을 위치시키는 단계;(b) 상기 챔버 내에 탄소 함유 가스 또는 증기를 공급하면서 이를 전구체로 사용하여 상기 금속 기판의 적어도 일 표면상에 탄소층을 형성하는 단계; 및(c) 상기 탄소 함유 가스 또는 증기의 공급을 중단하고, 또한 상기 제2 영역에 위치하는 상기 보론 함유 화합물을 상기 제1 영역으로 이동시키고 상기 챔버 내에 질소를 포함하는 가스를 공급하면서 상기 탄소층을 가열 처리하여 상기 탄소층을 보론 나이트라이드(BN) 층으로 전환하는 단계를 포함하며,상기 가열 처리는 상기 제1 영역의 온도가 상기 탄소층을 상기 보론 나이트라이드(BN) 층으로 전환하는 반응을 개시할 수 있는 온도와 같거나 이보다 높은 온도가 되도록 하며,상기 제2 영역의 온도는 상기 탄소층을 상기 보론 나이트라이드(BN) 층으로 전환하는 반응을 개시할 수 있는 온도보다 낮은 상태로 유지되도록 하는 전계 효과 트랜지스터 소자의 제조 방법
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제7항에 있어서, 상기 금속 기판의 두께는 10 내지 1,000 ㎛이고, 상기 보론 나이트라이드(BN) 층의 두께는 5 내지 500 ㎛인 것을 특징으로 하는 전계 효과 트랜지스터 소자의 제조 방법
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제7항에 있어서, 상기 금속 기판은 상기 가열 처리에 의하여 용융되지 않는 금속으로 이루어지며,텅스텐, 티타늄, 철, 구리, 니켈, 은, 아연, 몰리브덴 및 이들의 적어도 1종을 포함하는 합금으로 이루어지는 군으로부터 선택된 재료를 포함하는 것을 특징으로 하는 전계 효과 트랜지스터 소자의 제조 방법
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제7항에 있어서, 상기 탄소층은 화학 기상 증착을 이용하여 형성되는 것을 특징으로 하는 전계 효과 트랜지스터 소자의 제조 방법
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제7항에 있어서, 상기 탄소층의 탄소는 그래파이트(graphite), 그래핀 산화물(graphene oxide), 활성탄, 무정형 탄소 및 카본 블랙으로부터 선택된 형태인 것을 특징으로 하는 전계 효과 트랜지스터 소자의 제조 방법
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제7항에 있어서, 상기 가열 처리는 1000 ~ 2000 ℃의 온도, 1×101 ~ 1
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